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Apresentação - LFS - USP

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Escola Politécnica da Universidade de São Paulo<br />

Departamento de Engenharia Mecânica<br />

Laboratório de Fenômenos de Superfícies<br />

Cálculo de Tensões Residuais<br />

em Filmes Finos Através de<br />

Difração de Raios-X com<br />

Ângulo de incidência Rasante<br />

Carlos Eduardo Keutenedjian Mady<br />

Dra. Adriana Gómez Gómez<br />

Prof. Dr. Roberto Martins de Souza<br />

Prof. Dr. Deniol Katsuki Tanaka


Sumário<br />

Objetivos<br />

Introdução<br />

Filmes finos<br />

Medições de propriedades mecânicas<br />

Deposição dos filmes<br />

Tensões residuais<br />

Ensaio de difração de raios-X<br />

Difração de raios-X com ângulo de incidência<br />

rasante<br />

Cálculo de tensões residuais<br />

Resultados<br />

Conclusões


Objetivos<br />

Cálculo de tensões residuais em filmes de<br />

TiN;<br />

Variação dos parâmetros de deposição:<br />

Diferença de potencial (bias) aplicado ao<br />

substrato;<br />

Tempo de deposição;<br />

Obter, portanto, filmes com diferentes níveis<br />

de tensões residuais.


Filmes Finos<br />

<br />

<br />

<br />

Processo de fabricação: PVD (physical vapour deposition);<br />

Espessura geralmente inferior a 10 µm;<br />

Aplicações:<br />

revestimentos de ferramentas;<br />

camada de proteção;<br />

componentes utilizados em altas temperaturas;<br />

Revestimento de anéis de pistão.<br />

TiN<br />

Figura 1. MEV da<br />

interface filme/substrato


Medições de Propriedades Mecânicas<br />

Métodos:<br />

Indentação;<br />

Ensaio de Tração;<br />

DRX.<br />

Figura 2. difratômetro Rigaku Ultima+ (IF-<br />

<strong>USP</strong>)


Deposição dos Filmes<br />

Variante do processo PVD: triodo magnetron<br />

sputtering desbalanceado;<br />

<br />

Foram produzidas oito amostras com diferentes<br />

parâmetros de deposição.<br />

Tabela 1. Tabela com os parâmetros de deposição


Tensões Residuais<br />

Definição: “tensões internas existentes, em um corpo<br />

que não está sujeito a ação de forças externas” (Mura,<br />

1982);<br />

tensões intrínsecas (σ i<br />

): Surgem durante o crescimento<br />

do filme. Geralmente surgem devido a defeitos<br />

incorporados a estrutura do filmes. São tensões<br />

compressivas;<br />

Tensões extrínsecas (σ e<br />

): Surgem depois do<br />

crescimento do filme. Principal causa são os efeitos<br />

térmicos surgidos devido a diferença entre os<br />

coeficientes de expansão térmica do filme e substrato;<br />

As tensões residuais em filmes, resultam da<br />

contribuição das tensões intrínsecas e extrínsecas.<br />

σ = σ + σ<br />

res<br />

i<br />

e


Ensaio de Difração de Raios-X<br />

Lei de Bragg<br />

2.<br />

d . sen(<br />

θ ) = m.λ<br />

Sendo:<br />

d: distância interplanar;<br />

Figura 3. Arranjo Atômico da Difração de Raios-X<br />

http://www.if.ufrgs.br<br />

θ: ângulo de incidência ou ângulo de difração;<br />

λ: comprimento de onda<br />

m: ordem de difração


Difração de Raios-X com Ângulo de<br />

Incidência Rasante<br />

<br />

A incidência com ângulo rasante (α fixo) tem como<br />

intuito uma menor interferência do substrato;<br />

Figura 4. Esquema representativo de uma<br />

difração de raios-X com ângulo rasante<br />

(Welzel, et al., 2005)<br />

Figura 5. Gráfico dos picos de difração e<br />

respectivos planos (hkl)


Condições do Ensaio de Difração<br />

<br />

<br />

<br />

Radiação: CuKα (comprimento de onda 1,54178 Å);<br />

Ângulos de incidência:<br />

2,5 o para as amostras de espessura 1,5 µm e 3,5, 4,5;<br />

3,5, 4,5 e 6 o para as amostras de espessura 1,1, 1,9 e<br />

2,6 µm respectivamente;<br />

Cálculo do ângulo de incidência rasante, teve o<br />

objetivo de atingir aproximadamente metade da<br />

espessura do filme;<br />

τ =<br />

sinα<br />

⋅ sin(2θ<br />

− α)<br />

µ .(sinα<br />

+ sin(2θ<br />

− α))<br />

<br />

Onde µ é o coeficiente linear de absorção do TiN.<br />

10


Cálculo das Tensões Residuais<br />

d<br />

=<br />

h<br />

2<br />

a<br />

+ k<br />

2<br />

+ l<br />

2<br />

a = a . 0<br />

+ a0 σ.<br />

f ( ψ )<br />

ψ<br />

1<br />

= ψ<br />

2<br />

hkl 2<br />

hkl<br />

f ( ) . S<br />

2<br />

. sen ( ) + 2.<br />

S1<br />

Figura 6. Gráfico de a em função de f(ψ)<br />

a: parâmetro de rede;<br />

(hkl): índices de Miller;<br />

S1 e S2 constantes elástica dependentes de E e υ;<br />

σ tensão residual;


Resultados<br />

<br />

Houve um aumento da tensão residual de compressão<br />

com o aumento do bias aplicado no substrato;<br />

Figura 7. Gráfico da tensão residual em<br />

função do bias<br />

Figura 8. Variação da tensão<br />

residual pelo bias encontrada na<br />

literatura (Benegra, 2005)


Resultados<br />

<br />

Houve um aumento da tensão residual de compressão com o<br />

aumento da espessura;<br />

Figura 10.<br />

Gráfico<br />

encontrado na<br />

literatura<br />

(Chou, 2000)<br />

Figura 9. Gráfico da tensão residual pela<br />

espessura<br />

Figura 11. Gráfico<br />

encontrado na<br />

literatura (Janssen,<br />

2007)


Conclusões<br />

O incremento do bias durante o processo de<br />

deposição do filme produz um aumento nos<br />

níveis de tensão residual de compressão.<br />

O acréscimo do tempo de deposição do filme<br />

acarreta em uma elevação dos valores de tensão<br />

residual de compressão.<br />

É possível notar que a variação da tensão<br />

residual pelo bias e espessura converge para um<br />

valor, que é aproximadamente -12 GPa e -6 GPa<br />

respectivamente.


Agradecimentos<br />

FAPESP processo de N o 2007/04731-9.

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