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Leistungselektronik<br />

Bipolare Transistoren, MOSFETs und SBR-Dioden werden in Schaltnetzteilen und DC/DC-<br />

Wandlern eingesetzt, GTO-Thyristoren und IGCT-Thyristoren in der Stromrichtertechnik. Die<br />

Anforderungen an leistungselektronische Bauelemente sind hohe Sperrspannungen, niedrige<br />

Schaltverluste und vor allem hohe Schaltströme.<br />

Leistungshalbleiter<br />

Leistungshalbleiter sind Halbleiter-Bauelemente, die speziell für das Schalten von hohen<br />

Strömen und Spannungen entwickelt wurden. Während konventionelle Halbleiter Ströme unter<br />

1 A und Spannungen<br />

von bis zu 100 V<br />

schalten, sind diese<br />

willkürlich gewählten<br />

Werte die unteren<br />

Grenzwerte für<br />

Leistungshalbleiter.<br />

Nach oben hin liegen<br />

die derzeit<br />

realisierbaren<br />

technischen Grenzen<br />

bei Schaltspannungen<br />

von 10 kV und mehr<br />

und bei Schaltströmen<br />

von mehreren Kilo-<br />

Arbeitsbereiche von Leistungshalbleitern<br />

Ampere. Daher<br />

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