Проблемы и перспективы современной электроники

More documents

Recommendations

Info

Масштабирование межсоединений ohm-um ohm-m 0.040 0.035 0.030 0.025 0.020 P1266 P1264 Cu Resistivity vs Cu Width (mid) Cu сопротивление 0.015 0.05 0.15 0.25 0.35 0.45 0.35 Copper CD (um) 0.45 0.55 0.65 Copper CD (um) P1260 X1S 193nm X3 P1262 X3 Z145E99X P1262 X3 Z217E330 248nm RELACS X3 POR (Doug) X3 ALD (Doug) Series8 Source:Intel • Эффективное сопротивление возрастает из-за: – Рассеяния на границах – Рассеяние на поверхности
Моделирование разрыва
Page 1 and 2: Полупроводниковые
Page 3 and 4: Transistors (millions) 1,000 100 10
Page 5 and 6: Структура «камня»
Page 7 and 8: MOSFET эквивалентная
Page 9 and 10: Нанотехнологии для
Page 11 and 12: Bitcell Area (m 2 ) Technology Dens
Page 13 and 14: 32 нм фабрики D1D Oregon -
Page 15: Intel: Эволюцию техно
Page 18 and 19: Новая инициатива: 45
Page 20 and 21: Ключевой вопрос • 1
Page 22 and 23: Atom processor Производит
Page 24 and 25: Основные тенденции
Page 26 and 27: Проблемы литографи
Page 28 and 29: Пиксельная фазовая
Page 30: Si (~4.1nm) EUV отражающа
Page 33 and 34: Иммерсионная литог
Page 35 and 36: Двойная экспозиция
Page 37 and 38: SEM of 11nm node SRAM structure (22
Page 40 and 41: Imprint lithography
Page 42 and 43: Проблемы уменьшени
Page 44 and 45: Пути развития поле
Page 46 and 47: In 07Ga 03 As QWFET на кремн
Page 48 and 49: Структура соединен
Page 52 and 53: PVD Cu провода ALD based •
Page 54 and 55: Required Properties of Low-k Dielec
Page 56 and 57: Выводы • Кремниевы
Page 58 and 59: Сенсоры единичных
Page 60 and 61: Какие возможности
Page 62: Спасибо

Проблемы и перспективы современной электроники

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?