174определенное значение Ξu= 8.7 эВ, а рассчитанное значение составляет Ξu= 9.16 эВ. Мывзяли для своих расчетов экспериментальное значение, как более достоверное. А вот вслучае германия экспериментальное значение отсутствует, поэтому приходитсядовольствоваться расчётным значением Ξu= 9.42 эВ. Следовательно, ошибка определенияпотенциала для электрона может составить порядка ~0.01 эВ (см. выражение (Б.2)).Для вычисления потенциальной энергии электронов ( U ( ) er ) мы использовалираспределение упругой деформации ε ( r ) в структуре Ge/Si вычисленное в рамках моделиКитинга [109] с помощью метода, изложенного в работе [65].αβКинетическая энергия электрона в001∆ и ∆ 001 -долинах выражается в видедифференциального оператора2 2 2 2 2h ⎛ ∂ ∂ ⎞ h ∂−∗ ⎜ + ⎟ −2mxy⎝ ∂x ∂y ⎠ 2m ∂z2 2 ∗ 2z. (Б.3)Величиныm ∗ zи m ∗xyпредставляют собой продольную и поперечную эффективные массыэлектрона. Согласно справочным данным [78], мы принимаем следующие значения: длякремния m∗ ∗z= 0.92⋅ m0, mxy= 0.19 ⋅ m0; для германия m∗ z= 1.35⋅ m0, m∗ xy= 0.29⋅ m0, m0—масса свободного электрона.Численное решение системы уравнений Шрёдингера осуществлялось с помощьюметода конечных разностей. Для этого была выбрана кубическая сетка с шагом, равнымпостоянной решётки кремния (0.54 нм) 7 .Действие оператора кинетической энергии ˆ T вида (2) на волновую функцию ψ ,представленную на сетке, задавалось с помощью следующей разностной схемы:2(ˆ hTψ ) ( 4ψ 2 i, j, kψi 1, j, kψi 1, j, kψi, j 1, kψ∗− + − i, j+1, k )i, j,k= − − − − +2m axy7 Вводить более мелкую сетку было бы превышением точности метода эффективной массы, так какогибающая волновая функция не имеет смысла на масштабах, меньших, чем постоянная решётки.
1752h+ 2 − −∗ 22m az( ψi, j, kψi, j, k− 1ψi, j, k + 1),где целочисленные индексы i, j,k соответствуют координатам x, y,zузла;a — шаг сетки. Матричные элементы Т ijk,(i-1)jk описывают связь между узлами сетки ijk и (i-1)jk задаваемую разностной схемой и равны − h 22m ∗ a. Если проводить аналогию с методомсильной связи эти матричные элементы по сути имеют смысл эффективных интеграловперекрытия между соседними узлами. Видно, что значение элемента зависит от свойствматериала, которому принадлежат узлы i, (i-1), точнее от эффективной массы в этом2материале. Если оба узла принадлежат кремнию, то мы подставляемm∗ =m∗Si, еслигерманию, тоm∗ =m∗Ge. Если же узел i принадлежит германию, а узел (i-1) принадлежит−1 −1−1кремнию, то подставляем среднее m ( m Ge+ m ) / 2 . Таким образом, мы учитываем=Siразличие масс на гетерогранице. Такая процедура аналогична граничным условиям БастардаψA= ψ ,B1 dψ1 dψ= .m dz m dzAABBУравнение Шрёдингера решалось посредством итерирования с помощьюрелаксационного метода, описанного в § 7.4 книги [74]. Выполнение итерацийпрекращалось, когда изменение энергии на последней итерации составляло менее 0.1 мэВ.Размеры сетки составляли 50×50×60 узлов, или приблизительно 27×27×32 нм.Согласно проведенным расчетам в приближении эффективной массы вероятностьнахождения электрона в Ge составляет P(Ge)~0.0005, то есть меньше процента. Такимобразом, поправка к g-фактору электрона локализованноговблизи Ge квантовой точкибудет несущественной, отличие от g-фактора свободного электрона будет невозможнозафиксировать экспериментально, даже если g-фактор в ∆-долине будет ~10.Далее следует отметить, что обоснованность применения метода эффективной массыдля вычисления доли волновой функции электрона в области Ge вызывает большие
- Page 1 and 2:
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИ
- Page 3:
Ĥ — гамильтониан э
- Page 6 and 7:
6СОДЕРЖАНИЕВведени
- Page 8 and 9:
8ВВЕДЕНИЕДанная ра
- Page 10 and 11:
10информации при ра
- Page 12 and 13:
123) Полученные врем
- Page 14 and 15:
14ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУР
- Page 16 and 17:
16Спин-орбитальное
- Page 18 and 19:
18величина g-фактора
- Page 20 and 21:
1.2. Предложения по и
- Page 22 and 23:
22Наиболее интересн
- Page 24 and 25:
24Модель Кейна. В 1998
- Page 27 and 28:
27неоднородность вн
- Page 29 and 30:
29десятки нанометро
- Page 31 and 32:
31экспериментальны
- Page 33 and 34:
33Рис. 1.3.1. Схематиче
- Page 35 and 36:
35что для свободных
- Page 37 and 38:
37концентрации n s ~10
- Page 39 and 40:
39упорядоченную сис
- Page 41 and 42:
41ГЛАВА 2. G-ФАКТОР ДЫ
- Page 43 and 44:
43Состояния в квант
- Page 45 and 46:
45сопоставлении пол
- Page 47 and 48:
47эрмитовости гамил
- Page 49 and 50:
492 2 6 2 6 10 2атом герма
- Page 51 and 52:
51спин-орбитального
- Page 53 and 54:
53ŝ , удовлетворяюща
- Page 55 and 56:
55Таблица 2.2.1. Парам
- Page 57 and 58:
57Количественную ха
- Page 59 and 60:
59где( ψ ˆ µ ψ ψ ˆ µ ψ (
- Page 61 and 62:
61представлениями,
- Page 63 and 64:
63P ˆ ˆ ˆ ˆ .2 2 2 3где = (
- Page 65 and 66:
Слагаемое65−2s ˆ в п
- Page 67 and 68:
67С другой стороны,
- Page 69 and 70:
692.4. g-фактор дырок в
- Page 71 and 72:
71Рис.2.41. Изменение
- Page 73 and 74:
73Таблица 2.4.1. Списо
- Page 75 and 76:
75J = 3/ 2, J z= ± 3/ 2 соотв
- Page 77 and 78:
77вклад состояния |3/
- Page 79 and 80:
79J z =±3/2J z =±1/2dps∆E0∆E1
- Page 81 and 82:
81разброса g-факторо
- Page 83 and 84:
83Сначала рассмотри
- Page 85 and 86:
85Все остальные воз
- Page 87 and 88:
87Отсюда видно, что
- Page 89 and 90:
89вариации внутренн
- Page 91 and 92:
91ГЛАВА 3. СПИНОВАЯ Р
- Page 93 and 94:
93a)dб)в)zxРис.3.2.1. а) сх
- Page 95 and 96:
95E4I ↑↓4I +−−πd−π 2d0
- Page 97 and 98:
97Приведем логическ
- Page 99 and 100:
99зависимости интег
- Page 101 and 102:
101Вероятность тунн
- Page 103 and 104:
103Как было уже отме
- Page 105 and 106:
105плоскости роста)
- Page 107 and 108:
107При туннелирован
- Page 109 and 110:
109(a)(б)(в)(г)zxРис. 3.2.10:
- Page 111 and 112:
111точки. Для размер
- Page 113 and 114:
113Рассмотрим подро
- Page 115 and 116:
115s3/2〉 |1/2〉dОсновное
- Page 117 and 118:
117где величина2 12ij2D
- Page 119 and 120:
1192πf H ( ω ) j j H ( ω ) i∑
- Page 121 and 122:
121Таким образом, вр
- Page 123 and 124: 1233.4. СПИНОВЫЙ ТРАНС
- Page 125 and 126: 125Существуют две во
- Page 127 and 128: 127где коэффициент т
- Page 129 and 130: 129оптимальной энер
- Page 131 and 132: 13110 -510 -6I(d), эВ10 -710 -810
- Page 133 and 134: 133610(a)105T=20K410Скорост
- Page 135 and 136: 1350 50 100 150 200 250Пройде
- Page 137 and 138: 137ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3Ис
- Page 139 and 140: 139Данные противоре
- Page 141 and 142: 141Энергия Energy (эВ) (eV
- Page 143 and 144: 143(a)Si,Si, 3нм5нм Si,3нмn-S
- Page 145 and 146: 145усиления сигнала,
- Page 147 and 148: 147θ = 90ºЭПР-сигналθ =
- Page 149 and 150: 149Были проведены ис
- Page 151 and 152: 151Рис.4.2.5. Профили к
- Page 153 and 154: 153Вершина КТ2.4Ge Si Ge 0
- Page 155 and 156: 155взаимодействияa ~2
- Page 157 and 158: 157существование эф
- Page 159 and 160: 159линии в изотопно-
- Page 161 and 162: 161ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТ
- Page 163 and 164: 163ПРИЛОЖЕНИЕ АСпин
- Page 165 and 166: 165квантовая точка в
- Page 167 and 168: 167141210864200 2 4 6 8 10 12 14Р
- Page 169 and 170: 169типичном массиве
- Page 171 and 172: 171постоянных решет
- Page 173: 173указывает направ
- Page 177 and 178: 177электрона в облас
- Page 179 and 180: 179матричные элемен
- Page 181 and 182: 181В Таблице Б.1 прив
- Page 183 and 184: 183Таблица Б.2. Сравн
- Page 185 and 186: 1854 1z z t tδ g ⊥= Re 〈∆1 |
- Page 187 and 188: 187( δ g ) 〈∆ | h | ∆ 〉Ge
- Page 189 and 190: 189ty∆1py∆5− 0.09Здесь
- Page 191 and 192: 191ΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓl1
- Page 193 and 194: 193px=⎛ 0 0 0 0 0 T10 0 0 0 0 0 0
- Page 195 and 196: 195hy⎛ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
- Page 197 and 198: 197ЗАКЛЮЧЕНИЕРабота
- Page 199 and 200: 199"New developments in nanostructu
- Page 201 and 202: 201ЛИТЕРАТУРА1. Zutic I.,
- Page 203 and 204: 20319. Patane A., Levin A., Main P.
- Page 205 and 206: 20542. Datta S., Das B. Electronic
- Page 207 and 208: 207structures by electron paramagne
- Page 209 and 210: 20985. Альтшулер С. А.,
- Page 211: 211107. Fu Y., Willander M., Ivchen