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Praktikum V6 - TUHH

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Technische Universität Hamburg-Harburg<br />

Institut für Mikrosystemtechnik E-007<br />

<strong>Praktikum</strong><br />

<strong>V6</strong><br />

Messung nichtelektrischer Größen<br />

Ort: Gebäube L(DE17) Raum 1039<br />

Kontakt:ong@tuhh.de


Inhaltsverzeichnis<br />

1 Einleitung 2<br />

2 Temperaturmessung 3<br />

2.1 Widerstandsthermometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3<br />

2.2 Thermoelement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4<br />

2.3 Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5<br />

2.4 Versuchsdurchführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6<br />

3 Dehnungsmessung 7<br />

3.1 Dehnungsmessstreifen (DMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7<br />

3.2 Brückenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9<br />

3.3 Versuchsdurchführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11<br />

1


1 Einleitung<br />

In Naturwissenschaft und Technik werden nichtelektrische Größen häufig elektrisch gemessen.<br />

Diese Messtechnik hat gegenüber nichtelektrischen Messanordnungen (z.B. mechanischen) viele<br />

Vorteile.<br />

�Die Messgröße wird durch die Messung kaum beeinflusst.<br />

�Die Messdaten lassen sich leicht weiterverarbeiten.<br />

�Es ist möglich ein Messsystem mit besonders hoher Empfindlichkeit und geringer Trägheit<br />

aufzubauen.<br />

�Man kann mehrere Messgrößen gleichzeitig erfassen, anzeigen, speichern und beliebig<br />

abfragen.<br />

�Unbegrenzte Fernübertragung und Vervielfältigung von Messdaten ist möglich.<br />

�Durch Massenproduktion sind Herstellungskosten in vielen Fällen geringer.<br />

�Elektronische Prozesssteuerung (SPS und andere) ist möglich.<br />

Es gibt zahlreiche physikalische Größen, die mit elektrischen Prinzipien erfasst werden können.<br />

Folgende Tabelle gibt eine nicht vollständige Übersicht.<br />

Elektrisches Prinzip Gemessene<br />

sche Größe<br />

physikali-<br />

Widerstandsänderung Länge, Kraft, Druck, Drehmoment,<br />

Magnetfeld, Licht,<br />

Temperatur, Gaskonzentra-<br />

Änderung der Induktivität<br />

(Spulenabstand,<br />

Kernverschiebung, Dämpfung)<br />

und Kapazität<br />

(Plattenabstand,-größe,<br />

Dielektrikum)<br />

Elektrodynamisches Prinzip<br />

(Magnetfeldänderung, Bewegung)<br />

tion<br />

Länge, Kraft, Druck, Drehzahl<br />

Geschwindigkeit, Drehzahl,<br />

Drehwinkel<br />

Beispiel<br />

Dehnungsmessstreifen, Bimetallstreifen<br />

Beschleunigungssensor<br />

(Airbag), Drehratensensor<br />

(ESP)<br />

Gyroskop<br />

Thermoelektrischer Effekt Temperatur Thermoelement<br />

Piezoelektrischer Effekt Länge, Kraft, Druckände- Piezokristall für Absolutrungdruckmesser<br />

Photoelektrischer Effekt Lichtintensität, Drehzahl, Photowiderstand, Photodi-<br />

Drehwinkel<br />

ode, Phototransistor<br />

2


Man unterscheidet zwei verschiedene Arten von Messfühlern:<br />

Aktive Messfühler Elektrische Größen (Spannung, Strom oder Ladung) werden durch Energieumformung<br />

aus mechanischer, thermischer, optischer oder chemischer Energie gewonnen.<br />

Der Messfühler wirkt als Generator.<br />

Beispiele:<br />

�Thermoelemente (Spannung)<br />

�Piezoelektrischer Aufnehmer (Ladung)<br />

�Photozellen (Strom)<br />

Passive Messfühler Elektrische Größen (Spannung, Strom, Widerstand, Induktivität, Kapazität)<br />

werden durch mechanische Eingriffe oder physikalische Zusammenhänge beeinflusst.<br />

Der Messfühler wirkt als Verbraucher. Beispiele:<br />

�Dehnungsmessstreifen<br />

�Widerstandsthermometer<br />

�Photowiderstand<br />

2 Temperaturmessung<br />

In diesem Kapitel soll der Einfluss der Temperatur auf das elektrische Verhalten folgender<br />

Messfühler untersucht werden.<br />

1. Widerstandsthermomenter<br />

2. Thermoelement<br />

3. Diode<br />

2.1 Widerstandsthermometer<br />

Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes R von der Temperatur T wird für den hier<br />

verwendeten Temperaturbereich beschrieben durch<br />

R(T) = R0(1 + α(T − T0)) (1)<br />

R0 = R(T0) stellt den spezifischen Widerstand des verwendeten Materials bei der Bezugstemperatur<br />

T0 dar. In diesem Fall beträgt T0=0�C. Genau genommen ist der Temperaturkoeffizient<br />

α nicht konstant über den gesamten Temperaturbereich, sondern verändert sich gemäß<br />

α = ∆R<br />

∆T<br />

3<br />

· 1<br />

R0<br />

(2)


Für den vorliegenden Temperaturbereich ist dies jedoch vernachlässigbar.<br />

Man unterscheidet Widerstandsmaterialien die mit zunehmender Temperatur den Widerstand<br />

vergrößern, PTC-Widerstände Positive Temperature Coefficient und jene die den Widerstand<br />

verringern, NTC-Wiederstände Negative Temperature Coefficient<br />

PTC �Materialien sind Metallschichten und-Drähte, häufig Platin (Pt)<br />

�Die Beweglichkeit der Elektronen nimmt mit steigender Temperatur Aufgrund der<br />

Streuung an stärker schwingenden Ionenrümpfen ab, was in einem höheren Widerstand<br />

resultiert.<br />

�Bezeichnet werden die Widerstände nach ihrem Material mit zugehörigem Widerstand<br />

bei 0�C, beispielsweise Pt-100 für Platin mit R=100Ω bei 0�C.<br />

�Hergestellt werden Temperaturwiderstände in Dünnschichttechnik, als strukturierte<br />

Metallschichten auf Isolatoren oder als Drähte.<br />

NTC �Materialien sind Halbleiter wie dotiertes Silizium oder ionenleitendes Material wie<br />

Keramiken.<br />

�Der Widerstand sinkt mit steigender Temperatur Aufgrund der Zunahme an beweglichen<br />

Ladungsträgern bei Halbleitern oder der höheren Ionenbeweglichkeit.<br />

2.2 Thermoelement<br />

Werden unterschiedliche Metalle miteinander in Kontakt gebracht, so treten je nach Fermi<br />

Energie Elektronen des einen Materials in das Andere über. Es entsteht dadurch eine innere<br />

Kontaktspannung, die erstmals durch Charles Volta untersucht wurde.<br />

Verbindet man unterschiedliche Metalle an zwei Stellen, so entstehen zwei Kontaktspannungen,<br />

die sich gerade aufheben. Sind die Temperaturen der Kontakte unterschiedlich, so entsteht durch<br />

die unterschiedlichen Kontaktspannungen nach Abbildung 1 eine Spannungsdifferenz, die als<br />

Thermospannung UTh gemessen werden kann.<br />

UTh ist ausschließlich von den Materialen sowie der Temperaturdifferenz abhängig. Ein Maß für<br />

die Empfindlichkeit der Thermospannung gegen Temperaturdifferenzen ist gegeben durch die<br />

Thermokraft η<br />

η = dUTh<br />

dT<br />

4<br />

= ∆UTh<br />

∆T<br />

(3)


U<br />

U<br />

Metall2<br />

T = T<br />

1 2<br />

Metall1 Metall2<br />

T = T<br />

1 2<br />

T<br />

U Th<br />

Abbildung 1: Entstehung der Thermospannung UTh.<br />

Für gewöhnlich werden Thermoelemente mit Kupferleitungen kontaktiert. Dadurch entstehen<br />

zusätzliche Kontaktspannungen, die sich aber eliminieren, wenn die Kontaktstellen die gleiche<br />

Temperatur haben. Verlängerungen werden dadurch deutlich preiswerter, als durchgängige Leitungen<br />

des Thermoelementmaterials. Gebräuchliche Thermoelementpaare mit ihrer zugehörigen<br />

Thermokraft sind in folgender Tabelle gegeben.<br />

2.3 Diode<br />

Element Thermospannung in µV/K<br />

Kupfer/Konstantan(Cu/CuNi) 42,5<br />

Eisen/Konstantan (TypJ) 53,7<br />

Nickel/Chrom-Nickel (TypK) 41,0<br />

Platin/Rhodium-Platin (Pt/RhPt) 6,43<br />

Bei kleinen Temperaturänderungen und konstantem Strom hängt die Durchflussspannung einer<br />

Diode U linear von der Temperatur ab. Die Steigung dieser U-T-Kennlinie ist spezifisch für<br />

das jeweilige Halbleitermaterial. Mit bekannten Temperaturkoeffizienten kann man also durch<br />

Spannungsmessung Temperaturen bestimmen. Der Temperaturkoeffizient bestimmt sich gemäß<br />

η = dU<br />

dT = −(Eg/e) − U<br />

T<br />

für Silizium ist bei T= 300K Eg/e = 1,1V, sodaß sich für eine typische Flussspannung von<br />

600mV ein Temperaturkoeffizient von η=-1,7mV/K ergibt.<br />

5<br />

T<br />

(4)


2.4 Versuchsdurchführung<br />

1. Für drei Messfühler sind die Temperaturspannungen η = ∆U [mV/K] bzw. [µV/K] zu<br />

∆T<br />

bestimmen.<br />

(a) Metallwiderstand<br />

(b) Thermoelement<br />

(c) Halbleiterdiode<br />

Welche Temperaturabhägigkeit erwarten Sie? Wie bestimmt man beim Widerstand den<br />

Temperaturkoeffizienten α?<br />

2. Der Messbereich von 0�C bis 90�C wird mit einem kalibrierten Pt-100 gemessen, der<br />

von einer Konstantstromquelle mit 1mA betrieben wird. Die Messung der am Pt-100<br />

abfallenden Spannung erfolgt mit einem Digitalvoltmeter.<br />

3. Die vier Messfühler werden an die Konstantstromquelle I=1mA angeschlossen, die Digitalvoltmeter<br />

werden mit den dafür vorgesehenen Anschlüssen verbunden. Beachten sie<br />

die richtige Polung des Diodenfühlers.<br />

4. Bereiten Sie zwei Bäder nach Abbildung 2 vor.<br />

Diode Widerstand<br />

Thermoelement Pt-100 Referenz Thermoelement<br />

Heizung<br />

Abbildung 2: Schematischer Versuchsaufbau.<br />

Die Bäder werden zur Hälfte mit Eiswürfeln und Wasser gefüllt. Wie kann eine möglichst<br />

homogene Temperaturverteilung während der Messung erreicht werden?<br />

5. Nehmen Sie den ersten Messwert aller Temperatursensoren unmittelbar nach der Bereitung<br />

der Bäder auf, notieren Sie dabei die Temperatur, die das Referenz Pt-100 liefert.<br />

Sie sollte nahezu der Temperatur von 0�C entsprechen.<br />

6. Erhitzen Sie nun langsam das Messbad, Stufe 2-3 ist mehr als ausreichend. Nehmen Sie<br />

alle 10�C einen Messwert auf, verwenden sie das beiliegende Messwertprotokoll.<br />

7. Tragen Sie die aufgenommenen Messwerte in das entsprechende Diagramm U(T) und<br />

bestimmen sie die Steigung der Funktion. Welcher Größe entspricht die Steigung der<br />

ermittelten Funktion? Welchen Funktionsverlauf erwarten Sie für welchen Thermofühler?<br />

8. Bestimmen Sie für das Thermoelement die Thermokraft η<br />

6


3 Dehnungsmessung<br />

Maschinenbauteile sind im Betrieb Belastungen aus Kräften und Momenten ausgesetzt. Anhand<br />

von Messungen der Dehnung am Bauteil kann man Informationen über die Größe dieser<br />

Belastungen gewinnen. Eine hierbei häufig eingesetzte Messmethode ist die Dehnungsmessstreifentechnik.<br />

3.1 Dehnungsmessstreifen (DMS)<br />

Dem Verfahren der Messung von Längenänderungen mittels DMS liegt der von Kelvin entdeckte<br />

Effekt zugrunde, dass Metalle ihren ohmschen Widerstand mit der auf sie einwirkenden<br />

Belastung ändern. (Prinzip: kurzer Dicker Draht wird zu einem langen dünnen auseinander<br />

gezogen → Widerstand des Leiters steigt) Ein DMS besteht i.d.R. aus dünnen mäanderförmig<br />

angeordneten Drähten oder Folienwiderständen, z.B. auf einem Kunststoffstreifen.<br />

Abbildung 3: Folien-DMS; eine gewalzte Folie (ca. 5µm) wird durch einen Photo-Ätz-Prozess<br />

strukturiert. Dadurch werden auch komplizierte Formen möglich.<br />

Die Dehnungsänderung muss im elastischen Bereich des DMS-Material liegen, also reversibel<br />

sein, und der DMS muss allen Längenänderungen genau und trägheitslos folgen können. Dadurch<br />

werden hohe Anforderungen an seine Befestigung gestellt. (Spezialklebstoffe, fett-, rostund<br />

lackfreie Klebeflächen, usw.)<br />

K-Faktor (=Dehnungsempfindlichkeit eines DMS):<br />

mit ∆R<br />

∆l<br />

=relative Änderung des DMS und R l<br />

K wird bestimmt durch<br />

K =<br />

∆R<br />

R<br />

∆l<br />

l<br />

= ǫ=Dehnung.<br />

�die mit der Dehnung ǫ verbundene geometrische Änderung des DMS<br />

�die Änderung des spezifischen Widerstandes ρ<br />

7<br />

(5)


Für den Widerstand eines rechteckigen Drahtes oder Folienquerschnittes gilt<br />

R = ρ · l l<br />

= ρ ·<br />

A h · b<br />

mit l,b,h= Länge, Breite, Höhe und A=Querschnitt.<br />

Es gilt<br />

1 V<br />

ρ = = =<br />

n · µb · qe N · µb · qe<br />

l · h · b<br />

(7)<br />

N · µb · qe<br />

mit n=Ladungsträgerdichte, µb=Beweglichkeit, qe=Elementarladung, V =Volumen, N=Ladungsträgerzahl.<br />

Setzt man Gleichung 7 in Gleichung 6 ein, ergibt sich<br />

R =<br />

l · h · b l<br />

·<br />

N · µb · qe h · b =<br />

Damit wird die relative Widerstandsänderung zu<br />

mit 2 ∆l<br />

l<br />

∆R<br />

R<br />

= 2 · ∆l<br />

l<br />

− ∆Nµb<br />

Nµb<br />

l 2<br />

N · µb · qe<br />

∆Nµb<br />

Einfluss der Geometrieänderung des DMS, und =mit der Dehnung verknüpfte<br />

Nµb<br />

Leitfähigkeitsänderung.<br />

Bei den meisten Fällen ändert sich die Leitfähigkeit durch die Dehnung nicht, damit folgt<br />

Temperaturabhängigkeit von K:<br />

∆R<br />

R<br />

= 2 · ∆l<br />

l<br />

⇒ K =<br />

∆R<br />

R<br />

∆l<br />

l<br />

(6)<br />

(8)<br />

(9)<br />

= 2 (10)<br />

�Bei metallischen DMS gering (durch nur geringe Geometrie- und Leitfähigkeitsänderungen<br />

bei Temperaturänderungen)<br />

�Bei Halbleiter-DMS überwiegt aber die Leitfähigkeitsänderung gegenüber der Geometrieänderung.<br />

Wegen der Temperaturänderung von ∆Nµb müssen die höheren Tempera-<br />

Nµb<br />

turabhängigkeiten des K-Faktors schaltungstechnisch kompensiert werden.<br />

Berechnung von mechanischen Spannungen und Kräften:<br />

p = E · ǫ (Hooksches Gesetz) mit p = F/A, ǫ = ∆/l=Dehnung, E=Elastizitätsmodul<br />

Für den elastischen Bereich mit reversiblen Dehnungsänderungen gilt:<br />

E=const. (linearer Bereich der ρ(E)-Kurve)<br />

Daraus folgt:∆R/R = K · ρ/E = K · F/(A · E) mit F=Kraft in Längsrichtung des DMS<br />

8


Die benutzten Metalllegierungen müssen einen niedrigen Temperaturkoeffizienten des elektrischen<br />

Widerstandes (TCR) und eine geringe Temperaturabhängigkeit des K-Faktors (TCK) aufweisen.<br />

Geeignet sind z.B. Konstantan und Nickel-Chrom. Die restlichen Temperaturabhängigkeiten<br />

müssen mit einer Brückenschaltung kompensiert werden. Zusätzliches Problem bei Metall<br />

DMS: Kriechen (langsame Änderung des Ausgangssignals bei konstanter mechanischer Belastung)<br />

Ursache: Geringe, nichtelastische Verformung im Material oder im Klebstoff.<br />

Beispiele für DMS:<br />

Abbildung 4: Stauchung und Dehnung treten auf den gegenüberliegenden Seiten der Flachfeder<br />

auf.<br />

Abbildung 5: Stauchung und Dehnung treten auf der gleichen Seite auf. Man kann eine aus vier<br />

Widerständen bestehende DMS-Vollbrücke auf nur dieser einen Seite anbringen (Herstellbar<br />

mit einem Gasamtfehler von 1�; Einsatz als Wägesensor).<br />

3.2 Brückenschaltung<br />

Für Dehnungsmessstreifen benutzt man meistens die Wheatstone Brücke.<br />

Zwischen den Teilerpunkten wird die Brückenspannung UB gemessen. Die Brücke ist abgeglichen<br />

bei UB=0, d.h. bei R1/R2 = R3/R4.<br />

9


Nullbrücke:<br />

Abbildung 6: Wheatstonesche Brückenschaltung<br />

Die Brücke wird zur Bestimmung der unbekannten Widerstände abgeglichen (d.h. R2 = Rx):<br />

Rx = R1 · R4/R3 , wobei R3/R4 (Brückenverhältnis) über ein Potentiometer eingestellt wird.<br />

Für eine unbelastete Brücke (d.h. Voltmeter-Eingang hochohmig) gilt:<br />

UB = −R1 · R4 + R2 · R3<br />

· U0<br />

(11)<br />

(R1 + R2) · (R3 + R4)<br />

Die Brückenspannung wird oft über einen Verstärker mit hochohmigem Eingang auf den Spannungsmesser<br />

gegeben.<br />

Man unterscheidet die Brücken nach Anzahl und Anordnung der variablen Messwiderstände.<br />

1. Viertelbrücke: nur R1 ist ein aktiver DMS. Der Nullabgleich der Brücke im ungedehnten<br />

Zustande erfolgt über das Potentiometer R3. Aus R1 = R + ∆R und R = R2 = R3 = R4<br />

folgt:<br />

UB<br />

U0<br />

= − 1<br />

2 ·<br />

1<br />

2 + ∆R<br />

R<br />

≈ − 1 ∆R<br />

·<br />

4 R<br />

Temperaturbedingte Widerstandsänderungen des DMS werden nicht kompensiert.<br />

2. Halbbrücke: R1wird gedehnt (+ǫ) und R2 wird gestaucht (−ǫ).<br />

Dann gilt mit R1 = R + ∆R, R2 = R − ∆R und R = R3 = R4:<br />

UB<br />

U0<br />

= − 1 ∆R<br />

·<br />

2 R<br />

10<br />

(12)<br />

(13)


Der Nullabgleich wird wie bei der Viertelbrücke über das Potentiometer R3 vorgenommen.<br />

Die Temperaturkompensation erfolgt durch die in Serie geschalteten DMS: Bei<br />

einer Temperaturerhöhung weisen sie eine um den gleichen Faktor höhere thermische<br />

Längenäderung auf und wegen des Temperaturkoeffizienten des Widerstandmaterials eine<br />

gleiche Widerstandsänderung. Hier kann R2 auch als passiver DMS geschaltet sein<br />

(ohne Dehnung), um eine Temperaturkompensation zu erzielen. Da dann aber nur ein<br />

aktiver Brückenzweig vorhanden ist, hat diese Anordnung nur die halbe Empfindlichkeit.<br />

3. Vollbrücke: R1 und R4 werden gedehnt, R2 und R3 gestaucht. Dann gilt mit R1 = R4 =<br />

R + ∆R und R2 = R3 = R − ∆R<br />

UB<br />

= −<br />

U0<br />

∆R<br />

(14)<br />

R<br />

Die Vollbrücke ist mir vier aktiven Brückenzweigen doppelt so empfindlich wie die Halbbrücke.<br />

Die Temperaturkompensation ist gewährleistet, da die thermischen Widerstandsänderungen<br />

den Brückenabgleich nicht stören.<br />

3.3 Versuchsdurchführung<br />

An einem Biegebalken gemäß Abbildung 7 soll der K-Faktor von Metall-DMS bestimmt werden.<br />

Abbildung 7: Biegebalken<br />

1. Zuerst wird die Versorgungsspannung U0 auf 5V eingestellt. (Kontrolle mit Digitalvoltmeter)<br />

11


2. Wählen Sie am Biegebalken zwei DMS aus, die als R1 und R2 in einer Halbbrückenschaltung<br />

geeignet sind.<br />

3. Bauen sie mit den Kabeln und dem separaten Bauteil in das R3 (Potentiometer) und R4<br />

integriert sind, eine Halbbrücke gemäß Abbildung 8 auf.<br />

Abbildung 8: Halbbrückenschaltung<br />

4. Nullabgleich am Potentiometer (UB = 0); der Biegebalken muss dabei noch entspannt<br />

sein (kein Kontakt zur Einstellschraube).<br />

5. Messuhr auf 0 stellen.<br />

6. Messen Sie nun die Brückenspannung UB in Abhängigkeit von der Auslenkung h des<br />

Biegebalkens von 0 bis 500µm in 100µm Schritten, (Biegebalken mit großer Anzeige: 1<br />

Umdrehung ˆ= 1mm; mit kleiner Anzeige: 1/2 Umdrehung ˆ= 0,1mm) und erstellen Sie<br />

eine Tabelle (h,UB).<br />

7. Tragen sie die Werte in ein Diagramm UB(h) ein.<br />

8. Berechnen sie die Dehnung ǫ: Hier gilt nach Lösen der linearen DGL der Biegelinie der<br />

Zusammenhang:<br />

∆l<br />

l<br />

3 lm<br />

= ǫ = · h · d ·<br />

2 l3 g<br />

mit lm=150mm, d=7mm, lg=163mm und 162mm (siehe Aufschrift)<br />

9. Berechnen sie den K-Faktor und diskutieren sie mögliche Ursachen für die Abweichung<br />

vom theoretisch erwarteten Wert.<br />

12<br />

(15)

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