SL

4. slikovne elektronke in polprevodniške slikovne naprave za uporabo v kamerah
iz točke 6A203(b)(3):
a. cevi za ojačanje slike na majhni razdalji, ki imajo fotokatodo s prozorno
prevodno oblogo, da zmanjšajo površinski upor fotokatode;
b. elektronke za ojačanje z uporabo silicijevega logičnega sklopa (SIT), pri
katerih hitri sistem zagotavlja prehod fotoelektronov iz fotokatode, preden
ti dosežejo ploščo SIT;
c. elektrooptični zaklopi Kerrove ali Pockelsove celice;
d. druge slikovne elektronke in polprevodniške slikovne naprave, ki imajo
čas osvetlitve slik manj kot 50 ns in so posebej izdelane za kamere iz
točke 6A203(b)(3);
c. TV kamere, odporne proti sevanju, in posebej izdelane leče, ki se v njih
uporabljajo, posebej izdelane ali prilagojene na sevanje, tako da so sposobne
delovanja pri dozah nad 50 × 10 3 Gy (silicij) (5 × 10 6 radov (silicij)), ne da bi prišlo
do degradacije delovanja.
Tehnična opomba:
Izraz Gy (silicij) se nanaša na energijo v J/kg, ki jo absorbira nezaščiten vzorec
silicija, izpostavljen ionizirajočemu sevanju.
6A205 "Laserji", "laserski" ojačevalniki in oscilatorji, razen tistih iz točk 0B001(g)(5),
0B001(h)(6) in 6A005:
Opomba: Glede bakrenih parnih laserjev glej točko 6A005(b)
a. Argonovi ionski "laserji", ki imajo obe naslednji značilnosti:
1. delujejo na valovnih dolžinah med 400 nm in 515 nm in
2. njihova povprečna izhodna moč je večja od 40 W;
17331/11 ADD 1 JS/ka 321
PRILOGA DGK 2B SL