SL

2. reaktorji za nanašanje kovin s kemičnim naparjevanjem (MOCVD), izdelani
posebej za rast kristalov sestavljenih polprevodnikov z uporabo kemične
reakcije med materiali iz točke 3C003 ali 3C004;
3. oprema za epitaksijsko rast z molekularnim snopom, ki uporablja plinske ali
trdne vire.
b. oprema, izdelana za ionsko implantacijo, in ima katero koli od naslednjih
značilnosti:
1. energijo žarka (pospeševalna napetost) več kot 1MeV;
2. posebej izdelana in optimizirana za delovanje pri energiji žarka (pospeševalni
napetosti) manj kot 2 keV
3. zmožnost neposrednega zapisa ali
4. energijožarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za
visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz
polprevodniškega materiala;
c. oprema za suho jedkanje z uporabo anizotropne plazme, ki ima vse naslednje
značilnosti:
1. izdelana ali optimizirana je za proizvodnjo kritičnih dimenzij 65 nm ali manj in
2. neskladnost znotraj rezine je enaka ali manjša od 10 % 3σ, merjeno brez roba
širine 2 mm ali manj;
d. oprema za nanašanje s kemičnim naparjevanjem (CVD) z uporabo plazme:
1. oprema, delujoča na način od kasete do kasete in z uravnavanjem obremenitve, in
je izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v
proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 65 nm ali manj;
2. oprema, posebej narejena za opremo iz točke 3B001(e), in izdelana v skladu s
specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji
polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 65 nm ali manj;
17331/11 ADD 1 JS/ka 229
PRILOGA DGK 2B SL