Проблемы и перспективы современной электроники
Проблемы и перспективы современной электроники
Проблемы и перспективы современной электроники
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
I OFF (nA/um)<br />
Характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к<strong>и</strong> 32 нм транз<strong>и</strong>сторов<br />
1000<br />
100<br />
10<br />
1<br />
1.0 V<br />
NMOS PMOS<br />
1000<br />
Intel<br />
45nm<br />
>5x<br />
Intel<br />
32nm<br />
0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0<br />
I ON (mA/um)<br />
I OFF (nA/um)<br />
32 нм процесс обеспеч<strong>и</strong>вает существенное сн<strong>и</strong>жен<strong>и</strong>е токов<br />
утечк<strong>и</strong> <strong>и</strong> улучшает про<strong>и</strong>звод<strong>и</strong>тельность<br />
100<br />
10<br />
1<br />
1.0 V<br />
Intel<br />
45nm<br />
Intel<br />
32nm<br />
+14% +22%<br />
>10x<br />
Better Better<br />
0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8<br />
I ON (mA/um)
Change language