Gemeinsamer Jahresbericht 1977 - IAEA Nuclear Data Services

XI
4.30. Aushellverhalten von Ga-, As- und In-implantierten Silizium
nach thermischer Behandlung und Laserbeschuß
Seite
R. Grötzschel, R. Klabes, U. Kreißig, 3. Rüdiger. M. Voelskow.
3. Krynicki und 3. Suski 143
4.31. Ausheilverhalten von B-implantiertem Silizium nach Laserbestrahlung
R. Grötzschel, R. Klabes, U. Kreißig. 0. Rüdiger, A. Schmidt
und M. Voelskov» 145
4.32. Erklärung der Lasorausheilung durch kurzes Aufschmelzen der
ionenimplantierten Schicht
K.-H. Heinig, H. Woittennek und H.-U. Däger 147
4.33. Zur Strahlenschadenverteilung in Silizium nach Implant.-^i-n
von Bor durch Oberflächenschichten
R. Grötzschel, R. Klabes, U. Kreißig, 3. Rüdiger und
M. Voelskov« 150
4.34. Grundlagenuntersuchungen zur ioneninduzierten Emission aus
Festkörperoberflächen
H. Oüsterhöft 151
4.35. Untersuchungen mit der Ionenstrahl-Mikroanalyse
F.K. Naehring, A. Jchmidt, H. Syhre und A. Zetusche 153
4.36. Untersuchung der Phasengrenzen in einem Cu-Fe-System mittels
lonensondenmikroanalyse
M. Bitterlich, H. Mai, U. Seidenkranz, R. Voigtmann, B. Koch,
F.K. Naehring und H. Syhre 154
4.37. Untersuchungen zur Kohlenetoff-Kontamination bei aer Ionenimplantation
F.K. Naehring, A. Schmidt, 3. Schöneich und H. Syhre 154
4.38. Oer Einfluß der S10 2 -Schichten auf die Profile in phosphorimplantiertem
und ausgeheiltem Silizium
0. Panknin, R. Roß und G. Mende 156
4.39. Die elektrische Aktivierung implantierten Phosphors nach Hochtemperat
urauehellung
0. Panknin, A. Zetzeche, R. Klabes, R. Roß, G. Mende und
H. Beulich 158
4.40. Untersuchungen zur Segregation von Bor nach Implantation und
Ausheilung in oxydierender Atmosphäre
D. Panknin 160
4.41. TSC-Messungen an WasserstoffImplantierten Siliziumdioden
3. Mittenbacher 162
4.42. E?)Stlmmung der Homogenität