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Untersuchung neuartiger Mikrofluidik-Strukturen - Fakultät für Physik ...

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10<br />

Elektrophorese, die Dielektrophorese und die <strong>für</strong> letzteres Phänomen notwendige Erzeugung<br />

von räumlich inhomogenen elektrischen Feldern besprochen.<br />

2.3.1. Elektroosmose<br />

Die in dieser Arbeit verwendeten <strong>Mikrofluidik</strong>chips aus Poly(dimethylsiloxan) (PDMS) und die<br />

Flüssigkeitslösung mit denen diese befüllt sind, können als ein Zwei-Phasen-System betrachtet<br />

werden. Nach von Helmholtz bildet sich an der Grenzfläche zwischen zwei Phasen dieser<br />

Art eine elektrische Doppelschicht aus [38]. In diesem Fall, weil die Silanolgruppen (-SiOH)<br />

der Kanaloberfläche teilweise deprotoniert werden, sobald der Chip mit einer Elektrolytlösung<br />

(pH≥2; z.B. Puffer) befüllt wird [31]. Dadurch entsteht eine negative Oberflächenladung der<br />

Kanalwand, wobei die Ladungsdichte vom pH-Wert abhängt [31]. Zur Abschirmung dieser<br />

Kanalwand-Ladung bildet sich dann in der Flüssigkeit aufgrund der Coulomb-Wechselwirkung<br />

direkt an der Grenzfläche eine Schicht aus Gegenionen (siehe Abbildung 2.4). Diese starre<br />

Schicht aus unbeweglichen positiven Ladungen wird Stern-Schicht genannt. Sie wird durch<br />

ein linear abfallendes Potential charakterisiert und ihre Dicke kann durch die Bjerrum-Länge<br />

lB abgeschätzt werden und entspricht in etwa der Dicke der einzelnen Ionen [39, 40]:<br />

l<br />

B<br />

2<br />

e<br />

= . (2.9)<br />

4πεε<br />

kT<br />

o<br />

Dabei ist ε die Dielektrizitätskonstante der Lösung, k die Boltzmann-Konstante, T die<br />

Temperatur und e die Elementarladung. An diese starre Stern-Schicht schließt sich dann in-<br />

nerhalb des Kanals die diffuse Gouy-Chapman-Schicht an. Diese besteht aus thermisch beweglichen,<br />

schwach gebundenen Gegenionen. Das dazugehörige Potential nimmt mit dem<br />

Abstand zur geladenen Kanaloberfläche exponentiell ab. Der Potentialwert an der Grenze<br />

zwischen diesen beiden Schichten wird als ζ-Potential und dasjenige zwischen der Oberfläche<br />

und der Sternschicht als ψo bezeichnet (siehe Abbildung 2.4).<br />

Sobald das Potential auf das 1/e-fache des Ausgangswertes gefallen ist, entspricht der Ab-<br />

stand der sogenannten Debye-Länge λD. Diese kann unter Annahme einer wässrigen Lösung<br />

bei Raumtemperatur wie folgt angenähert werden [33]:<br />

9<br />

9,<br />

61 10 m<br />

λ D =<br />

. (2.10)<br />

I<br />

Hierbei entspricht I der Ionenstärke, die folgendermaßen über die Valenz der entspre-<br />

chenden Ionen zi und deren Konzentration ci definiert ist:<br />

= I<br />

1<br />

2<br />

∑<br />

i<br />

z<br />

i i c<br />

2<br />

. (2.11)<br />

Die Stern-Schicht und die Gouy-Chapman-Schicht bilden zusammen die sogenannte<br />

elektrische Doppelschicht [41], wie sie in der folgenden Abbildung 2.4 dargestellt ist.

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