VSLI TasarÄ±m NotlarÄ±.pdf - 320Volt

More documents

Recommendations

Info

1.Kesimde: 0< V GS -V TO , I D =0. 2.Doymasız bölgede: V DS >V GS -V TO ⎡ 1 ⎤ I DS = β ⎢ VGS − VTO − VDS VDS ⎣ 2 ⎥ (5-20) ⎦ 3. Doymalı bölgede: V DS
V TO Q Q BO OX = Φ GC − 2 Φ F − − (5-22) COX COX Burada; Φ F →Tabanın Fermi seviyesi(NMOS’ ta negatif, PMOS’ ta pozitif) Q BO →gövdenin birim alan başına fakirleşmiş bölge yükü(NMOS’ ta negatif, PMOS’ ta pozitif) Q ox →Si-SiO 2 arayüzey yükleri C ox →birim alan başına oksit kapasitesi olarak tanımlanır. Burada yapılan analizler n-kanal için yapılacaktır, ancak küçük değişimlerle p-kanal için de bulunabilir. Eşik gerilimi hesaplamaları için gereken Đlk bileşen, MOS sistemin oluşturduğu geçit ve kanal arasındaki iş fonksiyonudur. Geçit metaline bağlı olarak aşağıdaki gibi ifade edilebilir. Altın gümüş gibi farıklı bir metal veya polisilisyum olabilir. Φ GC = Φ F (katkı) – Φ M Φ GC =Φ F (katkı) – Φ F (geçit) metal geçit için polisilisyum geçit için Eşik gerilimine yüzey potansiyelinin etkisi 2. bileşendir. Yüzey potansiyeli –2Φ F ile değişir ki bu fermi potansiyeli olarak anılır. p- tipi ve n-tipi yapılar için farklıdır. Fermi potansiyeli p-tipi yarıiletken için ; kT ln n Φ i F = (5-23) q N A Fermi potansiyeli n-tipi yarıiletken için ; kT N D Φ F = ln (5-24) q ni bulunur. 3. bileşen olarak boşaltılmış bölge yük yoğunluğu kaynak-taban gerilimi sıfır olduğu durumda Q BO − 2.qN AεSi. − 2 = Φ (5-25) F 39
Page 1 and 2: BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN T
Page 3 and 4: 5.3.2. Gövde Parametresi(Taban kut
Page 5 and 6: 1. GĐRĐŞ Tümdevre teknolojisi k
Page 7 and 8: (b) (c) Şekil 2-1: Tümdevre üret
Page 9 and 10: Şekil 3-1: Silisyum pul üzerinde
Page 11 and 12: tanımlanır. Yasak band enerjisini
Page 13 and 14: Şekil 3-5 : Fosfor katkılı Si kr
Page 15 and 16: n i σ = q ( µ n N D + µ p ) yaz
Page 17 and 18: Şekil 4-1 : Silisyumun borla difuz
Page 19 and 20: olarak yazılır. Birimi Ω/€ ohm
Page 21 and 22: Şekil 4-4 : Lokal oksitleme işlem
Page 23 and 24: vardır. Bu tekniğin temelinde ele
Page 25 and 26: Şekil 4-6: SiO 2 üzerinde pencere
Page 27 and 28: Şekil 5-1: Kanal oluşturmalı N-M
Page 29 and 30: a) b) 29
Page 31 and 32: Đnce oksitin üzerine polisilisyum
Page 33 and 34: Kanal Boyu: Kanalın kaynak-savak a
Page 35 and 36: E g VDS (VGS − VTO ) − = 2 (5-7
Page 37: Şekil 5-7: n-kanallı MOS tranzist
Page 41 and 42: V T TO ( − 2Φ F + VSB − Φ F )
Page 43 and 44: 5.3.4. MOS Tranzistörün Geçiş
Page 45 and 46: Şekil 5-9: Kapasitelerin fiziksel
Page 47 and 48: X d 2. εSi N A + N D = .( Φ 0 −
Page 49 and 50: I sat n 2 D ( ) = β ( GS − T ) (
Page 51 and 52: (b) Şekil 5-14: (a) test deveresi
Page 53 and 54: kullanılır. Oluşturulan polisili
Page 55 and 56: (a.2) 55
Page 57 and 58: (c) 57
Page 59 and 60: (e) 59
Page 61 and 62: (g) Şekil 5-16: CMOS evirici tasar
Page 63 and 64: Lambda-tabanlı serim tasarım kura
Page 65 and 66: Şekil 6-1: MOSIS tasarım kurallar
Page 67 and 68: Şekil 6-2 : Transistör için mini
Page 69 and 70: Şekil 6-3 : nMOS ve pMOS arasında
Page 71 and 72: Şekil 6-4: Standart NMOS evirici d
Page 73 and 74: V L 2 ( −VTL ) = β / β D L V DD
Page 75 and 76: 0). CMOS eviricinin Şekil 6.7’ d
Page 77 and 78: 7.1. Jonksiyon Đzolasyonlu Bipolar
Page 79 and 80: (c) (d) (e) (f) Şekil 7-1: Jonksiy
Page 81 and 82: Şekil 7-2: Standart JIBT’ de kat
Page 83 and 84: Şekil 7-3: npn transistörün dü
Page 85 and 86: ψ 0 :Jonksiyona dışardan bir etk
Page 87 and 88: Sebebi baz kontağının aktif baz
Page 89 and 90:
Şekil 7-7: npn transistor için ba
Page 91 and 92:
T:Bölgenin kalınlığı Bu modeli
Page 94 and 95:
Şekil 7-11: Taban pnp yapısının
Page 96 and 97:
R €= 1 qµ NT (7-19) Bağıntıs
Page 98 and 99:
Şekil 7-14: npn ve pnp tranzistör
Page 100 and 101:
• Ses ve Video Đle Đlgili devre
Page 102 and 103:
Tranzistörlerin baz akımları ihm
Page 104 and 105:
dosyalarından takip edilmek zorund
Page 106 and 107:
.ends subname Örnek: .SUBCKT OPAMP
Page 108 and 109:
COSC 17 23 10U IC=3V Yarıiletken k
Page 110 and 111:
parametre Varsayılan değer Birim
Page 112 and 113:
Tablo 8.7: Diyot model parametreler
Page 114 and 115:
capacitance 20 VJE B-E built-in pot
Page 116 and 117:
7 RD drain ohmic resistance 0.0 1.0
Page 118 and 119:
Şekil: Alçak Geçiren Süzgeç Sp
Page 120 and 121:
.DC VCE 0 10 .25 IB 0 10U 1U MOS tr
Page 122 and 123:
Şekil: RLC devresinde direnç üze
Page 124 and 125:
.NOISE V(5,3) V1 OCT 8 100 10kHz Si
Page 126 and 127:
serimler bilgisayar programlarıyla
Page 128 and 129:
.MODEL PMOD PMOS parametreleri kull
Page 130 and 131:
Doğruluk Tablosu: F Çıkışı H
Page 132 and 133:
NAND Kapısı Maskeleri: Şekil.1:C
Page 134 and 135:
3.N+ difüzyonu 134
Page 136 and 137:
5.Kontaklar 136
Page 138 and 139:
Şekil.3:CMOS NOR Kapısı yapılar
Page 140 and 141:
2.Geçit bölgesinin oluşturulmas
Page 142 and 143:
4.P+ difüzyonu 142
Page 144 and 145:
6. Metalizasyon ve bağlantılar T
Page 146 and 147:
10. SORULAR 1. Bir tümdevre direnc
Page 148 and 149:
B A A ’ Active Polysilic on Metal
Page 150 and 151:
Vgs=3V Vgs=2V Vgs=1V Şekil. 2: PMO
Page 152 and 153:
15. Bir CMOS eviricide K p =µ p C
Page 154 and 155:
derinliği 2 µ m olduğuna göre t
Page 156 and 157:
direnci 50 ohm olduğuna göre böl
Page 158:
7. P.Antapnetti, Gossobrio, Semicon
show all

VSLI TasarÄ±m NotlarÄ±.pdf - 320Volt

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?