13 Leitung Festkoerper.pdf
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Störstellenleitung in n-Halbleitern<br />
Einbau von Verunreinigungen<br />
(Dotierung) in Silizium (4 wertig)<br />
E<br />
<strong>Leitung</strong>sband<br />
∆E D ≈ k B T<br />
e -<br />
Valenzband<br />
5-wertige Atome: Antimon (Sb) oder Arsen<br />
ein Elektron frei: n-Typ<br />
Tiefe Temperaturen e in Donatorniveau<br />
∆E D < k B T bei Raumtemperatur<br />
⇒ zusätzliches Elektron im LB<br />
n-Dotierung<br />
leer<br />
gefülltes Donatorniveau<br />
gefüllt<br />
Antimon dotiertes<br />
n-Silizium<br />
Störstellenleitung in p-Halbleitern<br />
3-wertige Atome: Bor<br />
ein Elektron fehlt: p-Typ<br />
Tiefe Temperaturen e in Valenzband<br />
∆E A < k B T bei Raumtemperatur<br />
⇒ Elektron in Akzeptorniveau<br />
Valenzband nicht mehr voll besetzt („Loch“)<br />
<strong>Leitung</strong> möglich<br />
E<br />
<strong>Leitung</strong>sband<br />
∆E A ≈ k B T<br />
p-Dotierung<br />
leer<br />
leeres Akzeptorniveau<br />
e -<br />
Valenzband<br />
e +<br />
„Löcher“<br />
gefüllt<br />
Bor dotiertes<br />
p-Silizium<br />
6
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