IntroducciÃ³n a la fabricaciÃ³n de Circuitos Integrados - Escuela de ...

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Proceso autoalineado • Utilizar óxido y máscaras para exponer los sitios donde los dopantes n+ deberán ser difundidos o implantados • La difusión n forma la fuente y drenador del transistor n-MOS y el contacto con el pozo n p substrate n well Paulo Moreira Introduction 32
Difusión n • Dar forma al óxido y conformar las regiones n+ • Proceso auto-alineado donde la compuerta bloquea la difusión • Polisilicion es mejor que el metal para las compuertas autoalineadas porque no se deshace en procesos posteriores n+ Diffusion p substrate n well Paulo Moreira Introduction 33
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Page 15 and 16: Inversor CMOS A 0 1 Y V DD A Y A Y
Page 17 and 18: Transistor p-MOS • Similar, pero
Page 19 and 20: Conección a pozos y sustratos •
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Page 23 and 24: Oxidación • Producir SiO 2 en la
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Page 37 and 38: Contactos • Ahora deben intercone
Page 39 and 40: Layout • Chips se especifican con
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