Catalisadores a Base de SrSnO3 puros e Dopados com N-2+ não ...

em torno de 600 nm, que são atribuídas a Ni 2+ em um sítio octaédrico deacordo com Sorli et al. (2004) e Dondi et al. (2006), conforme a Tabela 6.Tabela 6 - Transições eletrônicas observadas para o NiO 6 .Região (nm) Transições permitidas370-550500-900800-14003 A 2g 3 T 1g3 A 2g 3 T 1g3 A 2g 3 T 2gA análise dos resultados do UV-visível, utilizando o método de Wood eTauc (1972), permite que se obtenha o “gap” ótico, onde este é calculado apartir dos dados da região de maior energia e assim avaliar a influência dodopante na ordem-desordem do sistema, partindo dos cálculos de energia do“gap”.O estanato de estrôncio é um semicondutor com um band gap entre 3,0e 4,0 eV (LIU et al., 2011; MIZOGUCHI et al., 2004). O “gap” das amostrascalcinadas a 800 ºC encontram-se na Tabela 7 e desses valores encontrados,percebe-se que o valor experimental do sistema SrSnO 3 puro está de acordocom a literatura.Vale lembrar que a presença de fases secundárias no material (SrCO 3 )influencia diretamente no cálculo do “gap” de energia.Tabela 7 - Energia do “gap” calculado para o SrSnO 3 puro e dopado.Amostras calcinadas a 800 ºCGap experimental (eV)SrSnO 3 3,7Sr 0,9 SnNi 0,1 O 3 2,4SrSn 0,9 Ni 0,1 O 3 2,9Sr 0,95 Sn 0,95 Ni 0,1 O 3 2,4As distorções na rede do material podem ser causadas pelos defeitos,que podem ser gerados por dopantes e, estes podem gerar níveisintermediários na região do “gap” e facilitar a transição dos elétrons, reduzindo42