VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt

Şekil 5-4: Kanal oluşturmalı transistörün çalışma bölgeleri
c)
a) Kanal oluşumu şartı V GS ≥V TO olduğu durumdur.
Uygulanan V GS gerilimi eşik gerilimine ulaşınca kanal oluşur ve
akım akmaya başlar.
b) Doymasız bölgede çalışma
V DS ≤ V GS -V TO Doymasız bölgede çalışma şartı
V DS gerilimi artırılırsa savak akımı artar.
c) Doymalı bölgede çalışma
V DS ≥V GS -V TO Doymalı bölgede çalışma şartı
Akımın geçit gerilimi ile kontrol edildiği çalışma bölgesidir. V GS
gerilimi arttıkça savak akımı artar. Belli bir değerden sonra
tranzistor kanalında bir kısılma oluşur. Bu durum çalışma şartlarını
değiştirir.
5.1.3. N-Kanallı MOS Transistor Üretim Süreci
Polisilisyum geçitli n-kanallı MOS tranzistörün üretimi p-tipi
silisyum yüzeyinde 1. maske kullanılarak silisyumdioksit büyüterek
başlar. Buna alan oksiti denir. Alan oksitinin oluşturulmasıo
Alan oksiti üzerinde oksit maskesi kullanılarak transistor yapılacak
alan belirlenir. Daha sonra MOS tranzistörün geçitini oluşturacak
yüksek kalitede ince bir oksit büyütülür.
30