Studio di fotodiodi a valanga per il calorimetro CMS al LHC del CERN"

eettuato con una dose di 4 10 12 n/cm 2 .
Per eettuare questo confronto, la corrente e stata normalizzata al valore misurato
I D
/I D
(15 o giorno)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
APD 24
APD 26
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
tempo(d)
Figura 5.2: Recupero a temperatura ambiente per l'APD BC-24 e BC-26. Il primo e stato
irraggiato con una dose pari a 1:410 12 n/cm 2 , mentre il secondo con 410 12 n/cm 2 . Le correnti
sono normalizzate a quelle misurate nel quindicesimo giorno a partire dal loro irraggiamento.
dopo 15 giorni dall'irraggiamento, cos da ottenere un diagramma indipendente da
possibili instabilita causate dalle componenti brevi. La coincidenza delle due curve
di corrente indica un recupero di corrente molto simile tra i due APD; esaminando i
parametri della tabella 5.2, si puo notare che il recupero non e inuenzato dalla dose
di radiazione assorbita, non essendoci dierenze tra le costanti di tempo i degli APD
irraggiati con dosi dierenti. Si puo ipotizzare che i difetti provocati dalla radiazione
incidente si accumulino linearmente, come previsto dalla teoria sul danneggiamento dei
silici.
5.2.1 Accumulazione dei difetti
Come precedentemente osservato, sia i modelli teorici elaborati per interpretare
i dati dei comuni diodi, che le misure sperimentali eseguite su diodi PIN e fotodiodi a
valanga, mostrano che l'aumento della corrente oscura dopo l'irraggiamento e dovuta
alla generazione di difetti nel reticolo cristallino del silicio. Per studiare se le proprieta
di recupero sono inuenzate dall'accumulazione di difetti, il protipo BC-26 e stato segito
nel recupero dopo due successivi irragggiamenti. Il prototipo ha ricevuto durante il
primo irraggiamento una dose di 4 10 12 n/cm 2 . Questo APD e stato misurato per
100