Unidad didáctica B: El diodo
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y la caída de tensión a la salida será igual a la señal de entrada ya que la corriente es nula (el <strong>diodo</strong><br />
equivale a un circuito abierto)<br />
V = V − i ⋅ R =<br />
0<br />
g<br />
V g<br />
(2.7)<br />
Los resultados del análisis nos permiten representar los efectos del circuito recortador sobre las<br />
señales de entrada Figura 2.6.<br />
Figura 2.6 Tensiones de entrada y salida del circuito recortador<br />
2.4 <strong>El</strong> <strong>diodo</strong> real<br />
<strong>El</strong> funcionamiento del <strong>diodo</strong> ideal se aproxima al de un dispositivo electrónico llamado <strong>diodo</strong> real<br />
que está fabricado con un material semiconductor como silicio, germanio, arseniuro de galio u<br />
otros.<br />
Las propiedades físicas de los semiconductores son distintas a las de los conductores y a las de los<br />
aislantes. Así, por ejemplo, el silicio puro conduce a temperatura ambiente pero a medida que se<br />
enfría va dejando de hacerlo. Es más, en las proximidades del cero absoluto de temperaturas (0K),<br />
no conduce. La gran ventaja de este tipo de materiales es que podemos introducir en ellos algunas<br />
impurezas, en una cantidad precisa, y modificar algunas de sus propiedades. De hecho,<br />
determinadas impurezas hacen que aumente el número de cargas libres negativas (electrones) en el<br />
material, con otras podemos aumentar las cargas libres positivas (que se llaman huecos). Una<br />
muestra de material semiconductor que posea impurezas de las que aumentan el número de<br />
electrones se llama semiconductor tipo n (de negativo), y al contrario, si el semiconductor está<br />
“dopado” con impurezas que producen el aumento de los huecos de llama semiconductor tipo p<br />
(positivo). Lo verdaderamente interesante de todo esto es que podemos controlar la cantidad de<br />
impurezas de uno y otro tipo y, por lo tanto, el número de cargas libres que hay en la muestra.<br />
Pues bien, el <strong>diodo</strong> real basa su operación en una unión de semiconductor tipo p con otro tipo n,<br />
llamada unión pn. Es decir, si analizamos la estructura microscópica del <strong>diodo</strong> observamos que el<br />
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