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Untersuchung organischer Adsorbate auf ... - Markus Lackinger

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Tersoff-Hamann-Modell 10<br />

trapezförmig modelliert und ihre Transmissionswahrscheinlichkeit entsprechend Gl. (1.2)<br />

berechnet worden. Für die notwendigen physikalischen Größen ist eine Barrierenbreite<br />

d =6 Å und eine mittlere Barrierenhöhe ¯Φ=4.5 eV eingesetzt worden. Zum Vergleich sind<br />

die Strom-Spannungs-Kennlinien für 300 K und 30 K simuliert worden, Abb. 1.1(a) zeigt<br />

die I-V Kurven und (b) die zugehörigen Ableitungen.<br />

In Abb. 1.1(a) läßt sich ein Einsetzen des Tunnelstroms beobachten, noch bevor durch<br />

die anliegende Potentialdifferenz das Fermi-Niveau der Spitze die Zustände der Probe<br />

erreicht. Die Ursache hierfür ist das Tunneln aus höheren, durch thermische Anregung<br />

besetzten Niveaus. Erwartungsgemäß ist dieser Effekt umso ausgeprägter, je größer die<br />

Temperatur ist, deutlicher zu sehen anhand der in Abb. 1.1(a) eingeschobenen Vergrößerung.<br />

Im Grenzfall T=0 K kann erst ein Tunnelstrom fließen, wenn das Fermi-Niveau<br />

der Spitze <strong>auf</strong> Höhe der unbesetzten Zustände kommt. Diese thermische Verbreiterung<br />

manifestiert sich auch in den differenzierten Kurven, wie Abb. 1.1(b) bezeugt. Ein zweiter<br />

mit diesem einfachen Modell erklärbarer Effekt ist in den I-V Kurven sichtbar. Übersteigt<br />

das Fermi-Niveau der Spitze die unbesetzten Zustände der Probe, fällt der Tunnelstrom<br />

wieder ab. Der Grund hierfür ist, daß sich die effektive Barriere für Tunnelübergänge<br />

in diese Zustände mit wachsender Tunnelspannung erhöht und dadurch der Tunnelstrom<br />

wieder sinkt. Ein vergleichbarer Effekt kann auch experimentell z.B. bei der Spektroskopie<br />

eines zweidimensionalen Oberflächenzustands beobachtet werden. Trotz der konstanten<br />

Zustandsdichte im Energieraum sinkt nach dem Erreichen der unteren Bandkante des<br />

Oberflächenzustands das dI/dV-Signal wieder ab [Li97].<br />

1.2 Tersoff-Hamann-Modell<br />

Die erste, für das dreidimensionale Tunnelproblem im STM spezifische Theorie ist von<br />

Tersoff und Hamann entwickelt worden und gilt nach wie vor als Standardmodell [Ter83,<br />

Ter85]. Obwohl es <strong>auf</strong>grund der gemachten Einschränkungen nicht für alle experimentellen<br />

Bedingungen geeignet erscheint, lassen sich doch grundlegende Aussagen ableiten.<br />

Der Tunnelstrom ist im Tersoff-Hamann-Modell durch folgenden Ausdruck gegeben:<br />

I = 2πe<br />

<br />

∑<br />

µ,ν<br />

[<br />

]<br />

f(E µ ) 1 − f(E ν + eV ) |M µν | 2 δ(E µ − E ν ) (1.4)<br />

Die Indizierung läuft über die Zustände der Probe, respektive der Spitze, f(E) gibt<br />

die Besetzungswahrscheinlichkeiten an. Durch die δ-Funktion werden ausschließlich elastische<br />

Tunnelübergänge berücksichtigt, für die E ν = E µ gilt. Inelastische Tunnelübergänge<br />

tragen nur zu einem kleinen Teil zum Gesamtstrom bei und können in den meisten Fällen<br />

vernachlässigt werden, sind aber dennoch zur Spektroskopie z.B. molekularer Vibrationen<br />

geeignet [Sti98].<br />

Die Berechnung des Tunnelstroms erfolgt analog zu der aus zeitabhängiger Störungstheorie<br />

erster Ordnung gewonnenen Fermi’schen ”<br />

Goldenen Regel“. Das dabei <strong>auf</strong>tretende<br />

Matrixelement M µν enthält die Übergangswahrscheinlichkeiten für Übergänge zwischen<br />

den Zuständen µ und ν. Es wurde von Bardeen als Oberflächenintegral über eine nahezu<br />

beliebig liegende Separationsfläche zwischen Probe und Spitze abgeleitet [Bar61] und<br />

kann wie folgt berechnet werden:

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