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1. Thermisch veränderliche Widerstände

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Resistive Sensoren und Thermoelemente Kapitel 2/5<br />

http://www.pegasus-sys.net/FheServices.htm<br />

r<br />

r r<br />

= Q ( v × B)<br />

mit v als Geschwindigkeit und B als magnetische Induktion.<br />

FL e<br />

Abb. 2.<strong>1.</strong> Illustration Lorentz Kraft auf bewegte Elektronen 21<br />

Durch die Lorentz Kraft FL werden die Ladungsträger von ihrer geradlinigen Bahn abgelenkt und durch eine<br />

geeignete Wahl der Sensorgeometrie ergeben sich hiermit stark verlängerte Bahnen für den Stromfluß und<br />

somit eine Erhöhung des elektrischen Widerstandes 22 . Um eine maximale Ausnutzung diese Effektes zu<br />

gewährleisten sollte die Breite groß gegenüber der Länge des Elementes sein. Dies führt auf eine sogenannte<br />

Barber pole Anordnung in der sehr viele magnetisch empfindliche Querstreifen in Serie angeordnet werden.<br />

Abb. 2.2. Feldplatte auf Halbleiterbasis (A) und Barber pole Anordnung für Permalloy<br />

21 Die Kraft berechnet sich aus dem Ex Produkt der beiden Vektoren für die Geschwindigkeit v und der magnetischen<br />

Induktion B. Die Richtung von F läßt sich mit der rechten Hand Regel (Daumen in Richtung der Geschwindigkeit v, B<br />

Zeigefinger , usw.) bestimmen. Für Elektronen als Ladungsträger wirkt die Kraft auf Grund der negativen Ladung des<br />

Elektrons in die Gegenrichtung.<br />

22 Neuere Forschungsergebnisse an extrem dünnen Schichten (im nm Bereich) aus ferro- und unmagnetischen<br />

Materialien zeigen einen extrem starken magnetoresistiven Effekt – GMR Giant Magneto Resistance.<br />

Der physikalische Effekt ist aber nicht mit dem normalen magnetoresistiven Verhalten von Halbleiterschichten<br />

vergleichbar. Konvetionelles magnetoresistives Verhalten ist auf den Halleffekt zufolge der Lorentz Kraft<br />

zurückzuführen. Der GMR ist von der Strom und Feldrichtung unabhängig. Bei beliebiger Ausrichtung der<br />

magnetischen Bezirke (ohne einwirkendes äußeres Magnetfeld) hat das Material seinen maximalen elektrischen<br />

Widerstand. Wirkt ein äußeres Magnetfeld auf die Struktur ein so richten sich die magnetischen Elementarbezirke<br />

(Weiß’schen Bezirke) zufolge des Feldes aus und der elektrische Widerstand fällt drastisch. Der GMR ermöglicht sehr<br />

hohe magnetische Empfindlichkeiten und findet in Biosensorik und Computertechnik (Leseköpfe von HDD) Einsatz.<br />

C.Brunner - Elektronische Sensorik Seite 13/20

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