Untersuchung neuartiger Mikrofluidik-Strukturen - Fakultät für Physik ...
Untersuchung neuartiger Mikrofluidik-Strukturen - Fakultät für Physik ...
Untersuchung neuartiger Mikrofluidik-Strukturen - Fakultät für Physik ...
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
10<br />
Elektrophorese, die Dielektrophorese und die <strong>für</strong> letzteres Phänomen notwendige Erzeugung<br />
von räumlich inhomogenen elektrischen Feldern besprochen.<br />
2.3.1. Elektroosmose<br />
Die in dieser Arbeit verwendeten <strong>Mikrofluidik</strong>chips aus Poly(dimethylsiloxan) (PDMS) und die<br />
Flüssigkeitslösung mit denen diese befüllt sind, können als ein Zwei-Phasen-System betrachtet<br />
werden. Nach von Helmholtz bildet sich an der Grenzfläche zwischen zwei Phasen dieser<br />
Art eine elektrische Doppelschicht aus [38]. In diesem Fall, weil die Silanolgruppen (-SiOH)<br />
der Kanaloberfläche teilweise deprotoniert werden, sobald der Chip mit einer Elektrolytlösung<br />
(pH≥2; z.B. Puffer) befüllt wird [31]. Dadurch entsteht eine negative Oberflächenladung der<br />
Kanalwand, wobei die Ladungsdichte vom pH-Wert abhängt [31]. Zur Abschirmung dieser<br />
Kanalwand-Ladung bildet sich dann in der Flüssigkeit aufgrund der Coulomb-Wechselwirkung<br />
direkt an der Grenzfläche eine Schicht aus Gegenionen (siehe Abbildung 2.4). Diese starre<br />
Schicht aus unbeweglichen positiven Ladungen wird Stern-Schicht genannt. Sie wird durch<br />
ein linear abfallendes Potential charakterisiert und ihre Dicke kann durch die Bjerrum-Länge<br />
lB abgeschätzt werden und entspricht in etwa der Dicke der einzelnen Ionen [39, 40]:<br />
l<br />
B<br />
2<br />
e<br />
= . (2.9)<br />
4πεε<br />
kT<br />
o<br />
Dabei ist ε die Dielektrizitätskonstante der Lösung, k die Boltzmann-Konstante, T die<br />
Temperatur und e die Elementarladung. An diese starre Stern-Schicht schließt sich dann in-<br />
nerhalb des Kanals die diffuse Gouy-Chapman-Schicht an. Diese besteht aus thermisch beweglichen,<br />
schwach gebundenen Gegenionen. Das dazugehörige Potential nimmt mit dem<br />
Abstand zur geladenen Kanaloberfläche exponentiell ab. Der Potentialwert an der Grenze<br />
zwischen diesen beiden Schichten wird als ζ-Potential und dasjenige zwischen der Oberfläche<br />
und der Sternschicht als ψo bezeichnet (siehe Abbildung 2.4).<br />
Sobald das Potential auf das 1/e-fache des Ausgangswertes gefallen ist, entspricht der Ab-<br />
stand der sogenannten Debye-Länge λD. Diese kann unter Annahme einer wässrigen Lösung<br />
bei Raumtemperatur wie folgt angenähert werden [33]:<br />
9<br />
9,<br />
61 10 m<br />
λ D =<br />
. (2.10)<br />
I<br />
Hierbei entspricht I der Ionenstärke, die folgendermaßen über die Valenz der entspre-<br />
chenden Ionen zi und deren Konzentration ci definiert ist:<br />
= I<br />
1<br />
2<br />
∑<br />
i<br />
z<br />
i i c<br />
2<br />
. (2.11)<br />
Die Stern-Schicht und die Gouy-Chapman-Schicht bilden zusammen die sogenannte<br />
elektrische Doppelschicht [41], wie sie in der folgenden Abbildung 2.4 dargestellt ist.