IntroducciÃ³n a la fabricaciÃ³n de Circuitos Integrados - Escuela de ...

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Sección transversal del inversor • Usualmente se utiliza un sustrato de tipo p para los transistores n-MOS • Se requiere un „pozo“ n para los transistores tipo p-MOS GND A Y V DD SiO 2 n+ diffusion n+ n+ p+ p substrate n well p+ p+ diffusion polysilicon metal1 nMOS transistor pMOS transistor Paulo Moreira Introduction 18
Conección a pozos y sustratos • Sustrato debe ser conectado a GND y pozo n a V DD • La conexión entre metal y un semiconductor levemente dopado forma una conexión eléctrica deficiente (en realidad, un diodo Shottky). • Se utiliza entonces para la conexión contactos fuertemente dopados A GND V DD Y n+ p+ n+ n+ p+ p+ p substrate n well substrate tap well tap Paulo Moreira Introduction 19
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Page 15 and 16: Inversor CMOS A 0 1 Y V DD A Y A Y
Page 17: Transistor p-MOS • Similar, pero
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Page 23 and 24: Oxidación • Producir SiO 2 en la
Page 25 and 26: Litografía • Exponer photoresist
Page 27 and 28: Eliminar Photoresist • Eliminar e
Page 29 and 30: Eliminar óxido • Eliminar óxido
Page 31 and 32: Conformación del Polisilicio • U
Page 33 and 34: Difusión n • Dar forma al óxido
Page 35 and 36: Difusión n (3) • Eliminar óxido
Page 37 and 38: Contactos • Ahora deben intercone
Page 39 and 40: Layout • Chips se especifican con
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