IntroducciÃ³n a la fabricaciÃ³n de Circuitos Integrados - Escuela de ...

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Pasos de fabricación • Inicio con una oblea „en blanco“ • Construir inversor de abajo hacia arriba • Primer paso: formar el pozo n (n-well) – Cubrir la oblea con una capa protectora de óxido de silicio (SiO 2 ) – Eliminar capa en el sitio donde debe construirse el pozo n – Implantar o difundir dopantes n en la oblea expuesta – Eliminar SiO 2 p substrate Paulo Moreira Introduction 22
Oxidación • Producir SiO 2 en la parte superior de la oblea – 900°C – 1200°C con H 2 O o O 2 en horno de oxidación SiO 2 p substrate Paulo Moreira Introduction 23
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Page 17 and 18: Transistor p-MOS • Similar, pero
Page 19 and 20: Conección a pozos y sustratos •
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Page 27 and 28: Eliminar Photoresist • Eliminar e
Page 29 and 30: Eliminar óxido • Eliminar óxido
Page 31 and 32: Conformación del Polisilicio • U
Page 33 and 34: Difusión n • Dar forma al óxido
Page 35 and 36: Difusión n (3) • Eliminar óxido
Page 37 and 38: Contactos • Ahora deben intercone
Page 39 and 40: Layout • Chips se especifican con
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