VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
- No tags were found...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Şekil 3-2: Eleman geometrisinin geçen yıllardaki değişimi<br />
Tümdevre yapımında temel eleman silisyumdur ve yarı iletkendir.<br />
Diğer yarı iletkenler: Si, GaAs, Ge olarak sayılabilir. Günümüzde<br />
tümdevre-mikroelektronik teknolojisinde yaygın kullanılan<br />
yarıiletken silisyumdur. Germanyum terkedilmiştir. Galyum arsenit<br />
ise çoğunlukla optik ve RF uygulamalar için kullanılan bir<br />
yarıiletkendir. Günümüzde GaAs RF-VLSI devre tasarımında<br />
kullanılmaktadır.<br />
3.2. Yarıiletken davranışı<br />
Yarı iletken elektroniğine göre iletim, enerji-band modeli ile<br />
açıklanmaktadır. Yarı iletken elektroniğine gore üç band<br />
tanımlanmaktadır . Valans band, iletim bandı ve yasak band.<br />
Elementlerin iletkenlikleri buna göre sınıflandırılmaktadır. Valans<br />
bantta elementlerin değerlik elektronları bulunmaktadır. Enerji-<br />
Band modeline göre elementin iletkenliğinin şematik gösterimi<br />
Şekil 3-3’ te verilmiştir.<br />
Yasak band: Bir valans elektronunun serbest elektron haline<br />
geçmesi için gerekli olan enerji, yasak band enerjisi(Eg) olarak<br />
10