Figura 2.5.4.1.- Estados ocupados en el caso de un metal: (a) antes y (b) después de la excitación electrónica.Aisladores y semiconductores.En el caso de los aisladores y semiconductores, no existen estados vacíos contiguos al máximo de la banda devalencia. Para hacerse libres, los electrones deben superar un intervalo prohibido de energía para acceder a losprimeros estados de energía de la banda de conducción. Esto es posible únicamente si se suministra al electrón laenergía equivalente a la diferencia entre estos dos estados, que es aproximadamente igual a la energía del intervaloprohibido, E g . Este proceso de excitación se muestra en la figura 2.5.4.2. En muchos materiales este intervaloprohibido tiene una anchura de aproximadamente varios electronvoltios. A menudo la excitación energética provienede una fuente no eléctrica tal como calor o luz, sobre todo la primera.El número de electrones excitados térmicamente (por energía calorífica) a la banda de conducción depende delintervalo prohibido de energía, así como de la temperatura. A una temperatura dada, cuanto mayor es E g , menor es laprobabilidad de que un electrón de valencia pase a un estado energético dentro de la banda de conducción, lo cualresulta en un número menor de electrones de conducción. En otras palabras, cuanto mayor es el intervalo prohibido deenergía, menor es la conductividad eléctrica para una determinada temperatura.Por consiguiente, la distinción entre semiconductores y aisladores reside en el valor del intervalo prohibido; en el caso desemiconductores es pequeño, mientras que en los materiales aisladores es relativamente grande.Al aumentar la temperatura tanto de un aislador como un de un semiconductor se produce un aumento de la energíatérmica disponible para la excitación de electrones. Por consiguiente, más electrones son promocionados a la banda deconducción, lo cual origina un aumento de la conductividad.
Figura 2.5.4.2.- Estados ocupados en el caso de un aislador, o bien un semiconductor: (a) antes y (b) después de la excitaciónde un electrón desde la banda de valencia a la banda de conducción, en cuyo proceso seforma un electrón libre y un hueco.La conductividad de aisladores y semiconductores puede también ser vista desde la perspectiva de los modelos de enlacequímico. En los materiales aisladores, el enlace interatómico es iónico o fuertemente covalente. Así, los electrones devalencia están fuertemente ligados a átomos individuales o son compartidos por ellos. En otras palabras, estoselectrones están muy localizados y no son en absoluto libres para moverse dentro del cristal. El enlace en lossemiconductores es covalente (o bien predominantemente covalente) y es relativamente débil, esto significa que loselectrones de valencia no están fuertemente ligados a los átomos. En consecuencia, en los semiconductores, estoselectrones son desligados más fácilmente por excitación térmica que en los aisladores.2.5.5.- Resistividad eléctrica de los metales.La mayoría de los metales son extremadamente buenos conductores de la electricidad. Las conductividades atemperatura ambiente de algunos de los metales más comunes se dan en la tabla 2.5.5.1. Los metales tienenconductividades elevadas debido al alto número de electrones libres que han sido excitados hacia los estadosvacíos por encima de la energía de Fermi. De este modo n tiene un valor grande en la expresión de laconductividad eléctrica dada por la ecuación siguiente y que es válida para muchos materiales:σ = neµedonde n es el número de electrones libres de conducción por unidad de volumen (por ejemplo, por centímetro cúbico)e es el valor absoluto de la carga eléctrica sobre cada electrón (1.6 x 10 -19 C) y . La constante de proporcionalidadµese denomina movilidad electrónica, y es un indicador de la frecuencia de los sucesos de dispersión. Sus unidades son2⎛m⎞metros cuadrados por voltio-segundo ⎜ ⎟⎝Vs. ⎠Por tanto, la conductividad eléctrica es proporcional tanto al número de electrones libres como a su movilidad.Tabla 2.5.5.1.- Conductividades eléctricas a temperatura ambiente para metales y aleaciones comunes.Es conveniente discutir la conducción en los metales en términos de la resistividad, el recíproco de laconductividad.Puesto que los defectos cristalinos actúan como centros de dispersión de los electrones de conducción en los metales,al aumentar el número de defectos también aumenta la resistividad (o sea, disminuye la conductividad). Laconcentración de estas imperfecciones depende de la temperatura, la composición y el grado de acritud de una muestrametálica. De hecho, experimentalmente se ha encontrado que la resistividad de un metal es la suma de las contribucionesde las vibraciones térmicas, de las impurezas y del grado de deformación plástica, o sea, los mecanismos de dispersiónactúan independientemente unos de otros. Esto puede expresarse matemáticamente de la manera siguiente:ρTOTAL = ρt + ρi + ρd(2.5.5.1)En esta expresión t , i , y d representan las contribuciones a la resistividad de las vibraciones térmicas, las impurezasy la deformación, respectivamente. La ecuación (2.5.5.1) se conoce, a veces por el nombre de ley de Matthiessen.