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Ionicité et orientation de l’oxyde/Si
Croissance d’oxydes de terre rare bixbyite (Pr 2 O 3 , Gd 2 O 3 , …) sur Si(111)
Gd 2 O 3 (111)
(b)
L’interface passe par des liaisons de type Si-O
Deux orientations équivalentes d’un point de vue
géométrique, si on ne considère que les 2 plans de
part et d’autre de l’interface
5 nm Si(111)
Gd 2 O 3 [1-10]
Gd
O
Gd 2 O 3 [-110]
Gd 2
O 3
(111)/Si(111)
Matériau d’excellente qualité
Croissance monodomaine
Réseau oxyde tourné de 60°/Si
(« macle géante » à l’interface)
Gd 2 O 3 [11-2]
●
Gd 2 O 3 (111)
Si[1-10]
Si[11-2]
● Si(111)
Empilement type A/A
O Lac
Si
Gd 2 O 3 [-1-12]
●
Gd 2 O 3 (111)
Si[1-10]
Si[11-2]
● Si(111)
Empilement type B/A
(oxyde à 60°, configuration
expérimentale)
Pourquoi la croissance est-elle monodomaine (interface de type B/A)
G.Saint-Girons
Ecole « mécanique des
nano-objets »
Autrans 14-19 mars 2010