VSLI TasarÄ±m NotlarÄ±.pdf - 320Volt

More documents

Recommendations

Info

3.3. Has Silisyum Đntrinsik silisyum da denir. Đçine katkı atomu ilave edilmemiş silisyumdur. Oda sıcaklığında has silisyumun katkı yoğunluğu n i =p i =1.5x10 10 atom/cm 3 dür. Burada n, elektronları ve p de delikleri göstermektedir. Katkılanmamış yarıiletkende delik ve elektron sayısı birbirine eşittir. Şekil 3-4’ te katkılanmamış silisyum kristalinin elektron düzeni görülmektedir. Değerlik elektronu +4 olan Si atomları birbirine kovalent bağ ile bağlıdır. Şekil 3-4 : Katkılanmamış Silisyum kristali 3.4. Silisyumun Katkılaması Silisyumu iletken kılmak için yabancı atom ilavesi işlemine katkılama(doping), katkı atomuna ise impurty denir. Katkılama sonucunda yarıiletken üzerinde bir jonksiyon oluşturulmuş olur. a) n-tipi Si oluşturmak için genelde +5 değerlikli atom ilave edilir. Örneğin fosfor (P) ilavesi ile yapı elektronca zengin hale getirilir. Şekil 3-5’ de fosfor katkılı Si kristalinin elektron yapısı görülmektedir. Değerlik elektronu +5 olan fosfor değerlik elektronu +4 olan Si ile 4 kovalent bağ yapar. 5. elektron serbest olarak yapıda dolaşır ve bir elektron fazlalığa sebep olur. 12
Şekil 3-5 : Fosfor katkılı Si kristali b) p-tipi katkılama: +3 değerlikli atom Si içine katılarak deliklerce zengin hale getirilir. Katkılama işlemi sonucunda bir jonksiyon oluşur. Sekil 3-6’ da ise bor katkılı Si kristali görülmektedir. B ile Si ortaklaşa 3 kovalent bağ yaparlar. 4. kovalent bağda bir açıklık kalır. Bu da yapıda delik fazlalığına neden olur. Şekil 3-6 : Bor katkılı Si kristali 13
Page 1 and 2: BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN T
Page 3 and 4: 5.3.2. Gövde Parametresi(Taban kut
Page 5 and 6: 1. GĐRĐŞ Tümdevre teknolojisi k
Page 7 and 8: (b) (c) Şekil 2-1: Tümdevre üret
Page 9 and 10: Şekil 3-1: Silisyum pul üzerinde
Page 11: tanımlanır. Yasak band enerjisini
Page 15 and 16: n i σ = q ( µ n N D + µ p ) yaz
Page 17 and 18: Şekil 4-1 : Silisyumun borla difuz
Page 19 and 20: olarak yazılır. Birimi Ω/€ ohm
Page 21 and 22: Şekil 4-4 : Lokal oksitleme işlem
Page 23 and 24: vardır. Bu tekniğin temelinde ele
Page 25 and 26: Şekil 4-6: SiO 2 üzerinde pencere
Page 27 and 28: Şekil 5-1: Kanal oluşturmalı N-M
Page 29 and 30: a) b) 29
Page 31 and 32: Đnce oksitin üzerine polisilisyum
Page 33 and 34: Kanal Boyu: Kanalın kaynak-savak a
Page 35 and 36: E g VDS (VGS − VTO ) − = 2 (5-7
Page 37 and 38: Şekil 5-7: n-kanallı MOS tranzist
Page 39 and 40: V TO Q Q BO OX = Φ GC − 2 Φ F
Page 41 and 42: V T TO ( − 2Φ F + VSB − Φ F )
Page 43 and 44: 5.3.4. MOS Tranzistörün Geçiş
Page 45 and 46: Şekil 5-9: Kapasitelerin fiziksel
Page 47 and 48: X d 2. εSi N A + N D = .( Φ 0 −
Page 49 and 50: I sat n 2 D ( ) = β ( GS − T ) (
Page 51 and 52: (b) Şekil 5-14: (a) test deveresi
Page 53 and 54: kullanılır. Oluşturulan polisili
Page 55 and 56: (a.2) 55
Page 57 and 58: (c) 57
Page 59 and 60: (e) 59
Page 61 and 62: (g) Şekil 5-16: CMOS evirici tasar
Page 63 and 64:
Lambda-tabanlı serim tasarım kura
Page 65 and 66:
Şekil 6-1: MOSIS tasarım kurallar
Page 67 and 68:
Şekil 6-2 : Transistör için mini
Page 69 and 70:
Şekil 6-3 : nMOS ve pMOS arasında
Page 71 and 72:
Şekil 6-4: Standart NMOS evirici d
Page 73 and 74:
V L 2 ( −VTL ) = β / β D L V DD
Page 75 and 76:
0). CMOS eviricinin Şekil 6.7’ d
Page 77 and 78:
7.1. Jonksiyon Đzolasyonlu Bipolar
Page 79 and 80:
(c) (d) (e) (f) Şekil 7-1: Jonksiy
Page 81 and 82:
Şekil 7-2: Standart JIBT’ de kat
Page 83 and 84:
Şekil 7-3: npn transistörün dü
Page 85 and 86:
ψ 0 :Jonksiyona dışardan bir etk
Page 87 and 88:
Sebebi baz kontağının aktif baz
Page 89 and 90:
Şekil 7-7: npn transistor için ba
Page 91 and 92:
T:Bölgenin kalınlığı Bu modeli
Page 94 and 95:
Şekil 7-11: Taban pnp yapısının
Page 96 and 97:
R €= 1 qµ NT (7-19) Bağıntıs
Page 98 and 99:
Şekil 7-14: npn ve pnp tranzistör
Page 100 and 101:
• Ses ve Video Đle Đlgili devre
Page 102 and 103:
Tranzistörlerin baz akımları ihm
Page 104 and 105:
dosyalarından takip edilmek zorund
Page 106 and 107:
.ends subname Örnek: .SUBCKT OPAMP
Page 108 and 109:
COSC 17 23 10U IC=3V Yarıiletken k
Page 110 and 111:
parametre Varsayılan değer Birim
Page 112 and 113:
Tablo 8.7: Diyot model parametreler
Page 114 and 115:
capacitance 20 VJE B-E built-in pot
Page 116 and 117:
7 RD drain ohmic resistance 0.0 1.0
Page 118 and 119:
Şekil: Alçak Geçiren Süzgeç Sp
Page 120 and 121:
.DC VCE 0 10 .25 IB 0 10U 1U MOS tr
Page 122 and 123:
Şekil: RLC devresinde direnç üze
Page 124 and 125:
.NOISE V(5,3) V1 OCT 8 100 10kHz Si
Page 126 and 127:
serimler bilgisayar programlarıyla
Page 128 and 129:
.MODEL PMOD PMOS parametreleri kull
Page 130 and 131:
Doğruluk Tablosu: F Çıkışı H
Page 132 and 133:
NAND Kapısı Maskeleri: Şekil.1:C
Page 134 and 135:
3.N+ difüzyonu 134
Page 136 and 137:
5.Kontaklar 136
Page 138 and 139:
Şekil.3:CMOS NOR Kapısı yapılar
Page 140 and 141:
2.Geçit bölgesinin oluşturulmas
Page 142 and 143:
4.P+ difüzyonu 142
Page 144 and 145:
6. Metalizasyon ve bağlantılar T
Page 146 and 147:
10. SORULAR 1. Bir tümdevre direnc
Page 148 and 149:
B A A ’ Active Polysilic on Metal
Page 150 and 151:
Vgs=3V Vgs=2V Vgs=1V Şekil. 2: PMO
Page 152 and 153:
15. Bir CMOS eviricide K p =µ p C
Page 154 and 155:
derinliği 2 µ m olduğuna göre t
Page 156 and 157:
direnci 50 ohm olduğuna göre böl
Page 158:
7. P.Antapnetti, Gossobrio, Semicon
show all

VSLI TasarÄ±m NotlarÄ±.pdf - 320Volt

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?