x - Институт физики твердого тела

7ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОНЫ В СИСТЕМЕ С Ge/Si КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ .................... 138§ 4.1. Постановка задачи .......................................................................................................... 138§ 4.2. Экспериментальные результаты исследований методом ЭПР электронов,локализованных вблизи Ge/Si квантовых точек ...................................................................... 140§ 4.3. Обсуждение полученных результатов ............................................................................ 1494.3.1 g-фактор электронов, локализованных вблизи Ge/Si квантовых точек ................ 1494.3.2. Угловая зависимость ширины ЭПР-линии ............................................................ 156Выводы к главе 4 ...................................................................................................................... 160ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .............................................................................. 161Приложение А. Спиновая релаксация за счёт флуктуаций электронного потенциала .......... 163Приложение Б. g-фактор электрона, локализованного вблизи вершины Ge/Si квантовойточки .......................................................................................................................................... 170Заключение................................................................................................................................ 197Литература ................................................................................................................................ 201