Invenţii / Inventions / Изобретения - agepi

INVENŢII
путем обработки органического раствора
водным раствором, содержащим серную
кислоту и сульфат железа (III).
Результат состоит в повышении эффек-
тивности экстракции ферроцианидов.
П. формулы: 2
(11) 2585 (13) F1
(51) 7 B 82 B 32/00; H 01 L 21/26, 21/265
(21) a 2004 0137
(22) 2004.06.01
(71)(73) TIGHINEANU Ion, MD
(72) MONAICO Eduard, UA; TIGHINEANU Ion, MD;
COJOCARU Ala, MD; URSACHI Veaceslav, MD
(54) Procedeu de obţinere a nanostructurilor
semiconductoare
(57) Invenţia se referă la tehnologia de producere
a semiconductorilor, în special la procedeele
de obţinere a nanostructurilor semicon-
ductoare.
Esenţa invenţiei constă în aceea că procedeul
de obţinere a nanostructurilor semiconduc-
toare include depunerea unei măşti pe una din
suprafeţele unei plăci semiconductoare,
implantarea ionilor, tratarea electrochimică şi
înlăturarea măştii. Implantarea ionilor se
efectuează la o energie a ionilor de cel puţin
30 keV, cu o doză de până la 10 11 cm -2 , iar
tratarea electrochimică se efectuează la
trecerea curentului cu o densitate de cel puţin
100 mA/cm 2 .
Revendicări: 1
Figuri: 1
*
* *
(54) Process for semiconductor nanostructures
obtaining
(57) The invention refers to the semiconductor pro-
duction technology, in particular to the pro-
cesses for semiconductor nanostructures
obtaining.
Summary of the invention consists in that the
process for obtaining semiconductor nanos-
tructures includes the deposition of a mask
onto one of the surfaces of the semiconductor
plate, the ion implantation, the electrochemi-
cal treatment and removal of the mask. The ion
implantation is carried out at the ion energy of
MD - BOPI 10/2004
at least 30 keV with a dose of up to 10 11 cm -2 ,
and the electrochemical treatment is carried
out at the current passage with a density of at
least 100 mA/cm 2 .
Claims: 1
Fig.: 1
*
* *
(54) Способ получения полупроводниковых
наноструктур
(57) Изобретение относится к производству
полупроводников, в частности к способам
получения полупроводниковых нанострук-
тур.
Сущность изобретения заключается в том,
что способ получения полупроводниковых
наноструктур включает осаждение маски на
одну из поверхностей полупроводниковой
пластинки, ионную имплантацию, электро-
химическую обработку и удаление маски.
Ионная имплантация осуществляется при
энергии ионов до 30 keV и дозах не более
10 11 cm -2 , а электрохимическая обработка
проводится при прохождении тока плот-
ностью не менее 100 mA/cm 2 .
П. формулы: 1
Фиг.: 1
(11) 2586 (13) F1
(51) 7 C 03 C 1/04, 1/10; C 09 C 1/24, 1/34; C 02 F 1/62,
1/70
(21) a 2003 0009
(22) 2003.01.10
(71)(73) GLASS CONTAINER COMPANY S.A., MD;
UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA, MD
(72) COVALIOV Victor, MD; BÎRSAN Vitalii, MD;
COVALIOVA Olga, MD; BABAN Oleg, MD;
GUMMATOV Nazim, MD
(54) Procedeu galvanochimic de obţinere din
soluţii uzate a agentului colorant pentru sticlă
(57) Invenţia se referă la un procedeu de obţinere
a colorantului care se utilizează în industria
sticlei.
Esenţa invenţiei constă în aceea că agentul
colorant se obţine prin tratarea soluţiei uzate,
ce conţine metale grele, cu filtrarea, spălarea
şi uscarea ulterioară a precipitatelor formate,
conţinând aceste metale, totodată, în calitate
39