COURS .pdf - IM2NP
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Propriétés physiques des oxydes cristallins<br />
(Comparaison avec les semiconducteurs « standards »)<br />
Semiconducteurs « standards » : III-V, Si, Ge, II-VI<br />
Structure cristalline :<br />
Blende de Zinc/Diamant<br />
• Réseau covalent pour Si, Ge<br />
• Réseau covalent faiblement polarisé pour les III-V<br />
(le III est légèrement +)<br />
Würtzite<br />
Thermal expansion Young<br />
Lattice parameter<br />
Semiconductor<br />
coefficient Modulus<br />
(Å) (/°C) (GPa)<br />
Si 5.43 2.6x10 -6 130<br />
Ge 5.66 5.9x10 -6 103<br />
GaAs 5.65 5.73x10 -6 85<br />
InP 5.87 4.6x10 -6 61<br />
InAs 6.06 4.52x10 -6 51<br />
Motif de base<br />
tétraèdre<br />
G.Saint-Girons<br />
Ecole « mécanique des<br />
nano-objets »<br />
Autrans 14-19 mars 2010
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