13 Leitung Festkoerper.pdf
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Temperaturabhängigkeit Halbleiter<br />
Leitfähigkeit<br />
Bereich 1) Ladungsträger aus Donatorniveau (Verunreinigung)<br />
gelangen ins <strong>Leitung</strong>sband (bzw. vom Valenzband ins Akzeptorniveau), bei<br />
Raumtemperatur alle im LB, Leitfähigkeit proportional zu Anzahl der<br />
Verunreinigungen: Fremdleitung<br />
Bereich 2) Leichte Reduktion der Leitfähigkeit aufgrund von reduzierter<br />
Beweglichkeit mit Temperaturzunahme (siehe Metalle)<br />
Bereich 3) Leitfähigkeit eines Halbleiters nimmt mit zunehmender Temperatur<br />
weiter zu, thermische Energie reicht aus um LT ins <strong>Leitung</strong>sband zu bringen:<br />
Eigenleitung<br />
E<br />
Bändermodell Isolatoren<br />
<strong>Leitung</strong>sband<br />
leer<br />
∆E >> k B T<br />
z.B. Diamant<br />
gefüllt<br />
In Isolatoren werden alle Elektronen für Bindung benötigt<br />
Keine Ladungsträger im <strong>Leitung</strong>sband<br />
Abstand so groß, dass bei normalen Temperaturen keine Ladungsträger<br />
ins <strong>Leitung</strong>sband gelangen<br />
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