Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych 

ul Wólczyńska 133; PL-01-919 Warszawa 

Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49 

Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 

http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl 

Dyrekcja: 

dr Zygmunt Łuczyński Dyrektor (+48 22) 834 90 03 

(+48 22) 835 30 41 wew. 100 

(+48 22) 835 44 16 

(+48 22) 835 30 41 wew. 454 

prof. dr hab. inż. Andrzej Jeleński Z-ca Dyrektora 

ds. Naukowych 

mgr inż. Zenon Godziejewski Z-ca Dyrektora 

(+48 22) 835 30 41 wew. 465 

ds. Rozwoju 

inż. Józef Śrembowski 

Z-ca Dyrektora 

(+48 22) 834 92 20 

ds. Administracyjno- 

(+48 22) 835 31 72 

(+48 22) 835 30 41 wew. 407 

Technicznych 

mgr Dorota Jobda-Kurach Główny Księgowy (+48 22) 833 22 50 

(+48 22) 835 30 41 wew. 128 

Rada Naukowa: 

Przewodniczący: ……………….. 

Zastępcy Przewodniczącego: …. 

Sekretarz: ………………………….. 

Członkowie: 

prof. dr hab. inż. Władysław Karol Włosiński 

prof. dr hab. Jacek Baranowski 

prof. dr hab. inż. Antoni Rogalski 

dr hab. inż. Małgorzata Jakubowska, prof. ITME 

prof. dr hab. Maciej Bugajski 

dr hab. inż. Lech Dobrzański, prof. ITME 

prof. dr hab. inż. Włodzimierz Janke 

prof. dr hab. inż. Jacek Jagielski 

dr hab. inż. Paweł Kamiński, prof. ITME 

prof. dr hab. inż. Marian Kaźmierkowski 

inż. Jarosław Kisielewski 

dr inż. Andrzej Kowalik 

prof. dr hab. inż. Jerzy Lis 

prof. dr hab. inż. Tadeusz Łukasiewicz 

dr hab. inż. Andrzej Maląg, prof. ITME 

prof. dr hab. inż. Zygmunt Mierczyk 

prof. dr hab. Michał Nawrocki 

dr hab. Dorota Pawlak, prof. ITME 

dr hab. inż. Katarzyna Pietrzak, prof. ITME 

prof. dr hab. Danuta Stróż 

dr inż. Włodzimierz Strupiński 

prof. dr hab. Henryk Szymczak 

mgr inż. Emil Tymicki 

mgr inż. Helena Węglarz


Witam 

w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych 

Instytut został utworzony Zarządzeniem Nr 14 Prezesa Rady Ministrów z dnia 

5.02.1979 r. Powstał z przekształcenia istniejącego od roku 1971 Ośrodka 

Naukowo-Produkcyjnego Materiałów Półprzewodnikowych, który powstał na 

bazie istniejącego od roku 1956 Przemysłowego Instytutu Elektroniki, 

stworzonego wcześniej z Biura Badawczo-Rozwojowego Fabryki Lamp 

Elektronowych w Warszawie. Przedmiotem działania Instytutu było 

prowadzenie prac naukowo-badawczych i rozwojowych oraz wdrożeń w 

zakresie materiałów elektronicznych, a w szczególności dotyczących 

technologii otrzymywania i efektywnego wykorzystania tych materiałów na 

potrzeby elektronizacji w kraju. 

Dziś Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME) jest wiodącym polskim instytutem 

badawczym prowadzącym badania naukowe oraz prace badawczo-rozwojowe w zakresie inżynierii 

materiałowej, elektroniki, fotoniki, optoelektroniki, informatyki, inżynierii środowiska, technologii 

chemicznej, metrologii. Szczególnie w zakresie wytwarzania, badania właściwości i efektywnego 

wykorzystania materiałów, w tym również nowej generacji znajdującymi się w centrum zainteresowania 

nauki światowej. Prace te prowadzone są w ramach tematów statutowych, projektów zamawianych, 

projektów badawczych międzynarodowych i krajowych, w tym także projektów Fundacji na rzecz Nauki 

Polskiej, Narodowego Centrum Badań i Rozwoju, Narodowego Centrum Nauki oraz projektów 

finansowanych z funduszy strukturalnych. Nadzór nad funkcjonowaniem ITME sprawuje Minister 

Gospodarki. 

Instytut dysponuje ogromnym potencjałem tak naukowo-badawczym jak i infrastrukturalnym, a jego 

najmocniejszym atutem jest kapitał ludzki. Instytut posiada kadrę o najwyższych kwalifikacjach, wśród 

której znajdują się światowe autorytety. 

Instytut współpracuje z wieloma krajowymi i zagranicznymi uczelniami, instytutami, centrami 

badawczo-rozwojowymi oraz znaczącymi w świecie przedstawicielami przemysłu elektronicznego. 

Rezultaty prowadzonych badań są wdrażane w przemyśle lub wykorzystywane we własnej małoseryjnej 

produkcji. Są one także publikowane w czołowych czasopismach światowych. 

Najistotniejsze tematy związane z naszym działaniem przedstawiono na następnych stronach tego 

katalogu. W Instytucie znajdują się unikalne w skali kraju urządzenia technologiczne, umożliwiające 

opracowywanie specyficznych materiałów i struktur. Znajdują się także największe w kraju laboratoria 

wzrostu kryształów, które pozwalają na opracowywanie technologii wzrostu monokryształów: 

tlenkowych, krzemu, związków półprzewodnikowych, azotku galu i węglika krzemu. W unikalnych 

laboratoriach epitaksji opracowywane są struktury przyrządów dla optoelektroniki, elektroniki 

mikrofalowej i mocy. Urządzenia te, jak również jedyny w kraju profesjonalny elektronolitograf oraz 

urządzenia do napylania i trawienia struktur pozwalają na rozwijanie prac technologicznych w 

dziedzinie mikro- i nanotechnologii. Posiadane urządzenia i przyrządy pomiarowe pozwalają na pełną 

charakteryzację opracowywanych materiałów i podzespołów. Instytut specjalizuje się w analizach składu, 

badaniach struktur materiałów i stanów ich powierzchni oraz ich właściwości optycznych, elektrycznych, 

magnetycznych, mechanicznych i termicznych. Świadczone są także usługi w zakresie obszarów naszej 

specjalizacji. 

Dziś Instytut stanowi centrum badawczo-technologiczne, w którym możliwe jest realizowanie prac w 

pełnych cyklach od fazy projektu i badań aż do fazy wdrożenia do produkcji. 

Zapraszam do współpracy 

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych; ul Wólczyńska 133; PL-01-919 Warszawa 

Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 

http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl 

dr Zygmunt Łuczyński 

Dyrektor ITME


OBSZARY DZIAŁALNOŚCI INSTYTUTU: 

Technologie wytwarzania materiałów nowej generacji: 

• grafen; 

• izolatory topologiczne; 

• materiały dla spintroniki; 

• materiały samoorganizujące się; 

• kryształy fotoniczne,w tym plazmonicze i metamateriały; 

• ceramika, kompozyty ceramiczno-metalowe, złącza. 

Technologie wytwarzania materiałów dla energetyki: 

• półprzewodniki szerokoprzerwowe, w tym węglik krzemu i do tranzystorów HEMT z GaN; 

• światłowody ze szkieł półprzewodnikowych dla fotowoltaiki; 

• materiały eutektyczne dla fotowoltaiki; 

• płytki i warstwy epitaksjalne z węglika krzemu; 

• uszczelnienia szklano-ceramiczne dla ogniw paliwowych; 

• materiały termoelektryczne; 

• matryce inertne dla bezpiecznego składowania odpadów promieniotwórczych; 

• materiały elektrodowe dla jonowych baterii litowych. 

Technologie wytwarzania materiałów dla fotoniki: 

• materiały do laserów półprzewodnikowych na bazie związków III/V (w tym: GaAsP, InGaP, AlGaAs, GaAs, GaSb, 

InP), płytki, struktury epitaksjalne; 

• struktury epitaksjalne na GaN; 

• materiały do laserów ciała stałego, w tym na bazie: niobianu strontowo-wapniowego; 

• fotodetektory na zakres podczerwieni oraz ultrafioletu; 

• kryształy tlenkowe na: lasery, pasywne modulatory dobroci, scyntylatory, przyrządy elektrooptyczne 

i piezoelektryczne, podłoża na warstwy nadprzewodzące HTSc; 

• szkła i ceramiki ze specjalnie projektowanymi charakterystykami spektralnymi, w tym: ceramiki przezroczyste; 

• elementy optyczne dyfrakcyjne i mikrosoczewki; 

• cienkie warstwy o charakterze nanostruktur; 

• luminescencyjne nanoproszki i nanokryształy; 

• włókna optyczne i światłowody, w tym włókna aktywne i fotoniczne. 

Technologie wytwarzania materiałów dla elektroniki: 

• monokryształy krzemu (płytki Si standardowe i o specjalnych właściwościach); 

• krzem porowaty; 

• folie krzemowe; 

• warstwy epitaksjalne na krzemie i na krzemie porowatym; 

• płytki i warstwy epitaksjalne z węglika krzemu; 

• proszki, pasty i atramenty na bazie polimerów i nanoproszków dla elektroniki drukowanej; 

• pasty światłoczułe; 

• kryształy piezoelektryczne; 

• super czyste metale. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 

http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl


Technologie wytwarzania podzespołów 

W laboratoriach ITME powstało wiele nowatorskich rozwiązań podzespołów elektronicznych z wytworzonych przez nas 

materiałów, jak na przykład: 

• światłowody (aktywne i fotoniczne), filtry, soczewki dyfrakcyjne, dwuwymiarowe mikrostruktury fotoniczne; 

• elementy bierne na membranach (sensory); 

• filtry, rezonatory i sensory na podłozach piezoelektrycznych z akustyczną falą powierzchniową; 

• przyrządy półprzewodnikowe (lasery, tranzystory, fotodetektory, diody Schottky’ego); 

• lasery ciała stałego, mikrolasery. 

Wytwarzanie ich jest możliwe dzięki posiadanym najnowocześniejszym urządzeniom, które umożliwiają: 

• projektowanie i wytwarzanie masek; 

• nanoszenie warstw cienkich dielektrycznych (SiO 2, Si 3N 4, AlN); 

• metalizację wielowarstwową; 

• litografię: kopiowanie kontaktowe w głębokim UV, generacja wzoru wiązką elektronów; 

• różnego rodzaju technologie wytrawiania, w tym reaktywne trawienie jonowe i kontrolowane trawienie ścianek 

bocznych. 

Badania materiałów i struktur 

Charakteryzacja materiałów prowadzona jest różnymi metodami, między innymi: 

• klasycznej analizy chemicznej oraz spektralnymi technikami instrumentalnymi (płomieniowa atomowa 

spektrometria emisyjna i absorpcyjna, spektrometria od ultrafioletu do dalekiej podczerwieni); 

• spektroskopii mössbauerowskiej (metoda konwencjonalna, konwersji elektronów i promieniowania X oraz 

opracowaną w ITME, unikalną w skali światowej, metodą "rf-Mössbauer"); 

• rentgenowskiej dyfraktometrii proszkowej, metodą Rietvelda, wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej, 

reflektometrii rentgenowskiej, rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej; 

• skaningowej mikroskopii elektronowej i z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego; 

• elektronowego rezonansu paramagnetycznego; 

• mikroskopu sił atomowych; 

• termicznymi klasycznymi (mikroskopia wysokotemperaturowa, termograwimetria, różnicowa analiza termiczna, 

dylatometria, itd.) oraz rentgenowskimi; 

• mechanicznymi (wytrzymałościowe, tarciowe, badania twardości, itd.); 

• optycznymi (mikroskopia, absorpcja, reflektometria). 

Badania podzespołów 

W ITME wykonywane są badania przyrządów optoelektronicznych, mikroelektronicznych i piezoelektrycznych. 

Znajdująca się w Instytucie specjalistyczna aparatura umożliwia przeprowadzanie charakteryzacji podzespołów, różnymi 

metodami, np.: 

• pomiarów I-V, C-V; 

• niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów; 

• pomiarów impedancji i elementów macierzy rozproszonej do częstotliwości 20 GHz; 

• pomiarów poziomów szumów; 

• badań parametrów użytkowych laserów i fotodetektorów. 

Instytut także kształci młodą kadrę techniczną poprzez realizację programów dydaktycznych dla studentów kierunków: 

chemii, fizyki i inżynierii materiałowej prowadzonych na Uniwersytecie Warszawskim oraz Politechnikach: Warszawskiej, 

Łódzkiej, Poznańskiej, Gdańskiej i Lubelskiej. Organizujemy wykłady i zajęcia laboratoryjne, praktyki i staże zawodowe, 

pokazy urządzeń technologicznych. 

ITME posiada prawo nadawania stopnia naukowego doktora w dziedzinie nauk technicznych, w dyscyplinie inżynieria 

materiałowa. Jednocześnie Instytut wraz z Uniwersytetem Warszawskim zorganizował Środowiskowe Studium 

Doktoranckie Fizykochemii Materiałów, które zapewnia możliwość interdyscyplinarnego kształcenia specjalistów. ITME 

uczestniczy również w międzynarodowych studiach doktoranckich utworzonych przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii 

Nauk. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Wybrane tematy realizowane przez ITME w roku 2011: 

Projekty Europejskie: 

ENSEMBLE - Engineered Self-organized Multicomponent structures 

with novel controllable Electromagnetic functionalities 

(Samoorganizujące się wieloskładnikowe struktury ze sterowalnymi 

niekonwencjonalnymi właściwościami elektromagnetycznymi) 

Kontakt w ITME: dr hab. D. A. Pawlak, prof. ITME 

Termin realizacji: 2008 – 2012 

MATRANS - Micro- and Nanocrystalline Functionall Graded materials 

for Transport Applications 

(Mikro i Nano-krystaliczne materiały gradientowe do zastosowań w przemyśle 

transportowym) 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. K. Pietrzak, prof. ITME 

Termin realizacji: 2010 – 2013 

ACTMOST - Access to Micro-Optics Expertise, Services & 

Technologies 

(Dostęp do wiedzy, usług i technologii mikrooptycznych) 

Kontakt w ITME: dr inż. R. Buczyński 

Termin realizacji: 2010 - 2013 

Inne projekty międzynarodowe: 

POLSKO - FRANCUSKI 

PROJEKT POLONIUM 

Czynniki mezo- i makroskopowe w procesie akumulacji defektów radiacyjnych 

Kontakt w ITME: prof. dr hab. inż. J. Jagielski 


Charakteryzacja i modelowanie defektów radiacyjnych w ceramikach 

Kontakt w ITME: dr I. Joźwik 

Termin realizacji: 2010 - 2012 

Cienkie krzemowe monokrystaliczne ogniwa słoneczne z kolektorami fluorescencyjnymi 

Kontakt w ITME: dr inż. G. Gawlik 


Opracowanie metody ilościowej analizy rozkładów defektów złożonych w kryształach 

Kontakt w ITME: prof. dr hab. inż. A. Turos 


Funkcjonalne podfalowe eutektyczne struktury fotoniczne 



Plazmoniczne podzespoły i urządzenia 

Kontakt w ITME: dr A. Kłos 


Opracowanie technologii wytwarzania epitaksjalnego grafenu do zastosowań w tranzystorach nowej 

generacji. 

Kontakt w ITME: prof. dr hab. J. Baranowski, dr inż. W. Strupiński 


Nowe pasty nieorganiczne do hybrydowych drukowanych układów (demonstratorów) 

elektronicznych – Innoinks 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. M. Jakubowska, prof. ITME 


Hybrydowe materiały półprzewodnikowe do przetwarzania energii słonecznej. 

Kontakt w ITME: prof. dr inż. J.W. Augustyński; dr hab. D. A. Pawlak, prof. ITME 


Zobrazowanie radiacyjnej struktury defektowej krzemowych detektorów cząstek dla akceleratorów 

zderzeniowych 

Kontakt w ITME: dr inż. R. Kozłowski 



Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 




Projekty w ramach Funduszy Strukturalnych: 

PROTEUS - Zintegrowany mobilny system wspomagający działania antyterrostyczne i antykryzysowe 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. L. Dobrzański, prof. ITME 


KomCerMet - Kompozyty i Nanokompozyty Ceramiczno-Metalowe dla Przemysłu Lotniczego i Samochodowego 


Termin realizacji: 2008 – 2012 

Wykorzystanie materiałów i konstrukcji inteligentnych do opracowania koncepcji i wykonania innowacyjnego systemu łożyskowania 

wirników mikroturbin energetycznych 



ZAMAT - Zaawansowane materiały i technologie ich wytwarzania 

Kontakt w ITME: dr inż. W. Strupiński 


TEAM - Samo-organizacja dla fotoniki/optoelektroniki 



CEZAMAT - Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. L. Dobrzański, prof. ITME 


SICMAT - Opracowanie technologii otrzymywania nowoczesnych materiałów półprzewodnikowych na bazie węglika krzemu 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. K. Grasza, Dr inż. W. Strupiński 


RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych 

Kontakt w ITME: mgr A. Waga 


MINOS - Centrum Mikro- i Nanotechnologii 

Kontakt w ITME: dr Z. Łuczyński 


Wsparcie ochrony praw własności przemysłowej dla wynalazku dotyczącego sposobu wytwarzania grafenu 

Kontakt w ITME: dr inż. W. Strupiński 


Wsparcie ochrony praw własności przemysłowej dla wynalazku w zakresie elektrochemiczno-mechanicznego polerowania płytek węglika 

krzemu (SiC) 

Kontakt w ITME: mgr H. Sakowska 


Wsparcie ochrony praw własności przemysłowej dla wynalazku w zakresie technologii monokrystalizacji SiC 

Kontakt w ITME: Mgr inż. E. Tymicki 


Wsparcie finansowe ochrony praw własności wynalazków dot. nowej generacji past opartych na nanoproszku srebra przeznaczonych do 

nakładania sitodrukiem 

Kontakt w ITME: dr hab. inż. M. Jakubowska, prof. ITME 



Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



PROJEKTY WSPÓŁFINANSOWANE PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ 

ZE ŚRODKÓW EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO 


Projekty finansowane przez Ministerstwo Nauki i Szkolnictwa Wyższego, Narodowe 

Centrum Nauki, Narodowe Centrum Badań i Rozwoju lub Fundację na rzecz Nauki 

Polskiej: 

Badania struktury defektowej i stanu naprężeń w nanoszonych warstwach epitaksjalnych i implantowanych warstwach epitaksjalnych węglika 

krzemu. 

Badanie wpływu obciążeń punktowych na uszkodzenia układu warstwa - podłoże. Analiza warstw węglowych do zastosowań biomedycznych. 

Dyfrakcyjne elementy do formowania wiązek światła emitowanych przez lasery półprzewodnikowe 

Granulowanie nanoproszków ceramicznych przez wymrażanie-sposób na uzyskanie jakości laserowej przezroczystej ceramiki. 

Krystalizacja politypu 3C-SiC z roztworu węgla w krzemie- badania, wytworzenie kryształów. 

Luminescencyjne nanokrystality o strukturze jednoskośnej (YAM) i regularnej (YAG) rozproszone w wieloskładnikowych szkłach 

nieorganicznych. 

Metoda korekcji stałych mechanicznych, piezoelektrycznych i dielektrycznych kryształów z wykorzystaniem zmierzonych parametrów 

akustycznych fal powierzchniowych. 

Nowa generacja past opartych na nanoproszku srebra do zastosowań w elektronice. 

Nowe aktywne optycznie materiały kompozytowe do zastosowań w źródłach promieniowania na zakres widzialny. 

Opracowanie diod i liniowych matryc diod laserowych dużej mocy optycznej na pasma 808 i 976 nm do celów przemysłowych i pompowania 

optycznego: przykładowe zastosowanie w urządzeniu bezkontaktowego precyzyjnego lutowania i zgrzewania. 

Opracowanie metody wytwarzania elementów mikrooptycznych i dyfrakcyjnych dla średniej podczerwieni ze szkieł nieorganicznych. 

Opracowanie nowej ekologicznej metody wytwarzania złączy ceramika-metal z wykorzystaniem warstw plastycznych. 

Opracowanie technologii otrzymywania przezroczystych, polikrystalicznych materiałów do zastosowań optycznych opartych na spinelu 

glinowo- magnezowym domieszkowanym kobaltem (Co2+:MgAl2O4). 

Opracowanie technologii wytwarzania porowatych preform ceramicznych oraz sposobu modyfikacji ich powierzchni. 

Pasywne modulatory dobroci dla rezonatorów laserowych 

Porównanie i analiza własności generacyjnych cienkowarstwowych, wysokodomieszkowanych laserów ND:YAG pompowanych diodami 

laserowymi w pasmach 808nm i 885nm 

Projektowanie i wytwarzanie światłowodów fotonicznych do zastosowań w zakresie średniej podczerwieni oraz szerokospektralnych 

Projektowanie i wytwarzanie światłowodów fotonicznych ze strukturyzowanym rdzeniem oraz z dwójłomnym płaszczem fotonicznym 

Rezystory grubowarstwowe dla "zielonej elektroniki" na podłoża i folie LTCC. 

Stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza i tłumienie fi lamentacji przez strukturyzację warstwy p-emitera w diodach laserowych dużej 

mocy. 

Struktura i własności magnetyczne amorficznych i nanokrytalicznych stopów Fe-Zr-Si oraz krystalizacja w polu magnetycznym wysokiej 

częstotliwości amorficznych stopów (FeCo)-Zr-Si. 

Technologia zol-żel do wytwarzania nowych materiałów dla dozymetrii termoluminescencyjnej (tlenki domieszkowane manganem, synteza, 

charakteryzacja). 

Węglik krzemu (SiC) domieszkowany wybranymi jonami ziem rzadkich i metali przejściowych jako kandydat do zastosowania w spintronice. 

Właściwości mechaniczne i odporność na szoki termiczne przezroczystej ceramiki Y2O3 w funkcji mikrostruktury i temperatury. 

Włókna fotoniczne do generacji supercontinuum w zakresie średniej podczerwieni. 

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. 

Wykorzystanie przemiany fazowej do konstrukcji układów chłodzenia matryc diod laserowych dużej mocy. 

Wzrost politypu 4H na podłożach o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. 

Zastosowanie inżynierii struktury defektowej do modyfikowania własności elektrycznych niedomieszkowanych monokryształów GaP. 

JUVENTUS 

- Wytwarzanie i charakteryzacja eutektyków półprzewodnikowych do efektywnego przetwarzania energii słonecznej. 

- Próby oszacowania wpływu jonów Mn na właściwości SrTiO3, TiO2, SrTiO3-TiO2 otrzymanych metodą mikrowyciągania. Badanie zjawiska 

magnetoelektrycznego współistnienia w tychże materiałach. 

- Próby krystalizacji perowskitów - monokryształów tlenkowych – zawierających pierwiastki ziem rzadkich oraz jony metali przejściowych, 

badania ukierunkowane na oszacowanie właściwości multiferroicznych otrzymanych związków. 

LIDER 

- Rozwój nano-technologii materiałów III-N dla przyrządów optoelektronicznych powszechnego użytku. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakłady badawczo-naukowe Instytutu: 

Telefon*: 

Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej 

wew. 140, 481 

Czystości 

Samodzielna Pracownia Spektroskopii Mössbauerowskiej wew. 448, 147 

Zakład Badań Mikrostrukturalnych; wew. 115, 420 

Zakład Ceramiki wew. 150, 472 

Zakład Epitaksji wew. 188, 426 

Zakład Epitaksji Związków Półprzewodnikowych wew. 436, 136 

Zakład Kompozytów Ceramiczno-Metalowych i Złączy wew. 485, 416 

Zakład Materiałów Grubowarstwowych wew. 457, 460 

Zakład Optoelektroniki wew. 104, 102 

Zakład Piezoelektroniki wew. 113, 409 

Zakład Szkieł wew. 456, 437 

Zakład Technologii Chemicznych wew. 452, 458 

Zakład Technologii Krzemu (+48) 22 834 99 46 

Zakład Technologii Monokryształów Tlenkowych (+48) 22 834 99 49 

Zakład Technologii Związków Półprzewodnikowych (+48) 22 834 91 86 

Zakład Zastosowań Materiałów AIIIBV (+48) 22 834 97 14 

* Centrala ITME: (+48) 22 835 30 41 – 49 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 

http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl;


Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości 

Laboratorium wykonuje analizy: 

• zanieczyszczeń w materiałach wysokiej czystości; 

• pierwiastków ziem rzadkich; 

• materiałów dla: 

o piezoelektroniki: LiNbO 3, LiTaO 3, LiB 4O 7, kwarc; GdCa 4O(BO 3) 3,:Nd,Yb,Eu,Pr,Tm; 

NdCa 4O(BO 3) 3, LaCa 4O(BO 3) 3 

o optoelektroniki: LiNbO 3, BaB 2O 4; 

o techniki laserowej: YAG: Nd,Er,Ho,Tm,Pr,Yb; Yb 3Al 5O 12: (YbAG):Er; YVO 4:Ho, Yb,Er,Tm; 

GdVO 4:Tm,Er; LuVO 4:Tm,Er; RbNd(WO 4) 2:Yb; La 3La 2Ga 3O 12:Cr; Sr 3Y(BO) 3 (BOYS):Yb; 

Sr xBa 1-xNb 2O 6 (SBN): Ce,Nd, Ca xBa 1-xNb 2O 6 (CBN); 

o scyntylatorów glinowych: LuAlO 3 (LuAP):Pr,Cr,Mo, PrLaAlO 3, LaAlO 3; 

o materiałów nadprzewodzących: SrLaAlO 4, SrLaGaO 4, SrLaGa 3O 7:Ho; NdGaO 3:Y; 

o materiałów na podłoża do epitaksji: GaN, GaAs, GaSb, InP; 

o różnego rodzaju szkieł technicznych i optycznych; 

o złożonych stopów, jak na przykład: AgCu28, AgCuZn, AgSnO 2; WCu25, WCuSb, WCuAgNi, 

WAgSb, WAg25, AgCuNi, CuZn, SnIn, AgNi, PbSnAg, AgCuPd, SnP; 

• ceramik; 

• wody, ścieków i powietrza; 

• chromu (VI) w powłokach cynkowych pasywowanych; 

Prowadzi także badania czynników występujących w środowisku pracy oraz zajmuje się projektowaniem i 

opracowywaniem metod analitycznych, w tym również dla potrzeb ochrony środowiska. 

Laboratorium spełnia wymagania normy PN-EN ISO/IEC 17025:2005. 

Posiada certyfikat Laboratorium Akredytowanego Nr AB 267 udzielony 

przez Polskie Centrum Akredytacji w zakresie: 

Materiał: 

Zawartość 

Woda i ścieki 

Cr, Cu, Pb, Zn, Cd, Fe, Na, K, As, 

Mn, Ni, Mg, 

(0,1÷1000 mg/l) 

AsH 3 

Powietrze na 

(0,019 - 0,19 mg/m 3 ) 

stanowisku pracy PH 3 (0,07 - 1,14 mg/m 3 ) 

NO x (0,5 - 7,0 mg/m 3 ) 

Powłoki cynkowe 

Cr VI 

pasywowane 

(0,02 - 2,00 µg/cm 2 ) 

Laboratorium wykonuje analizy stosując klasyczne 

metody chemiczne oraz nowoczesne techniki 

instrumentalne (spektrometria masowa, spektrometria 

w ultrafiolecie i zakresie widzialnym, płomieniowa 

atomowa spektrometria absorpcyjna, atomowa 

spektrometria absorpcyjna w kuwecie grafitowej). 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Samodzielna Pracownia Spektroskopii Mössbauerowskiej 

Pracownia prowadzi działalność naukowo-badawczą w zakresie fizyki ciała stałego i inżynierii materiałowej, w 

tym w szczególności badania struktury i własności magnetycznych następujących grup materiałów zawierających 

żelazo naturalne lub wprowadzony izotop 57 Fe: 

• amorficzne i nanokrystaliczne stopy żelaza 

• materiały nanokompozytowe 

• multiferroiki 

• perowskity 

• stale 

• cienkie warstwy 

• układy wielowarstwowe 

• nanocząstki powlekane węglem 

• aerozole atmosferyczne (badanie sezonowych zmian koncentracji żelaza, szacowanie wielkości cząstek 

zawierających żelazo, określanie zanieczyszczenia atmosfery). 

Charakteryzacja badanych materiałów jest prowadzona metodą spektroskopii mössbauerowskiej na izotopie 57 Fe 

przy wykorzystaniu źródeł 57 Co: 

• pomiary mössbauerowskie konwencjonalną metodą w geometrii transmisyjnej dostarczają informacji na 

temat własności strukturalnych i magnetycznych materiałów; pomiary można prowadzić w zakresie 

temperatur od 10 K (w kriostacie) do 800 K (w piecyku); 

• pomiary metodą spektroskopii mössbauerowskiej elektronów konwersji (CEMS) i promieniowania X 

(CXMS) umożliwiają badanie własności powierzchniowych stopów; 

• pomiary opracowaną w Pracowni, unikalną w skali światowej metodą "rf-Mössbauer" (pomiar w 

geometrii transmisyjnej w polu magnetycznym wysokiej częstości) umożliwiają badanie miękkich 

własności magnetycznych oraz magnetostrykcji. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Badań Mikrostrukturalnych 

Zakład prowadzi badania podstawowe i aplikacyjne w dziedzinie badań materiałowych. Podstawowe kierunki 

działalności to rozwijanie metod badań i modyfikacji materiałów, a w szczególności badania własności 

strukturalnych, funkcjonalnych i mikrotopografii powierzchni materiałów. 

Prowadzone prace skoncentrowane są na: 

• analizie powierzchni materiałów metodami elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM), 

• badaniach materiałowych przy użyciu wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD), 

• zastosowaniu promieniowania synchrotronowego do badań struktur materiałów elektronicznych, 

• rentgenowskich badaniach wysokotemperaturowych, 

• rozwoju metod numerycznych w zastosowaniu do analizy rentgenowskich profili dyfrakcyjnych 

i reflektometrycznych, 

• rozwoju metod modyfikacji materiałów przy pomocy implantacji jonów , 

• modelowaniu procesów akumulacji defektów radiacyjnych w materiałach stosowanych w inżynierii 

jądrowej, 

• modyfikacji własności funkcjonalnych polimerów, 

• badaniach własności tarciowych i zużyciowych warstwy wierzchniej materiałów, 

• badaniach emisji światła z przyrządów krzemowych. 

Zakład prowadzi również działalność usługową w zakresie: 

• badania mikrostruktury materiałów, 

• implantacji jonów w różnych materiałach, 

• osadzania warstw powierzchniowych. 

Prace Zakładu są cenione na świecie. Jego naukowcy realizują projekt w ramach programu „Open Access”. 

Projekt ten jest pierwszym i jak dotąd jedynym projektem z Polski przyjętym do realizacji przez Pacific Northwest 

National Laboratory (Richland, USA), które jest głównym ośrodkiem badawczym w Stanach Zjednoczonych 

zajmującym się zagadnieniami paliw jądrowych. Realizowany projekt ma na celu analizę defektów radiacyjnych w 

materiałach przewidzianych do produkcji paliw jądrowych i jednocześnie do immobilizacji odpadów 

radioaktywnych powstających w reaktorach energetycznych. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 


Zakład Ceramiki 


Zakład Ceramiki zajmuje się inżynierią materiałów ceramicznych i ceramicznych kompozytów. 

Przedmiotem prac badawczych są nanostrukturalne materiały tlenkowe (AI 2O 3, AI 2O 3 + ZrO 2, ZrO 2 + Y 2O 3, 

Y 2O 3, MgO·Al 2O 3) o bardzo wysokiej wytrzymałości i odporności na pękanie, ścieranie i wstrząsy cieplne. 

Szczególną uwagę poświęca się zależnościom między mikrostrukturą tworzywa a mechanicznymi własnościami 

ceramiki i kompozytów oraz mechanizmom odpowiedzialnym za obserwowane umocnienie materiału. W 

obszarze tym prowadzone są także prace nad właściwościami nadplastycznymi ceramiki. Kolejnym kierunkiem 

działalności prowadzonej w Zakładzie są badania nad otrzymywaniem polikrystalicznych tworzyw 

przezroczystych. W postaci przezroczystej ceramiki wytwarzane są granat itrowo-glinowy tzw. YAG, 

niedomieszkowany lub domieszkowany jonami ziem rzadkich (aktualnie Nd, Yb, Tm i Ce), tlenek itru oraz spinel 

magnezowo- glinowy. 

Na podstawie technologii opracowanych w Zakładzie wytwarzane są wyroby konstrukcyjne z ceramiki 

korundowo-cyrkonowej pracujące w warunkach wstrząsu cieplnego, wyroby z ceramiki cyrkonowej 

stabilizowanej tlenkiem itru (TZP) o doskonałej odporności na pękanie i ścieranie (np. końcówki 

antystatycznych narzędzi regulacyjnych urządzeń elektronicznych), elementy aparatury laboratoryjnej 

wykonywane z ceramiki wysokokorundowej, ceramiki itrowej (Y 2O 3) lub cyrkonowej, np. łódki, tygle, pręty, rurki. 

Zakład świadczy usługi badawcze i pomiarowe z zastosowaniem urządzeń do badań 

wytrzymałościowych (także w podwyższonych temperaturach do 1500 o C) oraz do bezpośredniej obserwacji 

propagacji pęknięć w materiale ceramicznym. Na bazie pieca do badań wytrzymałościowych w podwyższonej 

temperaturze skonstruowano także układ do poddawania szokom termicznym próbek ceramicznych zarówno 

przy chłodzeniu jak i nagrzewaniu. W ofercie jest również pomiar kąta zwilżania przez wodę różnych 

materiałów, urządzaniem Easy–Drop produkcji firmy Kruss. Zakład posiada również stanowisko do pomiaru 

właściwości katalitycznych warstw dwutlenku tytanu, które składa się z komory o pojemności ok. 3 dm 3 

wyposażonej w układ pompowy i podłączonego do komory analizatora gazów, w postaci spektrometru 

masowego. Medium podlegającym degradacji jest etanol. Spektrometr masowy mierzy zmiany składu 

atmosfery gazowej w komorze, w tym zmiany koncentracji etanolu w wyniku fotodegradacji w funkcji czasu 

naświetlania promieniowaniem UV. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Epitaksji 

Zakład składa się z Pracowni Epitaksji Krzemu oraz Pracowni Miernictwa Warstw Epitaksjalnych. Obszary 

działalności Zakładu: 

• wytwarzanie krzemowych warstw epitaksjalnych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej 

(CVD), 

• wytwarzanie warstw epitaksjalnych granatów z wykorzystaniem metody epitaksji z fazy ciekłej, 

• pomiary parametrów krzemowych warstw epitaksjalnych, 

• badanie właściwości centrów defektowych w kryształach materiałów półprzewodnikowych, 

• rozwój metod badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych 

• szerokiej przerwie zabronionej takich jak: GaP, SiC, GaN czy AlN. 

W Zakładzie, miedzy innymi, opracowano technologie wytwarzania najwyższej jakości krzemowych warstw 

epitaksjalnych, a w szczególności warstw epitaksjalnych dla detektorów cząstek o wysokiej energii. 

Opracowano również technologie wytwarzania warstw epitaksjalnych granatów do zastosowań w laserach na 

ciele stałym. 

Zakład ściśle współpracuje z czołowymi ośrodkami na świecie, w tym: 

• z ośrodkiem CERN w ramach programu pt.: Radiation hard semiconductor devices for very high 

luminosity colliders – RD50. Zakres współpracy obejmuje wytwarzanie warstw epitaksjalnych o dużej 

odporności na radiację oraz badanie radiacyjnych centrów defektowych w krzemie napromieniowanym 

dużymi dawkami hadronów. 

• z Laboratoire de Genie Electrique de Paris i Naval Researche Laboratory oraz University of South 

Carolina w zakresie badania centrów defektowych w półprzewodnikach o szerokiej przerwie 

energetycznej. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Epitaksji Związków Półprzewodnikowych 

W Zakładzie wytwarza się struktury epitaksjalne metodą MOCVD /Metal Organic Chemical Vapour Deposition/ i 

CVD /Chemical Vapour Deposition/ związków półprzewodnikowych III-V oraz IV-IV z wykorzystaniem 

profesjonalnych reaktorów firmy AIXTRON. Najwyższej jakości hetero-struktury stosowane są do produkcji 

nowoczesnych przyrządów elektronowych oraz do badań podstawowych. 

• związki III-V: GaAs- , InP-, GaSb- i GaN-pochodne: GaAs, AlAs, AlGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, InAlAs, 

InGaP, GaN, AlN, GaAlN, GaInN, GaSb, GaAlSb, GaInSb, InSb, GaAlAsSb, GaInAsSb, itp. 

Zastosowanie : tranzystory, lasery F-P, lasery VCSEL, lasery QCL, diody LED, detektory, waraktory, 

diody mikrofalowe, SOA, falowody, itp. Wytwarzane struktury: studnie kwantowe (QW), supersieci (SL), 

kropki kwantowe (QD), struktury pseudo- i meta-morficzne, itp. 

• SiC: diody Schottky’ego, fotodetektory, tranzystory; 

• Grafen wytwarzany metodą sublimacji oraz metodą CVD na podłożach SiC, Cu, Ni, W. 

Ważniejsze heterostruktury epitaksjalne opracowane w ostatnim czasie : 

• kwantowe lasery kaskadowe (QCL) na bazie InP; 

• tranzystory HEMT GaN/AlGaN, AlInN/GaN, GaAs/AlGaAs, InP/InGaAs; 

• lasery VCSEL GaAs/AlGaAs oraz InP/InGaAs; 

• fotodetektory GaN/AlGaN; 

• lasery 808nm GaAs/AlGaAs; 

• lasery InGaAsP; 

• ogniwa słoneczne InGaP/Ge; 

• diody Schottky’ego SiC; 

• diody UV GaN/AlGaN; 

• diody LED GaN/InGaN. 

Do charakteryzacji wytwarzanych materiałów w Zakładzie stosowane są różnorodne techniki takie jak: 

mikroskopia optyczna, mikroskopia elektronowa, metoda Hall’a, metoda ECV, pomiary rentgenowskie, 

fotoluminescencja, pomiary mikrofalowe, spektroskopia Ramana i inne. Zakład współpracuje z wieloma 

przodującymi światowymi ośrodkami badawczo-rozwojowymi oraz firmami produkcyjnymi w dziedzinie fizyki ciała 

stałego, technologii elektronowej i elektroniki oraz inżynierii materiałowej. 

Zakład jest między innymi zaangażowany w realizację projektu Epitaxial Graphene Transistor (Opracowanie 

technologii wytwarzania epitaksjalnego grafenu do zastosowań w tranzystorach nowej generacji) w ramach 

EuroGRAPHENE - EPIGRAT finansowanego przez Europejską Fundację Nauki (ESF). 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Kompozytów Ceramiczno-Metalowych i Złączy 

Badania i prace technologiczne prowadzone w Zakładzie koncentrują się wokół: wytwarzania ceramicznometalowych 

materiałów kompozytowych i gradientowych oraz spajania materiałów zaawansowanych, ze 

szczególnym uwzględnieniem zjawisk fizycznych i chemicznych towarzyszącym procesom ich otrzymywania. 

Wytwarzane materiały kompozytowe to m.in.: 

materiały o wysokiej przewodności cieplnej: Cu-C f, Cu-SiC, Cu-AlN; 

materiały stykowe: WC-Ag, W-Cu, W-Cu-Sb, W-Ag; 

materiały konstrukcyjne: Al 2O 3-Cr, Al 2O 3-Mo, Al 2O 3 –NiAl, Al 2O 3-Ni 3Al. 

Materiały te wytwarzane są przy wykorzystaniu techniki metalurgii proszków (mieszanie – konwencjonalne lub 

wysokoenergetyczne; formowanie – prasowanie lub wylewanie folii; spiekanie – swobodne lub pod ciśnieniem) 

lub poprzez spiekanie infiltrowanych ciekłym stopem szkieletów. Przy wytwarzaniu kompozytowych materiałów 

stykowych wykorzystywane są klasyczne metody metalurgii proszków oraz oryginalna technologia nasycania. 

Osobnym zagadnieniem jest opracowywanie technologii spajania materiałów kompozytowych z innymi 

materiałami, w tym nad łączeniem różnorodnych materiałów elektroizolacyjnych (ceramika korundowa, azotkowa, 

węglikowa, szkło) z metalami (miedź, molibden, stopy FeNi, stale) do aplikacji próżniowych, elektronicznych, 

jądrowych i energetycznych. Próżnioszczelne konstrukcje izolowanych przejść prądowych i napięciowych 

lutowane są stopami nisko- i wysokotemperaturowymi wykonanymi głównie ze srebra i miedzi - zależnie od 

warunków eksploatacyjnych i montażowych złączy. 

Opracowane technologie spajania dotyczą: ceramik typu: Al 2O 3, AlN, SiC, Si 3N 4, ZrO 2, metali: Cu, Al, Cr, Mo, 

FeNi, FeNiCo, stal, związków międzymetalicznych: NiAl, FeAl oraz materiałów kompozytowych: Cu-C f, Al 2O 3-Cr, 

Al 2O 3-Mo, WC-Ag, W-Cu, a stosowane techniki to: metalizacja proszkowa, spajanie bezpośrednie, zgrzewanie 

dyfuzyjne, lutowanie w atmosferach ochronnych i aktywne, spajanie z wykorzystaniem FGM. 

Wytwarzamy też warstwy metaliczne na różnorodnych podłożach ceramicznych oraz specjalne podłoża 

warstwowe miedź - ceramika korundowa - miedź wytwarzane techniką spajania bezpośredniego CDB (Copper 

Direct Bonding), materiały przeznaczone do montażu powierzchniowego. Prowadzone są również prace 

badawcze, wdrożeniowe i usługowe (technologia wytopów próżniowych) w zakresie wytwarzania stopów metali. 

Zakład uczestniczy w Programie Operacyjnym Innowacyjna Gospodarka w projektach: 

Kompozyty i nanokompozyty ceramiczno-metalowe dla przemysłu lotniczego i samochodowego 

(KomCerMet), koordynator - IPPT PAN; 

Materiały i konstrukcje inteligentne w budowie mikroturbin energetycznych”, koordynator - Uniwersytet 

Warmińsko-Mazurski w Olsztynie. 

Zakład jest członkiem Konsorcjum prowadzącego prace w ramach 7PR EU w projekcie MATRANS (Micro and 

Nanocrystalline Functionally Graded Materials for Transport Applications), a Kierownik Zakładu jest 

Koordynatorem naukowym tego projektu. Zakład jest członkiem Instytutu KMM-VIN (www.kmm-vin.eu). 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Materiałów Grubowarstwowych 

Przedmiotem prac Zakładu są nowoczesne materiały stosowane w technologii grubowarstwowej, nakładane na 

podłoża techniką sitodruku, a w szczególności: 

• materiały grubowarstwowe przeznaczone na podłoża ceramiczne, wypalane w temperaturach 500 - 

1100°C 

o przewodzące 

o rezystywne 

o dielektryczne na skrzyżowania i do układów wielowarstwowych 

o dielektryczne – zabezpieczające 

• materiały grubowarstwowe przeznaczone na podłoża ceramiczne, fotoformowane UV (380-410 nm) 

wypalane w temperaturach 500 - 1100°C 

o przewodzące 

o dielektryczne na skrzyżowania i do układów wielowarstwowych 

• materiały grubowarstwowe polimerowe, przeznaczone na podłoża elastyczne, utwardzane w 

temperaturze poniżej 200°C (m. in. srebrowe, grafitowe, zawierające luminofory) 

• materiały do specjalnych zastosowań, w tym kompozyty zawierające nanorurki węglowe 

Zakład oferuje również szeroką współpracę w dziedzinie materiałów grubowarstwowych dostosowanych do 

potrzeb i oczekiwań klientów. Prowadzone są badania materiałów o niestandardowych właściwościach zgodnie z 

indywidualnym zapotrzebowaniem zleceniodawców. Udostępniane są niewielkie próbki opracowanych past. 

Ostatnio w Zakładzie, między innymi, badano i opracowano: 

• materiały grubowarstwowe do wytwarzania mikroukładów o wysokiej skali integracji umożliwiających 

łączenie techniki sitodruku z fotolitografią. 

• pasty przewodzące zgodne z Dyrektywą ROHS, tj. nie zawierających ołowiu, kadmu ani ich związków. 

• bezołowiowe pasty szkliwiące do wytwarzania warstw pośrednich stosowanych w połączeniach ceramiki 

z polimerem 

• bezołowiowe pasty rezystywne do wytwarzania rezystorów. 

• pasty przewodzące do wytwarzania (mikro)układów zdolnych do pracy powyżej 300 o C 

• kompozyty zawierające wielościenne nanorurki węglowe, przeznaczone do zastosowań w technologii 

grubowarstwowej. 

Opracowywane materiały najczęściej stosowane są w układach grubowarstwowych, np.: rezystorach, 

termistorach, różnego rodzaju czujnikach, wyświetlaczach. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 


Zakład Optoelektroniki 


Zakład koncentruje się na konstruowaniu i badaniach podzespołów oraz przyrządów elektronicznych na bazie 

materiałów wytwarzanych w innych zakładach ITME, w szczególności laserowych. Zakład składa się z pracowni: 

Pracownia Projektowania i Pomiarów, w której prowadzone są badania z zakresu projektowania i pomiarów: 

• laserów półprzewodnikowych i matryc laserowych, 

• zintegrowanych układów laserowych wykorzystujących wszystkie rozwinięte w ITME technologie materiałów 

laserowych. 

Dla charakteryzacji diod laserowych (DL) i diodowych matryc laserowych (DML) rozwinięte są techniki pomiarów: 

impulsowych charakterystyk mocowo-prądowych i napięciowo-prądowych (P-I-V) w temperaturach 10 – 70ºC; 

charakterystyk P-I-V w reżimie pracy QCW i CW w temperaturach 10 – 70ºC; charakterystyk spektralnych w 

zakresie 400 – 1300 nm (w tym z rozdzielczością czasową do 2 ns, w zakresie spektralnym 450 – 850 nm) 

impulsowych i CW w temperaturach 10 – 70ºC; kątowych charakterystyk promieniowania [pomiary rozkładu 

promieniowania w polu dalekim (FF)]; charakterystyk rozkładu promieniowania w polu bliskim (NF, ~na lustrze 

laserowym). 

Pracownia Technologii Przyrządów, w której wykonywane są usługi technologiczne w zakresie pojedynczych 

operacji lub całych ciągów procesów technologicznych. Posiada linie do: fotolitografii kontaktowej do ścieżek 2 

μm dla płytek o średnicy do 4”, operacji chemicznych, hydromechanicznego i ciśnieniowego mycia płytek o 

średnicy do 4”, a także urządzenia do napylania próżniowego /metodami: sputteringu, elektrowiązkową, 

rezystancyjną/ i montażu struktur przyrządowych (lutowanie, klejenie, bonding ultrakompresyjny). 

Pracownia dysponuje także kompletną technologią wytwarzania przyrządów piezoelektrycznych, urządzeniem 

do precyzyjnej obróbki płytek podłożowych oraz stanowiskami do testowania jakości wykonanych operacji. 

Pracownia Badań Optycznych i Termicznych Materiałów Fotonicznych, zajmująca się badaniami z zakresu 

• spektroskopii materiałów dla optoelektroniki wytwarzanych w ITME, m.in. ceramik laserowych, 

nanoproszków i nanokryształów, polimerów, warstw epitaksjalnych, fotonicznych włókien aktywnych, szkieł, 

kryształów tlenkowych domieszkowanych i współdomieszkowanych jonami ziem rzadkich i metali 

przejściowych (Yb, Nd, Tm, Er, Co, Bi, Ni); 

• układów laserowych wykorzystujących pompowanie diodowe m.in. dla takich materiałów, jak fotoniczne 

włókna aktywne, warstwy epitaksjalne i kryształy tlenkowe; 

• termowizji materiałów i przyrządów optoelektronicznych (profilowanie termiczne, detekcja defektów, 

wykrywanie gorących punktów, kontrola jakości montażu diod i matryc laserowych dużej mocy oraz innych 

przyrządów optoelektronicznych, jak np. ogniw fotowoltaicznych); 

• budowy zaawansowanych układów chłodzenia dla przyrządów optoelektronicznych dużej mocy. 

Wyposażenie: stanowisko do pomiarów spektralnych: monochromator, detektory (chłodzony fotopowielacz na 

zakres widzialny, chłodzony detektor InGaAs), źródła pobudzania (diody i matryce laserowe na zakresy λ = 780, 

808, 885, 911, 976 i 1300 nm, pracujące impulsowo, Q-CW i CW oraz laser argonowy); stanowisko do badań 

laserowych materiałów pompowanych diodowo; stanowisko do badań termicznych materiałów i przyrządów: 

kamera termowizyjna firmy Thermosensorik SM 640 z detektorem InSb (zakres 1,1 – 5,3 µm) i obiektywami IR. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Piezoelektroniki 

Działalność Zakładu Piezoelektroniki dotyczy następujących dziedzin: 

• Pomiary stałych elastycznych, piezoelektrycznych i dielektrycznych nowych kryształów 

piezoelektrycznych. 

• Obliczenia i pomiary Akustycznych Fal Powierzchniowych (AFP), Akustycznych Fal 

Pseudopowierzchniowych (AFPP), Akustycznych Poprzecznych Fal Powierzchniowych (APFP) 

i Akustycznych Modów Płytowych (AMP) w kryształach piezoelektrycznych. 

• Projektowanie i wytwarzanie podzespołów z falami akustycznymi do zastosowań w telekomunikacji i w 

czujnikach piezoelektrycznych. 

• Prace badawcze nad piezoelektrycznymi czujnikami lepkości, temperatury i ciśnienia. 

Następujące projekty badawcze, finansowane z budżetu państwa, zostały zrealizowane w 2011 roku: 

• Pomiary własności akustycznych fal powierzchniowych w krysztale SrLaGa 3O 7. 

• Rezonator kwarcowy z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową do zastosowań w czujnikach 

temperatury. 

• Wykonanie laboratoryjnego miernika lepkości cieczy z akustycznym modem płytowym na niobianie litu 

o orientacji YZ. 

W Zakładzie Piezoelektroniki opracowano program komputerowy do wyznaczenia stałych materiałowych z 

pomiarów akustycznych fal powierzchniowych. Wyznaczono stałe elastyczne, piezoelektryczne i dielektryczne 

kryształu GaN w ramach grantu przyznanego przez Armię USA. 

Wyznaczono także stałe materiałowe kryształu NdCa 4O(BO 3) 3. Kyształ ten jest atrakcyjnym materiałem do 

zastosowań w laserach z powielaniem częstotliwości w wiązkach harmonicznych. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 


Zakład Szkieł 


Działalność badawcza i technologiczna Zakładu obejmuje głównie opracowywanie syntez i metod topienia 

różnych typów szkieł dla optyki, elektroniki i optoelektroniki oraz przetwarzanie szkieł optycznych na różnego typu 

struktury włókniste. 

Zakład specjalizuje się w następujących obszarach: 

• projektowanie i wytwarzanie różnych rodzajów szkieł optycznych i technicznych (w tym szkieł o wysokiej 

transmisji w zakresie VIS, NIR i MidIR; domieszkowanych jonami ziem rzadkich; barwnych na 

absorpcyjne filtry optyczne); 

• odlewanie bloków i rur szklanych (np. rur wykonanych ze szkła boro-krzemianowego o wysokiej 

transmisji optycznej lub z „czarnego szkła” typu EMA); 

• przetwórstwo szkła metodą ceramiczną (mielenie, prasowanie, wypalanie); 

• mechaniczna obróbka szkła metodami cięcia, zakrążania, szlifowania i polerowania (wytwarzanie 

elementów szklanych na preformy do wyciągania włókien); 

• projektowanie i wytwarzanie różnych typów struktur multikapilarowych (np. do nebulizacji cieczy w 

spektrometrach analitycznych); 

• kształtowanie i kalibrowanie cienkościennych rur szklanych (zmiana ich przekroju, kształtu, grubości 

ścianki, średnicy); 

• wyciąganie różnego rodzaju i kształtu prętów optycznych, wielordzeniowych prętów światłowodowych, 

wyspecjalizowanych włókien optycznych; 

• wytwarzanie struktur światłowodowych i obrazowodowych (np. końcówek światłowodowych do lamp 

stomatologicznych, płytek i taperów z optyki włóknistej, obrazowodów prętowych, wyspecjalizowanych 

wiązek światłowodowych, w tym z włókien kwarcowych); 

• opracowywanie i wytwarzanie różnych typów mikrostrukturalnych włókien optycznych typu PCF 

(Photonic Crystal Fiber) ze szkieł wieloskładnikowych (np. włókien nieliniowych do generacji 

supercontinuum, włókien o wysokiej dwójłomności). 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Technologii Chemicznych 

Zakład specjalizuje się w następujących dziedzinach: 

• chemiczna synteza nanokrystalicznych materiałów dla zastosowań w elektronice i optoelektronice, 

• galwaniczne nakładanie powłok, 

• trawienie kształtowe blach metalowych, 

• usuwanie toksycznych substancji ze ścieków przemysłowych, zwłaszcza galwanicznych. 

Nową podjętą tematyką badawczą jest chemiczne i elektrochemiczne wytwarzanie nanopłatków grafenowych. 

Materiały nanokrystaliczne wytwarza się metodami: 

• zol-żel, 

• współstrącania, 

• syntezy spaleniowej. 

Otrzymywane materiały znajdują zastosowanie jako: 

- materiały wyjściowe do wytwarzania ceramik laserowych. Przykładowe produkty: YAG (granat itrowo-glinowy) z 

koncentracją domieszki neodymu aż do 27,5 % at.; Y 4Al 2O 9 (YAM) o strukturze jednoskośnej domieszkowany 

neodymem, granat gadolinowo-galowy Gd 3Ga 5O 12 (GGG) domieszkowany jonami neodymu, europu i erbu oraz 

inne. 

- kompozyty na bazie matryc organicznych i nieorganicznych. Przykładowe produkty: materiały katodowe do 

baterii litowo-jonowych. 

- luminofory świecące w różnych zakresach fal, w tym: luminofor światła białego SrCe 2O 4, nanokrystaliczny Y 2O 3 

współdomieszkowany jonami neodymu i iterbu oraz perowskit itrowo-glinowy, mający zastosowanie w holografii 

oraz dozymetrii termoluminescencyjnej promieniowania jonizującego. 

Zakład wykonuje prace w zakresie nakładania powłok galwanicznych a także prowadzi badania z dziedziny 

galwanotechniki i ochrony środowiska. W szczególności oferujemy: 

• nakładanie powłok galwanicznych ze złota, srebra, miedzi, niklu, palladu i stopowych PdNi20; 

• nakładanie powłok niklu bezprądowego (tzw. chemicznego) Ni-P, zwłaszcza na stopach aluminiowych; 

• polerowanie chemiczne i elektrochemiczne stopów miedzi; 

• pomiary grubości powłok metodą fluorescencji rentgenowskiej; 

• pomiary mikrotwardości powłok; 

• usuwanie toksycznych substancji ze ścieków przemysłowych, w szczególności galwanicznych; 

• precyzyjnym wytrawianiem detali otrzymywanych z folii i blach metalowych przy zastosowaniu 

fotolitografii; 

• metalowe szablony stosowane w technologii montażu powierzchniowego. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Technologii Krzemu 

W laboratoriach Zakładu rozwinęliśmy różne technologie wytwarzania produktów krzemowych, takie jak CZ 

(metoda Czochralskiego), MCZ (magnetyczna metoda Czochralskiego), czy FZ (metoda beztyglowa). Oferujemy 

monokryształy i płytki krzemowe (różnych rodzajów) o średnicach od 50 do 150 mm – standardowe i 

ponadstandardowe. Dostarczamy płytki krzemowe bezpośrednio po cięciu, trawione oraz polerowane jedno- lub 

obustronnie, w zależności od potrzeb. 

Równolegle Zakład prowadzi badania jakości powierzchni płytek i warstw pod powierzchnią oraz nad 

technologiami wytwarzania płytek krzemowych, takimi jak: zastosowania płynnego wosku, metody adhezyjne, 

wybór mieszanek trawiących do trawienia krzemu, eliminacja z powierzchni polerowanych płytek defektów typu 

„haze”, czy poprawa czystości krzemu w polerowanych płytkach do standardów światowych. 

Bada się także defekty typu „haze”, OSF, S-PITS oraz przydatność różnych materiałów do procesów 

geterowania wewnętrznego. 

W Zakładzie opracowano procesy technologiczne wytwarzania krzemu, w których: 

• osiągnięto kontrolowaną zawartość tlenu w monokryształach krzemu na poziomie 6,5 ÷ 8,7*10 17 atomów 

na cm 3 lub 8,7 ÷ 9,5 atomów na cm 3 oraz wdrożono oprogramowanie do automatycznej kontroli 

procesów wzrostu kryształów); 

• sterując warunkami topienia i przepływu argonu znacząco ograniczono wpływ migracji węgla w krzemie 

podczas wzrostu kryształów (standardowa zawartość węgla w wytwarzanych monokryształach krzemu 

jest niższa niż 2,5*10 16 atomów na cm 3 ); 

• uzyskuje się monokryształy Φ 1˝ , Φ2˝ i Φ3” o nietypowych orientacjach (, , , , 

, , , , , ); 

• polerowane płytki krzemowe o średnicach do Φ100 mm i grubościach >2000 µm charakteryzują się 

tolerancją grubości TTV i falistości


Zakład Technologii Monokryształów Tlenkowych 

Zakład prowadzi badania w zakresie wytwarzania nowych materiałów dla optoelektroniki, przede wszystkim w 

postaci monokryształów. Są to materiały: laserowe aktywne, do pasywnej modulacji dobroci rezonatorów 

laserowych (Q-switch), do powielania częstości, scyntylacyjne, podłożowe pod warstwy azotku galu i 

wysokotemperaturowych warstw nadprzewodzących, piezoelektrycznych materiałów do układów elektronicznych 

z falą powierzchniową. 

Równolegle są prowadzone badania nad krystalizacją węglika krzemu, badania nad otrzymywaniem 

materiałów o nieliniowych własnościach optycznych metodą krystalizacji z roztworów wysokotemperaturowych z 

zastosowaniem ekstremalnie niskich gradientów temperatury, badania nad krystalizacją niobianu barowo 

strontowego, który w zależności od stosunku strontu do baru wykazuje własności ferroelektryczne lub 

relaksorowe. 

W Zakładzie opracowano metodę i otrzymywane są kryształy fluorku wapnia i fluorku baru metodą Bridgmana, 

stosowane jako okna na podczerwień. 

Rozwijane też są badania nad otrzymywaniem struktur fotonicznych oraz metamateriałów. 

Zakład realizuje statutowe i strukturalne projekty, a także od wielu lat równolegle międzynarodowe. Obecnie 

jest koordynatorem europejskiego projektu ENSEMBLE /Samoorganizujące się wieloskładnikowe struktury ze 

sterowalnymi niekonwencjonalnymi własnościami elektromagnetycznymi/. Współdziała także w projektach 

europejskich COST. Aktywnie działa w programie TEAM dla młodych naukowców. 

Ostatnio, między innymi, Zakład brał udział w badaniach i pracach technologicznych związanych z 

opracowaniem: 

• samoorganizujących się mikro i nanomateriałów hybrydowych; 

• polikrystalicznego granatu itrowo glinowego Nd:YAG do zastosowań laserowych; 

• materiałów do zastosowań w przełącznikach optycznych na bazie domieszkowania iterbem 

monokryształów tlenkowych zawierających stechiometryczny neodym; 

• krystalizacja i charakteryzacja bikryształów eutektyku SrTiO 3; 

• kompozyty zawierających mikro i nanokryształy boranów do zastosowań w optyce nieliniowej; 

• materiałów na bazie węglika krzemu do zastosowań w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i 

wysokich temperatur; 

• procesów technologicznych monokrystalizacji podłoży z węglika krzemu oraz obróbki powierzchni 

węglika krzemu; 

• samopowielającego się lasera na podczerwień i światło widzialne /światło czerwone, zielone i niebieskie/ 

z wykorzystaniem kryształu GdCOB; 

• nanokrystalicznych materiałów dla optoelektroniki otrzymywane metodą zol-żel; 

• monokryształów YAG:Co +2 i, YVO:Nd , Nd:GdCa 4O(BO 3) 3., YAG:V +3 . 

YAG:Nd 

SBN 

YVO:Nd 

NdGaO 3 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03 



Zakład Technologii Związków Półprzewodnikowych 

Działalność Zakładu polega na: 

• opracowywaniu metod wytwarzania monokryształów związków półprzewodnikowych i innych 

specjalnych materiałów; 

• badaniu właściwości (elektrycznych, strukturalnych i optycznych) materiałów półprzewodnikowych; 

• małoseryjnej produkcji materiałów elektronicznych takich jak związki półprzewodnikowe A III B V (GaAs, 

InAs, GaP, InP, GaSb, InSb) oraz innych o bardzo wysokiej czystości; 

• opracowaniu metod wytwarzania i badaniach nowych materiałów termoelektrycznych i dla spintroniki; 

• opracowaniu metod wytwarzania i badaniach izolatorów topologicznych. 

W Zakładzie, między innymi, opracowano technologie wytwarzania i metody badań jakości związane z 

półprzewodnikami A III B V : 

• B 2O 3 z kontrolowaną zawartością H 2O dla potrzeb krystalizacji związków AIIIBV techniką LEC; 

• injekcyjna metoda syntezy związków A III B V (GaAs, InAs, GaP, InP); 

• monokryształy InAs (średnica 2”, orientacja i ) o koncentracji nośników n6000 cm 2 /Vs; 

• monokryształy i płytki podłożowe InP (średnica 2” i 3”, orientacja ) domieszkowane siarką oraz 

półizolacyjne domieszkowane żelazem i niedomieszkowane o oporności ρ>10 7 Ωcm; 

• monokryształy i płytki podłożowe GaP (średnica 2” i 3”, orientacja , i ) 

domieszkowane siarką i niedomieszkowane o wysokim stopniu czystości, o koncentracji nośników 

n140 cm 2 /Vs; 

• monokryształy i płytki podłożowe GaSb (średnica 2”, orientacja i ) niedomieszkowane o 

wysokiej czystości, domieszkowane na typ n tellurem oraz na typ p krzemem lub cynkiem (Czochralski); 

• jednorodne mieszane monokryształy Ga 1-xIn xAs (x


Zakład Zastosowań Materiałów A III B V 

Zakład opracowuje technologię i konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych na monokrystalicznych 

podłożach i warstwach epitaksjalnych nanoszonych w ITME, a także zapewnia zwrotną informację na temat 

jakości kryształów i warstw. Część z tych przyrządów jest sprzedawana. 

W Zakładzie opracowano: 

• technologię tranzystora MESFET na GaAs wykorzystującą bezpośrednią implantację jonów do 

półizolacyjnego kryształu, 

• układy scalone z GaAs w układach BFL (buffered fet logic), 

• detektory promieniowania X, alfa i gamma z arsenku galu, 

• tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z GaAs/InGaAs/AlGaAs, 

• tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z InP/InGaAs/InAlAs, 

• bolometr i elementy termoczułe wykonane metodą mikromechaniki krzemowej, 

• detektory ultrafioletu oparte na diodach Schottky’ego GaN/AlGaN oraz diodach p-i-n, 

• tranzystory HEMT z GaN/AlGaN, 

• wysokonapięciowe diody Schottky’ego na węgliku krzemu SiC, 

• technologię wytwarzania laserów SCH (separate confinement heterostructure), 

• technologię dyfrakcyjnych elementów optycznych (DOEs), 

• technologię masek chromowych wysokiej jakości do fotolitografii. 


Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03

Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?