Ausscheidung

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Keimbildung homogen <strong>Ausscheidung</strong> kann mit gleicher Wahrscheinlichkeit an allen Orten des übersättigten Mischkristalls stattfinden heterogen Keimbildung findet an energetisch günstigen Stellen statt z.B. an Versetzungen, inneren Grenzflächen in realen Festkörpern bevorzugt unterschiedliche Energiebilanzen Institut für Metallkunde 16
homogene Keimbildung: Änderung der freien Enthalpie bei homogener Keimbildung ∆G = −∆G Umwandlung + ∆G Oberfläche + ∆G Verzerrung Annahme: Keim = starre Kugel ∆G = 4 π r 3 3 ( − ∆gV + ∆g el ) + 4π r 2 γ αβ r: Radius eines kugelförmigen Keims ∆g V : Änderung der spezifischen freien Enthalpie (d.h. pro Volumeneinheit) beim Übergang vom übersättigten MK in den <strong>Ausscheidung</strong>szustand Diese Energie wird frei Triebkraft! ∆g el : spezifische elastische Verzerrungsenergie; muss aufgebracht werden γ αβ : spezifische (d.h. pro Flächeneninheit) Grenzflächenenergie zwischen Matrix α und Teilchen β Institut für Metallkunde 17
Seite 1 und 2: 1 Einführung reine Metalle i.a. s
Seite 3 und 4: Institut für Metallkunde 3
Seite 5 und 6: Erhöhen der mechanischen Festigkei
Seite 7 und 8: Grenzflächen Matrix - Ausscheidung
Seite 9 und 10: c) inkohärent •Grenzfläche hat
Seite 11 und 12: Ablauf der kontinuierlichen Entmisc
Seite 13 und 14: T GG Institut für Metallkunde 13
Seite 15: 2.2 Keimbildung Keimbildung im fest
Seite 19 und 20: Abschätzen der einzelnen Glieder d
Seite 21 und 22: ∆ G Verzerrung E 2 = ⋅δ Φ 1
Seite 23 und 24: Zusammenfassung - Keimbildung: Die
Seite 25 und 26: Wachstumsgesetz: x = Φ 2 D B t x:
Seite 27 und 28: mit zunehmender Zeit Max. der Aussc

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