Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych<br />
Zakład Technologii Związków Półprzewodnikowych<br />
Działalność Zakładu polega <strong>na</strong>:<br />
• opracowywaniu metod wytwarzania monokryształów związków półprzewodnikowych i innych<br />
specjalnych materiałów;<br />
• badaniu właściwości (elektrycznych, strukturalnych i optycznych) materiałów półprzewodnikowych;<br />
• małoseryjnej produkcji materiałów elektronicznych takich jak związki półprzewodnikowe A III B V (GaAs,<br />
InAs, GaP, InP, GaSb, InSb) oraz innych o bardzo wysokiej czystości;<br />
• opracowaniu metod wytwarzania i badaniach nowych materiałów termoelektrycznych i dla spintroniki;<br />
• opracowaniu metod wytwarzania i badaniach izolatorów topologicznych.<br />
W Zakładzie, między innymi, opracowano technologie wytwarzania i metody badań jakości związane z<br />
półprzewodnikami A III B V :<br />
• B 2O 3 z kontrolowaną zawartością H 2O dla potrzeb krystalizacji związków AIIIBV techniką LEC;<br />
• injekcyj<strong>na</strong> metoda syntezy związków A III B V (GaAs, InAs, GaP, InP);<br />
• monokryształy InAs (średnica 2”, orientacja i ) o koncentracji nośników n6000 cm 2 /Vs;<br />
• monokryształy i płytki podłożowe InP (średnica 2” i 3”, orientacja ) domieszkowane siarką oraz<br />
półizolacyjne domieszkowane żelazem i niedomieszkowane o oporności ρ>10 7 Ωcm;<br />
• monokryształy i płytki podłożowe GaP (średnica 2” i 3”, orientacja , i )<br />
domieszkowane siarką i niedomieszkowane o wysokim stopniu czystości, o koncentracji nośników<br />
n140 cm 2 /Vs;<br />
• monokryształy i płytki podłożowe GaSb (średnica 2”, orientacja i ) niedomieszkowane o<br />
wysokiej czystości, domieszkowane <strong>na</strong> typ n tellurem oraz <strong>na</strong> typ p krzemem lub cynkiem (Czochralski);<br />
• jednorodne mieszane monokryształy Ga 1-xIn xAs (x