Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Zakład Epitaksji
Zakład składa się z Pracowni Epitaksji Krzemu oraz Pracowni Miernictwa Warstw Epitaksjalnych. Obszary
działalności Zakładu:
• wytwarzanie krzemowych warstw epitaksjalnych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej
(CVD),
• wytwarzanie warstw epitaksjalnych granatów z wykorzystaniem metody epitaksji z fazy ciekłej,
• pomiary parametrów krzemowych warstw epitaksjalnych,
• badanie właściwości centrów defektowych w kryształach materiałów półprzewodnikowych,
• rozwój metod badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych
• szerokiej przerwie zabronionej takich jak: GaP, SiC, GaN czy AlN.
W Zakładzie, miedzy innymi, opracowano technologie wytwarzania najwyższej jakości krzemowych warstw
epitaksjalnych, a w szczególności warstw epitaksjalnych dla detektorów cząstek o wysokiej energii.
Opracowano również technologie wytwarzania warstw epitaksjalnych granatów do zastosowań w laserach na
ciele stałym.
Zakład ściśle współpracuje z czołowymi ośrodkami na świecie, w tym:
• z ośrodkiem CERN w ramach programu pt.: Radiation hard semiconductor devices for very high
luminosity colliders – RD50. Zakres współpracy obejmuje wytwarzanie warstw epitaksjalnych o dużej
odporności na radiację oraz badanie radiacyjnych centrów defektowych w krzemie napromieniowanym
dużymi dawkami hadronów.
• z Laboratoire de Genie Electrique de Paris i Naval Researche Laboratory oraz University of South
Carolina w zakresie badania centrów defektowych w półprzewodnikach o szerokiej przerwie
energetycznej.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych; ul Wólczyńska 133; PL-01-919 Warszawa
Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03
http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl;