x - Институт физики твердого тела

27неоднородность внешнего магнитного поля, которая приводит к неточности выполненияквантовых операций.В предложенной модели существуют следующие проблемы:a) время спин-спиновой релаксации в SiGe не было измерено до сих пор для гетероструктур,предлагаемых в работе. Авторы предполагают, что это время будет достаточным дляпроведения квантовых вычислений, как в случае с чистым Si,б) требуется изотопная очистка кремния и германия, поскольку изотопы Si 29 и Ge 73 имеютядерные спины отличные от нуля и взаимодействие с ними приведет к декогерентизацииспиновых состояний.в) для составов твердого раствора, предложенных в работе [5], можно вырастить толькоочень тонкие напряжённые эпитаксиальные слои без введения в них дислокацийнесоответствия [47]. Если точнее, толщина слоев будет составлять всего несколько десятковангстрем ~ порядка боровского радиуса электрона. Для таких ультратонких слоев имеетсмысл говорить о влиянии на величину g-фактора соседнего слоя. Более того, весь эффектпостроен на перетягивании волновой функции с помощью напряжения, приложенного кзатвору, из нижележащего слоя в вышележащий, причем полной ионизации не происходит,электрон остается привязан к донору в нижележащем слое, поэтому величина вкладов отразных слоёв в g-фактор остается открытым вопросом. Следовательно, актуальным являетсяпроведение методом электронного парамагнитного резонанса исследований электронов,локализованных на донорах вблизи границы между ультра-тонкими слоями с разнымсоставом SiGe твердого раствора.Близкая по теме работа по исследованию зависимости g-фактора от напряжения на затворебыла проведена для двумерного газа в системе GaAs/AlGaAs [48]. Здесь были полученыположительные результаты по управлению величиной g-фактора с помощью изменениянапряжения на затворе. Существенным отличием этой работы является то, что здесь