20430. Дьяконов М. И., Качоровский В. Ю. Спиновая релаксация двумерных электронов вполупроводниках без центра инверсии. – ФТП, 1986, т.20, вып.1, с.178-189.31. Берестецкий В. Б., Лифшиц Е. М, Питаевский Л. П. Квантовая электродинамика. – М.:Наука, 1989. – 728 с.32. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). – М.:Наука, 1989. – 768 с.33. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел – М.: Наука, 1967. – 492 с.34. Калевич В.К., Захарченя Б.П., Фёдорова О.М. Сильная анизотропия g-фактораэлектронов проводимости в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. – Физика твёрдого тела, 1995,т. 37, вып.1, с.283-287.35. Ивченко Е.Л., Киселёв А.А. Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках.– Физика и техника полупроводников, 1992, т. 26, вып.3, с.1471-1479.36. Kiselev A.A., Ivchenko E.L. Electron g factor in one- and zero-dimensional semiconductornanostructures. – Phys.Rev.B, 1998, v.58, № 24, p.16353-16359.37. Киселёв А.А., Моисеев Л.В. Зеемановское расщепление состояний тяжёлой дырки вгетероструктурах A 3 B 5 и A 2 B 6 . – ФТТ, 1996, т. 38, вып. 5, с.1574-1585.38. Winkler R., Papadakis S.J., De Poortere E.P., Shayegan M. Highly Anisotropic g-Factor ofTwo-Dimensional Hole Systems. – Phys.Rev.Lett., 2000, v.85, № 21, pp.4574-4577.39. Kiselev A.A., Kim K.W. In-plane light-hole g factor in strained cubic heterostructures. –Phys.Rev.B, 2001, v.64, №12, pp.125303-1 – 125303-7.40. Marie X., Amand T., Jeune P., Paillard M., Renucci P., Golub L. E., Dymnikov V. D., IvchenkoE. L. Hole spin quantum beats in quantum-well structures. – Phys. Rev. B 1999, v. 60, №8, pp.5811-5817.41. Бир Г. Л., Пикус Г. Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. – M.:Наука, 1972. – 584 с.
20542. Datta S., Das B. Electronic analog of the electro-optic modulator.– Appl. Phys. Lett., 1990,v.56, №7, pp.665-667.43. Schliemann J., Carlos Egues J., Loss D. Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor. – Phys. Rev.Lett. 2003, v. 90, №14, pp.146801-1 – 146801-4.44. Kane B.E. A Silicon-based Nuclear Spin Quantum Computer. – Nature, 1998, v.393, № 5, pp.133-137.45. Kane B.E. Silicon-based Quantum Computation. – 2000, E-print arXiv: quant-ph/0003031v1,14 p.46. Kikkawa J.M., Awschalom D.D. Lateral Drag of Spin Coherence in Gallium Arsenide. –Nature,1999, v.397, pp.139-141.47. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. Искусственныеподложки GeSi – достижения и проблемы. - ФТП 2003, т. 37, вып.5, с. 513 - 538.48. Jiang H. W., Yablonovitch E. Gate-Controlled Electron Spin Resonance in GaAs/AlGaAsHeterostructure. – Phys. Rev. B 2001 v. 64, pp.041307-1 – 041307-4.49. Zanardi P., Rossi F. Quantum Information in Semiconductors: Noiseless Encoding in Quantum-Dot Array. – Phys. Rev. Lett., 1998, v.81, №21, pp. 4752-4755.50. Shklyaev A., Shibata M., Ichikava M. Instability of 2D Ge layer near the transition to 3Dislands on Si(111). – Thin Solid Films, 1999, v. 343/344, pp. 532-536.51. Nenashev A. V., Dvurechenskii A. V., Zinovieva A. F. Wave functions and g-factor of holes inGe/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, v. 67, №20, pp. 205301-1 – 205301-1052. Titkov A. N., Safarov V. I., and Lampel G, in Physics of Semiconductors, Proceedings of theFourteenth International Conference, edited by B. L. H. Wilson, IOP Conf. Proc. No. 43(Institute of Physics and Physical Society, London, 1978), p. 1031.53. Schneider P., Kainz J., Ganichev S.D., Bel'kov V.V., Danilov S.N., Glazov M.M., Golub L.E.,Rössler U., Wegscheider W., Weiss D., Schuh D., Prettl W. Spin relaxation times of 2D holes
- Page 1 and 2:
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИ
- Page 3:
Ĥ — гамильтониан э
- Page 6 and 7:
6СОДЕРЖАНИЕВведени
- Page 8 and 9:
8ВВЕДЕНИЕДанная ра
- Page 10 and 11:
10информации при ра
- Page 12 and 13:
123) Полученные врем
- Page 14 and 15:
14ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУР
- Page 16 and 17:
16Спин-орбитальное
- Page 18 and 19:
18величина g-фактора
- Page 20 and 21:
1.2. Предложения по и
- Page 22 and 23:
22Наиболее интересн
- Page 24 and 25:
24Модель Кейна. В 1998
- Page 27 and 28:
27неоднородность вн
- Page 29 and 30:
29десятки нанометро
- Page 31 and 32:
31экспериментальны
- Page 33 and 34:
33Рис. 1.3.1. Схематиче
- Page 35 and 36:
35что для свободных
- Page 37 and 38:
37концентрации n s ~10
- Page 39 and 40:
39упорядоченную сис
- Page 41 and 42:
41ГЛАВА 2. G-ФАКТОР ДЫ
- Page 43 and 44:
43Состояния в квант
- Page 45 and 46:
45сопоставлении пол
- Page 47 and 48:
47эрмитовости гамил
- Page 49 and 50:
492 2 6 2 6 10 2атом герма
- Page 51 and 52:
51спин-орбитального
- Page 53 and 54:
53ŝ , удовлетворяюща
- Page 55 and 56:
55Таблица 2.2.1. Парам
- Page 57 and 58:
57Количественную ха
- Page 59 and 60:
59где( ψ ˆ µ ψ ψ ˆ µ ψ (
- Page 61 and 62:
61представлениями,
- Page 63 and 64:
63P ˆ ˆ ˆ ˆ .2 2 2 3где = (
- Page 65 and 66:
Слагаемое65−2s ˆ в п
- Page 67 and 68:
67С другой стороны,
- Page 69 and 70:
692.4. g-фактор дырок в
- Page 71 and 72:
71Рис.2.41. Изменение
- Page 73 and 74:
73Таблица 2.4.1. Списо
- Page 75 and 76:
75J = 3/ 2, J z= ± 3/ 2 соотв
- Page 77 and 78:
77вклад состояния |3/
- Page 79 and 80:
79J z =±3/2J z =±1/2dps∆E0∆E1
- Page 81 and 82:
81разброса g-факторо
- Page 83 and 84:
83Сначала рассмотри
- Page 85 and 86:
85Все остальные воз
- Page 87 and 88:
87Отсюда видно, что
- Page 89 and 90:
89вариации внутренн
- Page 91 and 92:
91ГЛАВА 3. СПИНОВАЯ Р
- Page 93 and 94:
93a)dб)в)zxРис.3.2.1. а) сх
- Page 95 and 96:
95E4I ↑↓4I +−−πd−π 2d0
- Page 97 and 98:
97Приведем логическ
- Page 99 and 100:
99зависимости интег
- Page 101 and 102:
101Вероятность тунн
- Page 103 and 104:
103Как было уже отме
- Page 105 and 106:
105плоскости роста)
- Page 107 and 108:
107При туннелирован
- Page 109 and 110:
109(a)(б)(в)(г)zxРис. 3.2.10:
- Page 111 and 112:
111точки. Для размер
- Page 113 and 114:
113Рассмотрим подро
- Page 115 and 116:
115s3/2〉 |1/2〉dОсновное
- Page 117 and 118:
117где величина2 12ij2D
- Page 119 and 120:
1192πf H ( ω ) j j H ( ω ) i∑
- Page 121 and 122:
121Таким образом, вр
- Page 123 and 124:
1233.4. СПИНОВЫЙ ТРАНС
- Page 125 and 126:
125Существуют две во
- Page 127 and 128:
127где коэффициент т
- Page 129 and 130:
129оптимальной энер
- Page 131 and 132:
13110 -510 -6I(d), эВ10 -710 -810
- Page 133 and 134:
133610(a)105T=20K410Скорост
- Page 135 and 136:
1350 50 100 150 200 250Пройде
- Page 137 and 138:
137ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3Ис
- Page 139 and 140:
139Данные противоре
- Page 141 and 142:
141Энергия Energy (эВ) (eV
- Page 143 and 144:
143(a)Si,Si, 3нм5нм Si,3нмn-S
- Page 145 and 146:
145усиления сигнала,
- Page 147 and 148:
147θ = 90ºЭПР-сигналθ =
- Page 149 and 150:
149Были проведены ис
- Page 151 and 152:
151Рис.4.2.5. Профили к
- Page 153 and 154: 153Вершина КТ2.4Ge Si Ge 0
- Page 155 and 156: 155взаимодействияa ~2
- Page 157 and 158: 157существование эф
- Page 159 and 160: 159линии в изотопно-
- Page 161 and 162: 161ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТ
- Page 163 and 164: 163ПРИЛОЖЕНИЕ АСпин
- Page 165 and 166: 165квантовая точка в
- Page 167 and 168: 167141210864200 2 4 6 8 10 12 14Р
- Page 169 and 170: 169типичном массиве
- Page 171 and 172: 171постоянных решет
- Page 173 and 174: 173указывает направ
- Page 175 and 176: 1752h+ 2 − −∗ 22m az( ψi, j,
- Page 177 and 178: 177электрона в облас
- Page 179 and 180: 179матричные элемен
- Page 181 and 182: 181В Таблице Б.1 прив
- Page 183 and 184: 183Таблица Б.2. Сравн
- Page 185 and 186: 1854 1z z t tδ g ⊥= Re 〈∆1 |
- Page 187 and 188: 187( δ g ) 〈∆ | h | ∆ 〉Ge
- Page 189 and 190: 189ty∆1py∆5− 0.09Здесь
- Page 191 and 192: 191ΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓΓl1
- Page 193 and 194: 193px=⎛ 0 0 0 0 0 T10 0 0 0 0 0 0
- Page 195 and 196: 195hy⎛ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
- Page 197 and 198: 197ЗАКЛЮЧЕНИЕРабота
- Page 199 and 200: 199"New developments in nanostructu
- Page 201 and 202: 201ЛИТЕРАТУРА1. Zutic I.,
- Page 203: 20319. Patane A., Levin A., Main P.
- Page 207 and 208: 207structures by electron paramagne
- Page 209 and 210: 20985. Альтшулер С. А.,
- Page 211: 211107. Fu Y., Willander M., Ivchen