IntroducciÃ³n a la fabricaciÃ³n de Circuitos Integrados - Escuela de ...

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Transistor n-MOS • 4 terminales: compuerta, surtidor, drenador y sustrato • Compuerta – oxido – sustrato conforman un condensador – Compuerta y sustrato son conductores – SiO 2 (oxido) es un excelente aislador – Se denomina condensador MOS, aún cuando la compuerta no es metálica Source Gate Drain Polysilicon SiO 2 n+ n+ p bulk Si Paulo Moreira Introduction 16
Transistor p-MOS • Similar, pero dopado y tensiones invertidas – Sustrato conectado a V DD – Compuerta en bajo: transistor encendido – Compuerta en alto: transistor apagado – Círculo en la compuerta denota comportamiento invertido Polysilicon Source Gate Drain SiO 2 p+ p+ n bulk Si Paulo Moreira Introduction 17
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Page 15: Inversor CMOS A 0 1 Y V DD A Y A Y
Page 19 and 20: Conección a pozos y sustratos •
Page 21 and 22: Vistas detalladas de las máscaras
Page 23 and 24: Oxidación • Producir SiO 2 en la
Page 25 and 26: Litografía • Exponer photoresist
Page 27 and 28: Eliminar Photoresist • Eliminar e
Page 29 and 30: Eliminar óxido • Eliminar óxido
Page 31 and 32: Conformación del Polisilicio • U
Page 33 and 34: Difusión n • Dar forma al óxido
Page 35 and 36: Difusión n (3) • Eliminar óxido
Page 37 and 38: Contactos • Ahora deben intercone
Page 39 and 40: Layout • Chips se especifican con
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