VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt

MOS transistorün kanal boyunu L olarak tanımlamıştık. Đstenen
devrenin tasarımı yapıldıktan sonra çizilen boyu L’ dir. Proses
sırasında kaynak-savak difüzyonu sırasında bir miktar istenmeyen
yan difüzyonlar olacağından kanal boyunda 2L yan dif. kadar bir
kısılma olacaktır. Bu durumdaki kanal boyu metalurjik kanal boyu
olarak tanımlanır. Lineer bölgedeki hesaplarda L met kullanılır.
Metalurjik kanal uzunluğu = L met = Polisilisyum geçit uzunluğukaynak-savak
yan difüzyonları şeklinde yazılabilir.
L met =L tasarlanan -2L yan dif.
Doymalı çalışmada ise kanalın savak ucunda X D kadar fakirleşmiş
bölge oluşur. Kanalın boyu X D kadar daha kısalmış olur. Bu
durumdaki kanal boyuna efektif kanal boyu denir.
Leff= L tasarlanan -2L yan dif. -X D (5-34)
Efektif kanal boyuna göre tranzsitörün kazancı değişir. Kanal
kısılması,
X
D
=
2ε
( V −V
DS
qN
A
DSsat
)
(5-35)
2I
D
V
DSAT
=
(5-36)
β
Bağıntılarıyla hesaplanabilir.
42