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Leistungselektronik<br />
die Halbleiter-Leistungskomponenten mit hohen Spannungen und Strömen arbeiten. Die<br />
Durchbruchspannung des Übergangs hängt von den Dotierungen beider Zonen ab.<br />
Zu den Leistungs-Halbleitern zählen Thyristoren, GTO-Thyristoren, MCT-Thyristoren, IGCT-<br />
Thyristoren, Super Junction Transistors (SJT), LASCR, Silicon Controlled Switches (SCS), Static<br />
Induction Transistors (S<strong>IT</strong>) und Static Induction Thyristors (S<strong>IT</strong>H).<br />
Leistungshalbleiter-Komponenten werden in den verschiedensten TO-Packages wie dem TO-3<br />
oder dem TO-220 oder in Modulform geliefert.<br />
IGCT, integrated gate<br />
commutated thyristor<br />
IGCT-Thyristor<br />
Integrated Gate Communicated Thyristors (IGCT) sind Schaltkomponenten der<br />
Leistungselektronik. Ein IGCT-Thyristor entspricht funktional dem GTO-Thyristor, Gate Turn Off.<br />
Es ist ein steuerbarer Leistungsschalter, der über das Gate ein- und ausgeschaltet werden<br />
kann. IGCTs zeichnen sich durch eine hohe Dynamik zwischen dem Ein- (On) und Aus-Zustand<br />
(Off) aus und unterscheiden sich<br />
gegenüber GTO-Thyristoren durch die<br />
schnellere Schaltgeschwindigkeit.<br />
IGCT-Thyristoren bestehen im<br />
Wesentlichen aus zwei elementaren<br />
Teilen: der GCT-Thyristorstruktur und<br />
der Gate-Einheit, die so nah als<br />
möglich am GCT-Teil angebracht ist.<br />
Daher auch die Bezeichnung<br />
Integrated. Die Integration beider<br />
Teile ist notwendig, um störende<br />
IGCT-Thyristor für 10 kV, Foto: ABB<br />
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