Beispiel 5 Drei abgeschirmte Leiter - IGTE

Beispiel 5 

Drei abgeschirmte Leiter 

Beispiel TET1V ES Dreielektrodenproblem 

In einer metallischen Abschirmung mit den Abmessungen 8.5 cm mal 7 cm sind drei Leiter angeordnet 

(Bild 5.1). Zwei Leiter haben einen quadratischen Querschnitt mit einer Seitenlänge 

von 2 cm, die Abrundung der Ecken ist 2.5 mm. Der dritte Leiter hat einen kreisförmigen 

Querschnitt mit einem Radius von 5 mm. 

Die quadratischen Leiter haben einen Abstand von 1 cm vom linken Rand, einen gegenseitigen 

Abstand von 1 cm und der untere Leiter einen Abstand von 0.5 cm vom Boden der 

Abschirmung. Der Leiter mit dem kreisförmigen Querschnitt befindet sich auf gleicher Höhe 

wie der obere quadratische Leiter und hat von diesem einen horizontalen Abstand von 2 cm. 

Es soll die Teilkapazitätsmatrix (bzw. die Kapazitätskoeffizienten) der Anordnung bestimmt 

werden. Im speziellen soll der Fall untersucht werden, wo zwischen den beiden quadratischen 

Leitern eine Spannung U anliegt und der kreisförmige Leiter sich auf freiem Potenzial befindet. 

Bild 5.1: Drei Leiter mit rechteckiger Abschirmung 

100

5. Drei abgeschirmte Leiter Modellierung des Problems 

5.1 Modellierung des Problems 

5.1.1 Anlegen des Problem Ordners 

Es wird ein neuer Problemordner mit dem Namen TET1V ES Dreielektrodenproblem angelegt. 

5.1.2 Aufrufen von Tiler2D und erste Eingaben 

Mit dem Untermenüpunkt PreProcess/Graphic Preprocessor oder mit der Symbol-Schaltfläche 

wird der grafische Präprozessor Tiler2Dgestartet. 

Im Dialogfeld Initialize Grid Properties wird die Anzahl der Gitterelemente auf 10 x 10 gesetzt, 

da für die entwickelnde Struktur eine höhere Anzahl als 5 x 5 nötig sein wird. Eine genaue 

Kenntnis der Anzahl der Gitterelemente ist nicht nötig, da diese später nach Bedarf geändert 

werden kann. 

Im Dialogfeld Boundary Conditions wird auf allen vier Seiten das Potenzial Null vorgegeben 

(homogene Dirichlet’sche Randbedingungen). 

5.1.3 Änderungen der Gitterabmessungen 

Im Dialogfeld Grid Structure wird mittels der Schaltfläche X - Direction das Dialogfeld 

Grid Column Editing aufgerufen. Hier wird aus dem Listenfeld die erste Spalte durch Anklicken 

ausgewählt und danach im Bearbeitungsfeld Delta-X1 die Breite der ersten Spalte auf 0.0075 m 

reduziert. Diese Änderung wird durch Anklicken der Schaltfläche Update im Gruppenfeld Update 

gespeichert, wobei der Radio-Button global gedrückt bleibt. Auf dieselbe Weise werden 

die Gitterspalte 2 auf eine Breite von 0.005 m, die Spalte 3 auf 0.015 m und die Spalte 4 auf 

0.005 m gesetzt (Dialog 5.1). 

Danach wird im Dialogfeld Grid Structure mittels der Schaltfläche Y - Direction das Dialogfeld 

Grid Row Editing aufgerufen. Hier wird aus dem Listenfeld die erste Gitterzeile durch 

Anklicken ausgewählt und danach im Bearbeitungsfeld Delta-Y1 die Höhe der ersten Gitterzeile 

auf 0.0025 m reduziert. Diese Änderung wird durch Anklicken der Schaltfläche Update im 

Gruppenfeld Update gespeichert, wobei der Radio-Button global gedrückt bleibt. (Dialog 5.2) 

Auf dieselbe Weise werden die Gitterzeile 2 auf eine Breite von 0.05 m, die Zeile 3 auf 0.015 m, 

die Zeile 4 auf 0.005 m, die Zeile 5 auf 0.005 m, die Zeile 6 auf 0.005 m, die Zeile 7 auf 0.015 m 

und die Zeile 8 auf 0.005 m gesetzt. 

Das Ergebnis dieser Eingaben ist im Bild 5.2 zu sehen. 

101 Tutorial EleFAnT2D


Dialog 5.1: Änderung der Breite 

der ersten vier Gitterspalten 

Dialog 5.2: Änderung der Höhe 

der ersten acht Gitterzeilen 

Bild 5.2: Ergebnis der Eingaben entsprechend Dialog 5.1 und Dialog 5.2 



5.1.4 Modellierung der quadratischen Leiter mit abgerundeten 

Kanten 

Als nächstes können nun die beiden quadratischen Leiter mit den abgerundeten Kanten modelliert 

werden. Dazu wird aus dem Dialogfeld Special Structures durch Anklicken des Buttons 

Rounded Rectangle das Dialogfeld Rounded Structure aufgerufen. 

Das Gebiet des ersten Leiters wird festgelegt, indem im Gruppenfeld Select grid elements 

mittels der Editboxen die Werte für X-left, Y-down, X-right und Y-up mit 2, 2, 4 und 4 eingegeben 

werden. Durch Drücken des Buttons Add wird die Struktur in das Listenfeld Rounded 

structure items übernommen (Dialog 5.3 und Bild 5.3). 

Der im Dialogfeld Rounded Structure vorgeschlagene Radius ist mit 0.0025 m bereits der 

Gewünschte, dies hängt mit der Festlegung der entsprechenden Breiten bzw. Höhen der Gitterspalten 

bzw. Gitterhöhen zusammen. Ansonsten muss der gewünschte Radius in der Editbox 

Radius eingestellt werden. 

Dialog 5.3: Eingaben für den ersten quadratischen 

Leiter mit abgerundeten Kanten 

Bild 5.3: Erster quadratischen Leiter mit abgerundeten 

Kanten 



5.1.4.1 Randbedingung festgelegen 

Bevor der zweite quadratische Leiter modelliert wird, soll im ersten Leiter noch die Dirichletsche 

Randbedingung festgelegt werden. Dazu wird im Dialog Rounded Structure der Button 

Boundary Condition angeklickt, um den Dialog Boundary Condition zu öffnen. Hier wird 

sodann die Checkbox Enable BC aktiviert und in der Editbox Value inner rounded das Potenzial 

mit beispielsweise 1 V vorgegeben (Dialog 5.4). 

Durch Anklicken von OK wird der Dialog Boundary Condition geschlossen. Bevor der zweite 

quadratische Leiter modelliert werden kann, müssen im Dialog Rounded Structure die Eingaben 

mittels des Buttons Replace gesichert werden. Davor wird allerdings noch der Name 

der eingegebenen Struktur in der Editbox Item name auf Leiter 1 geändert und der Name 

Region01 in der Editbox Region name gelöscht. 

Dialog 5.4: Potenzialvorgabe für den ersten Leiter 

5.1.4.2 Zweiter Leiter 

Nach Anklicken des Buttons Replace kann der zweite Leiter modelliert werden. Dazu wird 

zuerst der Gitterbereich festgelegt, indem im Gruppenfeld Select grid elements mittels der 

Editboxen die Werte für X-left, Y-down, X-right und Y-up mit 2, 6, 4 und 6 eingegeben werden. 

Durch Drücken des Buttons Add wird die Struktur in das Listenfeld Rounded structure 

items übernommen. Der Name der eingegebenen Struktur in der Editbox Item name wird auf 

Leiter 2 geändert und der Name Region01 in der Editbox Region name gelöscht. Die Eingaben 

sind im Dialog 5.5 und das Ergebnis im Bild 5.4 zu sehen. 

Als letzter Schritt wird noch der Dialog Boundary Condition aufgerufen und der Wert des 

Potenzials in der Editbox Value inner region auf 0 geändert. 

Mit OK erfolgt der Ausstieg aus dem Dialog Boundary Condition und durch Anklicken 

der Buttons Replace und OK wird der Dialog Rounded Structure geschlossen. 



Dialog 5.5: Eingaben für den zweiten Leiter 

Bild 5.4: Zweiter quadratischer Leiter mit abgerundeten 

Kanten 

5.1.5 Weitere Änderungen der Gitterabmessungen 

Im Dialogfeld Grid Structure wird mittels der Schaltfläche X - Direction das Dialogfeld 

Grid Column Editing erneut aufgerufen. Es wird aus dem Listenfeld die fünfte Gitterspalte 

durch Anklicken ausgewählt und danach im Bearbeitungsfeld Delta-X1 die Breite der Spalte 

auf 0.015 m erhöht. Diese Änderung wird durch Anklicken der Schaltfläche Update im Gruppenfeld 

Update gespeichert, wobei der Radio-Button global gedrückt bleibt. Auf dieselbe Weise 

werden die Gitterspalte 6 auf eine Breite von 0.015 m und die Spalte 7 auf 0.0225 m gesetzt. 

Zuletzt werden die Gitterspalten 8, 9 und 10 durch Anklicken der entsprechenden Zeilen im 

Listenfeld ausgewählt und mittels des Buttons Delete gelöscht. Der Radio-Button global im 

Gruppenfeld Delete bleibt dabei aktiviert. Alle Einstellungen sind im Dialog 5.6 gezeigt. 

Danach wird im Dialogfeld Grid Structure mittels der Schaltfläche Y - Direction das Dialogfeld 

Grid Row Editing aufgerufen. Hier wird aus dem Listenfeld die neunte Gitterzeile 

durch Anklicken ausgewählt und danach im Bearbeitungsfeld Delta-Y9 die Höhe der Gitterzeile 

auf 0.0125 m erhöht. Diese Änderung wird durch Anklicken der Schaltfläche Update im 



Gruppenfeld Update gespeichert, wobei der Radio-Button global gedrückt bleibt. Zum Schluss 

wird die nicht benötigte Gitterzeile 10 mittels des Buttons Delete gelöscht. Das Endergebnis 

ist im Bild 5.5 dargestellt. 

Dialog 5.6: Endgültige Einstellungen der Gitterstruktur 

in X-Richtung Bild 5.5: Endgültige Struktur ohne Leiter 3 

5.1.6 Modellierung des Leiters 3 mit kreisförmigen Querschnitt 

Als letzter Leiter wird nun der kreiszylindrische Leiter 3 modelliert (siehe auch Beispiel 

TET1V ES Zylinderelektrode U - Bsp. 2). Dazu wird aus dem Dialogfeld Special Structures 

durch Anklicken des Buttons Circle das Dialogfeld Circular Structure aufgerufen, im Gruppenfeld 

Select Grid Element mittels der Editboxen X und Y das Gitterelement (6,7) ausgewählt 

und mit dem Button Add in das Listenfeld Circular structure items übernommen. 

Danach wird in der Editbox Item name der Name Leiter 3 eingegeben, in der Editbox Region 

name der Name Region01 gelöscht und in der Editbox Radius der Wert 0.005 m eingegeben. 

Abschließend wird noch der Dialog Boundary Condition aufgerufen und die Check-Box Enable 

BC aktiviert. Der in der Editbox Value inner circle angebotene Potenzialwert 0 V wird 

beibehalten. 


5. Drei abgeschirmte Leiter Berechnung 

Bild 5.6: Endgültige Struktur 

Nach Drücken von OK und Anklicken von Replace und OK im Dialog Circular Structure 

sind alle Eingaben abgeschlossen. 

5.1.7 Beenden von Tiler2D 

Nach dem Schließen aller geöffneten Dialogfelder durch Anklicken der entsprechenden Schaltflächen 

OK wird mit dem Untermenüpunkt File/Exit im Hauptfenster von Tiler2D das 

Präprozessorprogramm Tiler2D beendet und es kann die Berechnung durch Anklicken der 

Symbol-Schaltfläche oder mittels der Untermenüpunkte Compute/Output Interactive bzw. 

Compute/Output to File durchführt werden. 

5.2 Berechnung 

Nach dem Modellieren des Problems mit Tiler2D und Ausstieg aus diesem sind der Menüpunkt 

Compute in der Menüleiste des Hauptfensters von EleFAnT2D bzw. die Symbol-Schaltfläche 

(dieser entspricht dem Untermenüpunkt Compute/Output Interactive) im darunter liegenden 

Toolbar nicht mehr ausgegraut, die Berechnung kann durch Anklicken der Symbol- 

Schaltfläche oder mittels der Untermenüpunkte Compute/Output Interactivebzw. Compute/Output 

to File durchführt werden. 

Die Anzahl der finiten Elemente kann mittels des Untermenüpunktes PostProcess/Problem 

Info wie schon in den vorangegangenen Beispielen beschrieben, ausgegeben werden. Sie beträgt 

817, d.h. es kann mit der Demo-Version (800 finite Elemente) nur gerechnet werden, 


5. Drei abgeschirmte Leiter Berechnung der Teilkapazitätsmatrix 

wenn z.B. in der ersten Gitterzeile im Tiler2D, Dialogfeld Grid Row Editing die finite Elementunterteilung 

von 3 auf 2 gesetzt wird (Dialog 5.7). Das Ergebnis ist im Bild 5.7 gezeigt, 

die Anzahl der finiten Elemente beträgt nun 793. 

Mit der Studentenversion lässt sich die Anzahl der finiten Elemente noch wesentlich erhöhen. 

Dialog 5.7: Die Unterteilung der ersten Gitterzeile wird auf 2 gesetzt 

5.3 Berechnung der Teilkapazitätsmatrix 

5.3.1 Berechnung der Teilkapazitäten durch Integration über die 

Leiteroberflächen 

Wie in ([1]) beschrieben, werden die Kapazitätskoeffizienten c ij durch Berechnung der Ladungen 

auf den Leiteroberflächen ermittelt, indem nur jeweils ein Leiter an einem Potenzial 

ungleich 0 V (günstigerweise 1 V) liegt. 



Bild 5.7: Struktur mit 793 finiten Elementen 

Dieser Zustand ist gerade eingegeben, das Bild 5.8 (mit Tracer2D erstellt) zeigt die Potenzialverteilung 

und die Vektoren der elektrischen Feldstärke. Im Dialog 5.8 sind die mit 

dem Postprozessor inTegrals2D berechneten Ladungen auf den drei Leitern ersichtlich. Sie 

entsprechen, da das Potenzial V 1 des ersten Leiters mit 1 V vorgegeben wurde, auch den Kapazitätskoeffizienten 

c 11 , c 12 und c 13 . 

Der Koeffizient c 11 ist positiv (da V 1 positiv), die anderen beiden sind dann negativ. 

Im nächsten Schritt wird der zweite Leiter auf das Potenzial 1 V gelegt und die anderen beiden 

auf 0 V. Das Ergebnis ist im Bild 5.9 und im Dialog 5.9 zu sehen. 

Hier ist c 22 positiv und c 21 sowie c 23 sind negativ. 

Bild 5.8: Leiter 1 auf 1 V, Leiter 2 und Leiter 3 auf 0 V 



Dialog 5.8: Die Ladungen entsprechen den Kapazitätskoeffizienten c 11 , c 12 und c 13 


Im nächsten Schritt wird der zweite Leiter auf das Potenzial 1 V gelegt und die anderen beiden 

auf 0 V. Das Ergebnis ist im Bild 5.10 und im Dialog 5.10 zu sehen. 

Hier ist c 33 positiv und c 31 sowie c 32 sind negativ. 

5.3.2 Kapazitätskoeffizienten - Teilkapazitäten 

Eigentlich müsste die Teilkapazitätsmatrix symmetrisch sein [1], sie ist es aber wegen der numerischen 

Lösung nicht. Die Ladungen werden durch Integration der Flächenladungen über 

die Elektrodenoberflächen berechnet (siehe auch Beispiel TET1V ES Zylinderelektrode U - 






Bsp. 2): 

[c] = 

= 

⎡ 

⎤ 

c 11 c 12 c 13 

⎢ 

⎣ c 21 c 22 c 23 

⎥ 

⎦ = 

c 31 c 32 c 33 

⎡ 

⎤ 

9.6652927 ∗ 10 −11 −2.0948836 ∗ 10 −11 −2.5039521 ∗ 10 −12 

⎢ 

⎣ −2.0950101 ∗ 10 −11 7.2122600 ∗ 10 −11 −7.1144007 ∗ 10 −12 

⎥ 

⎦ F/m 

−2.5071669 ∗ 10 −12 −7.1306476 ∗ 10 −12 3.0289847 ∗ 10 −11 



Bild 5.11: Teilkapazitäten C ij 

Die Teilkapazitäten C ij werden aus den Kapazitätskoeffizienten entsprechend 

C ij = −c ij i ≠ j und C ii = ∑ j 

c ij 

berechnet. Sie sind im Bild 5.11 eingezeichnet. 

Damit ergibt sich folgende Teilkapazitätsmatrix: 

[C] = 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

⎤ 

7.3200139 ∗ 10 −11 2.0948836 ∗ 10 −11 2.5039521 ∗ 10 −12 

2.0950101 ∗ 10 −11 4.4058099 ∗ 10 −11 7.1144007 ∗ 10 −12 

2.5071669 ∗ 10 −12 7.1306476 ∗ 10 −12 2.0652034 ∗ 10 −11 

⎥ 

⎦ F/m 

Die Teilkapazitäten C 11 , C 22 und C 33 können direkt mit inTegrals2D berechnet werden, 

in dem im Dialogfeld Select Domain Items alle drei Leiter (Leiter 1, Leiter 2 und Leiter 3 ) 

selektiert werden. Das Oberflächenintegral über alle drei Leiter entspricht genau der Beziehung 

C ii = ∑ j 

c ij 

Die Teilkapazität C 11 erhält man dabei aus der Verschaltung nach Bild 5.8, C 22 aus der 

Verschaltung nach Bild 5.9 und C 33 aus der Verschaltung entsprechend Bild 5.10. 

5.3.3 Berechnung der Teilkapazitäten über die elektrische Energie 

Um die sechs Teilkapazitäten aus der elektrischen Energie zu bestimmen, müssen diese zu 

sechs verschiedenen Zweipolen verschaltet werden, deren Kapazitäten C i dann aus der Energie 

folgen. Aus den Bildern 5.12 bis 5.17 sind diese sechs Schaltungen ersichtlich. 



Bild 5.12: Parallelschaltung von C 11 , C 12 und 

C 13 ergibt die Kapazität C 1 

Bild 5.13: Parallelschaltung von C 11 , C 22 , C 13 

und C 23 ergibt die Kapazität C 2 





Bild 5.16: Parallelschaltung von C 22 , C 33 , 

C 12 und C 13 ergibt die Kapazität C 5 





Damit können die sechs unbekannten Teilkapazitäten durch Invertieren des Gleichungssystems 

ermittelt werden. 

⎛ 

⎜ 

⎝ 

Matrix der Kapazitätskoeffizienten: 

[c] = 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

Teilkapazitätsmatrix: 

[C] = 

1 1 1 0 0 0 

1 0 1 1 1 0 

1 0 0 1 0 1 

0 1 0 1 1 0 

0 1 1 1 0 1 

0 0 1 0 1 1 

⎞ 

⎛ 

∗ 

⎟ ⎜ 

⎠ ⎝ 

⎞ 

C 11 

C 12 

C 13 

C 22 

C 23 

⎟ 

⎠ 

C 33 

⎛ 

= 

⎜ 

⎝ 

⎞ 

C 1 

C 2 

C 3 

C 4 

C 5 

⎟ 

⎠ 

C 6 

⎤ 

9.7215653 ∗ 10 −11 −2.1063445 ∗ 10 −11 −2.5246132 ∗ 10 −12 

7.2558144 ∗ 10 −11 −7.1712495 ∗ 10 −12 

⎥ 

⎦ F/m 

3.0534572 ∗ 10 −11 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

⎤ 

7.3627595 ∗ 10 −11 2.1063445 ∗ 10 −11 2.5246132 ∗ 10 −12 

4.4323450 ∗ 10 −11 7.1712495 ∗ 10 −12 

⎥ 

⎦ F/m 

2.0838710 ∗ 10 −11 

5.3.4 Berechnung der Teilkapazitäten bei einer feineren finiten Elementstruktur 

Zuerst wird die finite Elementunterteilung der Gitterspalten im Dialogfeld Grid Column Editing 

wie im Dialog 5.11 gezeigt geändert. 

Danach wird die finite Elementunterteilung der Gitterzeilen im Dialogfeld Grid Row Editing 

geändert (Dialog 5.12). 

Das Ergebnis ist im Bild 5.18 zu sehen. 



Dialog 5.11: Erhöhung der finiten Elementunterteilung 

in Gitterspalten 

Dialog 5.12: Erhöhung der finiten Elementunterteilung 

in Gitterzeilen 

Bild 5.18: Neue finite Elementunterteilung entsprechend Dialog 5.11 und Dialog 5.12 



5.3.4.1 Berechnung der Teilkapazitäten durch Integration über die Leiteroberflächen 

bei einer feineren finiten Elementstruktur 

Nun werden, wie bereits im Beispiel TET1V 1 1b 2002 - Abschnitt 3.1.2.1 für den Kreis 

beschrieben, die beiden quadratischen Leiter mit einem ”konzentrischen” Bereich von 0.5 mm 

Breite umgeben, um die finite Elementunterteilung in der unmittelbaren Umgebung der Leiter 

optimal zu verfeinern. Dazu wird im Dialogfeld Rounded Structure im Listenfeld Rounded 

structure items z.B. der Leiter 1 ausgewählt. Danach wird in der Editbox Set number of regions 

durch Eingabe von 2 ein zweiter Bereich hinzugefügt und mit der Editbox Select region 

die Region02 ausgewählt. Da die Region02 0.5 mm breit sein soll, wird der Radius mit der 

Editbox Radius von 2.5 mm auf 3 mm erhöht. Abschließend wird noch die Unterteilung in 

der Editbox Subdivision auf den Wert 2 eingestellt und die Einstellungen durch Drücken der 

Schaltfläche Replace gesichert. Die Einstellungen sind im Dialog 5.13 gezeigt. 

Diese Prozedur wird anschließend auch für den Leiter 2 durchgeführt. 

Der Leiter 3 mit kreisförmigem Querschnitt wird ebenfalls mit einem konzentrischen Bereich 

mit 0.5 mm Breite umgeben. Diese Prozedur, die praktisch identisch mit der oben beschriebenen 

ist, wurde auch bereits im Beispiel TET1V ES Zylinderelektrode Q beschrieben, die 

Einstellungen sind im Dialog 5.14 zu sehen. 

Als Ergebnis ergibt sich die Matrix der Kapazitätskoeffizienten zu 

[c] = 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

⎤ 

9.7164493 ∗ 10 −11 −2.1052593 ∗ 10 −11 −2.5233402 ∗ 10 −12 

−2.1052643 ∗ 10 −11 7.2521535 ∗ 10 −11 −7.1674979 ∗ 10 −12 

−2.5231389 ∗ 10 −12 −7.1674526 ∗ 10 −12 3.0519172 ∗ 10 −11 

und die Teilkapazitätsmatrix zu 

[C] = 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

⎤ 

7.3588560 ∗ 10 −11 2.1052593 ∗ 10 −11 2.5233402 ∗ 10 −12 

2.1052643 ∗ 10 −11 4.4301213 ∗ 10 −11 7.1674979 ∗ 10 −12 

2.5231389 ∗ 10 −12 7.1674526 ∗ 10 −12 2.0828582 ∗ 10 −11 

⎥ 

⎦ F/m 

⎥ 

⎦ F/m 



Dialog 5.13: Hinzufügen eines 0.5 mm 

breiten Gebietes um den Leiter 1 

Dialog 5.14: Hinzufügen eines 0.5 mm 

breiten Kreisringes um den Leiter 3 

5.3.4.2 Berechnung der Teilkapazitäten über die elektrische Energie bei einer 

feineren finiten Elementstruktur 

Bei der Berechnung mit der feineren finiten Elementstruktur ergibt sich die Matrix der Kapazitätskoeffizienten 

zu 

⎡ 

⎤ 

9.7215653 ∗ 10 −11 −2.1063445 ∗ 10 −11 −2.5246132 ∗ 10 −12 

[c] = ⎢ 

⎣ 

7.2558146 ∗ 10 −11 −7.1712495 ∗ 10 −12 

⎥ 

⎦ F/m 

3.0534574 ∗ 10 −11 

und die Teilkapazitätsmatrix zu 

[C] = 

⎡ 

⎢ 

⎣ 

⎤ 

7.36194200 ∗ 10 −11 2.1063445 ∗ 10 −11 2.5246132 ∗ 10 −12 

4.4321064 ∗ 10 −11 7.1712495 ∗ 10 −12 

⎥ 

⎦ F/m 

2.0836596 ∗ 10 −11 


14. Beispiel - Ferromagnetische Platte im hom. Magnetfeld Ergebnisse 

14.2.2.2 Verluste in der Platte - Multi Conductor 

Die zweite Möglichkeit besteht in der Auswahl Multi Conductor aus der Dropdown-Liste Selected 

Quantity (Dialog 14.18) und der Auswahl All Conductors im Dialogfeld Select Domain Items 

(Dialog 14.19). Die Ergebnisse sind im Dialog 14.20 zu sehen. Der vorgegebene Strom ist 

tatsächlich Null und aus Symmetriegründen ist auch die Leerlaufspannung je Meter Null. 

Dialog 14.18: Die Auswahl Multi Conductor 

wird getroffen 

Dialog 14.19: Die Auswahl All Conductors 

wird getroffen 

Dialog 14.20: Ergebnisse für die Platte 


Literaturverzeichnis 

[1] Theorie der Elektrotechnik 1, Vorlesung - Skriptum 

225

Beispiel 5 Drei abgeschirmte Leiter - IGTE

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