Studio di fotodiodi a valanga per il calorimetro CMS al LHC del CERN"

Puo essere eseguito un rinvenimento a temperatura per riparare la struttura
cristallina e incorporare gli ioni droganti in siti attivi della matrice cristallina.
2.4.2.3 Metodo di crescita epitassiale
Si tratta di una tecnica usata per crescere un materiale cristallino a partire
da una fase uida in un germe di cristallizzazione, dove lo strato di cristallo in
crescita presenta le stesse caratteristiche del germe. Questo metodo si adatta bene alla
produzione di materiali semiconduttori utilizzabili nel campo dell'ottica elettronica, e
quindi, per la produzione di diodi fotorivelatori.
Poiche esistono numerose tecniche di crescita epitassiale, passiamo in esame soltanto
alcune applicazioni tra le piu diuse.
Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Si tratta della tecnica di crescita del cristallo da una fase liquida, e risulta tra le piu
semplici. Si parte da un germe di cristallizzazione (seme), che viene posto in contatto
con un fuso, la cui composizione e funzione dei requisiti chiesti per l'ottenimento del
prodotto nale; quindi si varia il gradiente termico in modo da produrre un materiale
dalla corretta stechiometria. Il fenomeno della crescita non e continuo, ma risulta
una sequenza progressiva di depositi di spessore. Questo processo deve essere eseguito
ad una temperatura sucientemente bassa, in modo da minimizzare la formazione di
difetti.
Il rareddamento della soluzione a due fasi (solida-liquida), richiede la diminuzione
della temperatura iniziale, anche possa avvenire una nucleazione spontanea, e da qui,
la precipitazione. Questa riduce la concentrazione del soluto ad un valore di equilibrio;
si tratta di tecniche di rareddamento di equilibrio.
Un problema e rappresento dalla dicolta di controllare la composizione durante il
processo di crescita del cristallo, e cio non permette di arrivare alla produzione di
spessori molto piccoli con precisa stechiometria.
Vapour Phase Epitaxy(VPE)
In alternativa alla tecnica LPE, esiste la VPE, cioe la crescita del cristallo a
partire dalla fase vapore, superiore al metodo appena descritto per quanto riguarda
l'ottenimento di materiali dotati di struttura eterogenea.
Questa tecnologia si basa sul condurre gli atomi costituenti lo spessore in crescita, alla
supercie del sottostrato, in fase di vapore. Le reazioni avvengono presso la supercie,
che risulta formata di atomi depositati in modo epitassiale.
Questa tecnica ha molteplici applicazioni, ed il modo di procedere varia sia a seconda
del materiale che si intende drogare, sia del drogante stesso, cioe e funzione delle
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