x - ÐÐ½ÑÑÐ¸ÑÑÑ ÑÐ¸Ð·Ð¸ÐºÐ¸ ÑÐ²ÐµÑÐ´Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐµÐ»Ð°

More documents

Recommendations

Info

100(a)(б)(в)(г)Рис. 3.2.4. Волновые функции для первых четырёхсостояний: (a) – основное состояние, (б) – первоевозбуждённое, (в) – второе возбуждённое, (г) –третье возбуждённое состояние.
101Вероятность туннелирования (отн. ед.)0,011E-41E-61E-81E-101E-121E-14без переворота спинас переворотом спина1E-164 6 8 10 12 14 16 18 20 22Размер Ge нанокластера (нм)Рис.3.2.5: Зависимость вероятностей туннелирования с переворотом спинаи без него от латерального размера КТ (высота Ge нанокластера h=1.5 нм).
Page 1 and 2:
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИ
Page 3:
Ĥ — гамильтониан э
Page 6 and 7:
6СОДЕРЖАНИЕВведени
Page 8 and 9:
8ВВЕДЕНИЕДанная ра
Page 10 and 11:
10информации при ра
Page 12 and 13:
123) Полученные врем
Page 14 and 15:
14ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУР
Page 16 and 17:
16Спин-орбитальное
Page 18 and 19:
18величина g-фактора
Page 20 and 21:
1.2. Предложения по и
Page 22 and 23:
22Наиболее интересн
Page 24 and 25:
24Модель Кейна. В 1998
Page 27 and 28:
27неоднородность вн
Page 29 and 30:
29десятки нанометро
Page 31 and 32:
31экспериментальны
Page 33 and 34:
33Рис. 1.3.1. Схематиче
Page 35 and 36:
35что для свободных
Page 37 and 38:
37концентрации n s ~10
Page 39 and 40:
39упорядоченную сис
Page 41 and 42:
41ГЛАВА 2. G-ФАКТОР ДЫ
Page 43 and 44:
43Состояния в квант
Page 45 and 46:
45сопоставлении пол
Page 47 and 48:
47эрмитовости гамил
Page 49 and 50: 492 2 6 2 6 10 2атом герма
Page 51 and 52: 51спин-орбитального
Page 53 and 54: 53ŝ , удовлетворяюща
Page 55 and 56: 55Таблица 2.2.1. Парам
Page 57 and 58: 57Количественную ха
Page 59 and 60: 59где( ψ ˆ µ ψ ψ ˆ µ ψ (
Page 61 and 62: 61представлениями,
Page 63 and 64: 63P ˆ ˆ ˆ ˆ .2 2 2 3где = (
Page 65 and 66: Слагаемое65−2s ˆ в п
Page 67 and 68: 67С другой стороны,
Page 69 and 70: 692.4. g-фактор дырок в
Page 71 and 72: 71Рис.2.41. Изменение
Page 73 and 74: 73Таблица 2.4.1. Списо
Page 75 and 76: 75J = 3/ 2, J z= ± 3/ 2 соотв
Page 77 and 78: 77вклад состояния |3/
Page 79 and 80: 79J z =±3/2J z =±1/2dps∆E0∆E1
Page 81 and 82: 81разброса g-факторо
Page 83 and 84: 83Сначала рассмотри
Page 85 and 86: 85Все остальные воз
Page 87 and 88: 87Отсюда видно, что
Page 89 and 90: 89вариации внутренн
Page 91 and 92: 91ГЛАВА 3. СПИНОВАЯ Р
Page 93 and 94: 93a)dб)в)zxРис.3.2.1. а) сх
Page 95 and 96: 95E4I ↑↓4I +−−πd−π 2d0
Page 97 and 98: 97Приведем логическ
Page 99: 99зависимости интег
Page 103 and 104: 103Как было уже отме
Page 105 and 106: 105плоскости роста)
Page 107 and 108: 107При туннелирован
Page 109 and 110: 109(a)(б)(в)(г)zxРис. 3.2.10:
Page 111 and 112: 111точки. Для размер
Page 113 and 114: 113Рассмотрим подро
Page 115 and 116: 115s3/2〉 |1/2〉dОсновное
Page 117 and 118: 117где величина2 12ij2D
Page 119 and 120: 1192πf H ( ω ) j j H ( ω ) i∑
Page 121 and 122: 121Таким образом, вр
Page 123 and 124: 1233.4. СПИНОВЫЙ ТРАНС
Page 125 and 126: 125Существуют две во
Page 127 and 128: 127где коэффициент т
Page 129 and 130: 129оптимальной энер
Page 131 and 132: 13110 -510 -6I(d), эВ10 -710 -810
Page 133 and 134: 133610(a)105T=20K410Скорост
Page 135 and 136: 1350 50 100 150 200 250Пройде
Page 137 and 138: 137ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3Ис
Page 139 and 140: 139Данные противоре
Page 141 and 142: 141Энергия Energy (эВ) (eV
Page 143 and 144: 143(a)Si,Si, 3нм5нм Si,3нмn-S
Page 145 and 146: 145усиления сигнала,
Page 147 and 148: 147θ = 90ºЭПР-сигналθ =
Page 149 and 150: 149Были проведены ис
Page 151 and 152:
151Рис.4.2.5. Профили к
Page 153 and 154:
153Вершина КТ2.4Ge Si Ge 0
Page 155 and 156:
155взаимодействияa ~2
Page 157 and 158:
157существование эф
Page 159 and 160:
159линии в изотопно-
Page 161 and 162:
161ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТ
Page 163 and 164:
163ПРИЛОЖЕНИЕ АСпин
Page 165 and 166:
165квантовая точка в
Page 167 and 168:
167141210864200 2 4 6 8 10 12 14Р
Page 169 and 170:
169типичном массиве
Page 171 and 172:
171постоянных решет
Page 173 and 174:
173указывает направ
Page 175 and 176:
1752h+ 2 − −∗ 22m az( ψi, j,
Page 177 and 178:
177электрона в облас
Page 179 and 180:
179матричные элемен
Page 181 and 182:
181В Таблице Б.1 прив
Page 183 and 184:
183Таблица Б.2. Сравн
Page 185 and 186:
1854 1z z t tδ g ⊥= Re 〈∆1 |
Page 187 and 188:
187( δ g ) 〈∆ | h | ∆ 〉Ge
Page 189 and 190:
189ty∆1py∆5− 0.09Здесь
Page 191 and 192:
191ΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓl1
Page 193 and 194:
193px=⎛ 0 0 0 0 0 T10 0 0 0 0 0 0
Page 195 and 196:
195hy⎛ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Page 197 and 198:
197ЗАКЛЮЧЕНИЕРабота
Page 199 and 200:
199"New developments in nanostructu
Page 201 and 202:
201ЛИТЕРАТУРА1. Zutic I.,
Page 203 and 204:
20319. Patane A., Levin A., Main P.
Page 205 and 206:
20542. Datta S., Das B. Electronic
Page 207 and 208:
207structures by electron paramagne
Page 209 and 210:
20985. Альтшулер С. А.,
Page 211:
211107. Fu Y., Willander M., Ivchen
show all

x - ÐÐ½ÑÑÐ¸ÑÑÑ ÑÐ¸Ð·Ð¸ÐºÐ¸ ÑÐ²ÐµÑÐ´Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐµÐ»Ð°

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

x - ÐÐ½ÑÑÐ¸ÑÑÑ ÑÐ¸Ð·Ð¸ÐºÐ¸ ÑÐ²ÐµÑÐ´Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐµÐ»Ð°