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Leistungselektronik<br />
Bipolare Transistoren, MOSFETs und SBR-Dioden werden in Schaltnetzteilen und DC/DC-<br />
Wandlern eingesetzt, GTO-Thyristoren und IGCT-Thyristoren in der Stromrichtertechnik. Die<br />
Anforderungen an leistungselektronische Bauelemente sind hohe Sperrspannungen, niedrige<br />
Schaltverluste und vor allem hohe Schaltströme.<br />
Leistungshalbleiter<br />
Leistungshalbleiter sind Halbleiter-Bauelemente, die speziell für das Schalten von hohen<br />
Strömen und Spannungen entwickelt wurden. Während konventionelle Halbleiter Ströme unter<br />
1 A und Spannungen<br />
von bis zu 100 V<br />
schalten, sind diese<br />
willkürlich gewählten<br />
Werte die unteren<br />
Grenzwerte für<br />
Leistungshalbleiter.<br />
Nach oben hin liegen<br />
die derzeit<br />
realisierbaren<br />
technischen Grenzen<br />
bei Schaltspannungen<br />
von 10 kV und mehr<br />
und bei Schaltströmen<br />
von mehreren Kilo-<br />
Arbeitsbereiche von Leistungshalbleitern<br />
Ampere. Daher<br />
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