VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
VSLI Tasarım Notları.pdf - 320Volt
- No tags were found...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
TÜMDEVRE TASARIM ĐLKELERĐ<br />
1.GĐRĐŞ<br />
2.TÜMDEVRE TASARIMI VE ÜRETĐMĐ AŞAMALARI<br />
2.1. Maske Üretim Aşaması<br />
2.2. Üretilen Maskelerin Silisyuma Uygulanması<br />
2.3. Test ve Paketleme<br />
3. SILISYUMUN ELEKTRIKSEL ÖZELLIĞI<br />
3.1. VLSI ’ da temel yapıtaşı : Silisyum<br />
3.2. Yarıiletken davranışı<br />
3.3. Has Silisyum<br />
3.4. Silisyumun Katkılaması<br />
3.5. Katkılanmış silisyumun iletkenliği<br />
4. TÜMDEVRE ÜRETĐMĐNDE KULLANILAN TEMEL PROSES<br />
ADIMLARI<br />
4.1. Difüzyon<br />
4.1.1. Difüzyon Tabakasının Elektriksel Özelliği<br />
4.2. Termal Oksitleme<br />
4.3. Polisilisyum Oluşturma<br />
4.4. Đyon Ekme(Đmplantasyon)<br />
4.5. Epitaksi<br />
4.6. Litografi<br />
5. MOS TÜMDEVRELER<br />
5.1. Temel MOS Yapıları<br />
5.1.1. Temel MOS Tranzistörleri<br />
5.1.1.1. Kanal Oluşturmalı N-MOS(E-NMOS)<br />
5.1.1.2. Kanal Ayarlamalı NMOS(D-NMOS)<br />
5.1.1.3. Kanal Oluşturmalı PMOS(E-PMOS)<br />
5.1.2. Kanal Oluşturmalı N-MOS Tranzistörün Çalışma<br />
Bölgeleri<br />
5.1.3. N-Kanallı MOS Transistor Üretim Süreci(teknolojisi)<br />
5.2. MOS Tümdevrelerin Temel Elektriksel Özellikleri<br />
5.2.1. N-Kanallı MOS tranzistörün akım ifadesinin çıkarılışı<br />
5.2.2. N-Kanallı tranzistörün akım-gerilim ilişkisi<br />
5.3. MOS Tranzistörlerde Model Parametreleri<br />
5.3.1. Eşik Gerilimi(V TO )<br />
2