logicke obvody.pdf - Ostravská univerzita v Ostravě

Počítačové systémy - logické obvody a systémyPříklad zapojení 8tranzistorové paměťové buňky s tranzistory MOSPaměťovou buňku tvoří bistabilní klopný obvod tvořený čtyřmi tranzistory.Napěťovou úroveň log 1 pro zapojení na obrázku předpokládejme (~ +16 V) apro log 0 (~ 0 V). Předpokládejme, že tranzistor T 1 je otevřen a tranzistor T 2zavřen. Pak na kolektoru tranzistoru T 1 je napěťová úroveň log 1 (~ +16 V) ana kolektoru tranzistoru T 2 je úroveň log 0 (~ 0 V). Tyto napěťové úrovně sepřenesou na hradla (řídící elektrody) obou tranzistorů a stav zůstane zachovánpokud na kolektory tranzistorů T 1 a T 2 se nepřevede zvenčí opačné napětí.Buňka je přes adresovací tranzistory T 5 až T 8 připojena na datovou sběrnici (Da ).Adresovací tranzistory aktivujeme ustavením řádkového A N a sloupcového B Mna napěťovou úroveň log 0 (~ 0 V). V případě, že adresovací tranzistory jsouotevřeny a na sběrnici D přivedeme úroveň log 0 a na úroveň log 1, klopnýobvod se překlopí.Principielní zapojení čtecího a zapisovacího obvodu pro uvedenou paměťovoubuňku je uveden na následujícím obrázku.73