Aktueller denn je: die sekundäre Synchrongleichrichtung - PuA24.net
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46 D&V-SPEZIAL: LEISTUNGSELEKTRONIK FACHBEITRAG<br />
<strong>Aktueller</strong> <strong>denn</strong> <strong>je</strong>: <strong>die</strong> sekundäre<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
Schnelle MOSFETs mit geringem R DS(ON) verdrängen zunehmend<br />
<strong>die</strong> herkömmlichen Dioden aus den Netzteil-Gleichrichtern<br />
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www.duv24.net<br />
Mit dem Einsatz eines sekundären<br />
Synchrongleichrichters<br />
kann der Wirkungsgrad<br />
eines Schaltnetzteils<br />
deutlich erhöht werden. Stetige<br />
Neuentwicklungen von<br />
MOSFETs mit sehr niedrigen<br />
Einschaltwiderständen und<br />
geringen parasitären Kapazitäten<br />
machen <strong>die</strong>se Art der<br />
Gleichrichtung für viele Anwendungen<br />
der Leistungselektronik<br />
immer interessanter.<br />
Der exemplarische<br />
Vergleich einer Eintakt-Flusswandler-basierenden<br />
Stromquelle<br />
mit klassischer Diodengleichrichtung und sekundärer <strong>Synchrongleichrichtung</strong> verdeutlicht<br />
<strong>die</strong>sen Trend. STEFAN JESCHKE<br />
STEFAN JESCHKE ist<br />
Entwicklungsingenieur<br />
bei der Leistungselektronik Jena<br />
KONTAKT<br />
s.<strong>je</strong>schke@lej.de<br />
S<br />
eit dem kommerziellen Einsatz<br />
von Schaltnetzteilen werden für<br />
<strong>die</strong> Gleichrichtung der Transformator-Ausgangsspannung<br />
zumeist<br />
Dioden benutzt. Ein möglicher Leistungsstromkreis<br />
eines Eintakt-Flusswandlers mit<br />
einer solchen Diodengleichrichtung (Dioden<br />
D1 und D2 im Flusszweig, Dioden D3 und D4<br />
im Freilaufzweig) ist in Abb. 1 dargestellt. In<br />
Abhängigkeit von der Eingangsspannung U I ,<br />
der Transformatorübersetzung sowie des Ansteuerregimes<br />
des primärseitigen Leistungstransistors<br />
entsteht <strong>die</strong> Transformator-Ausgangsspannung<br />
U S . Abb. 2 stellt unter anderem<br />
einen möglichen idealen zeitlichen Verlauf von<br />
U S dar. Während <strong>die</strong> Dioden D1 und D2 in der<br />
Flussphase (0 – t 1 ) leitend sind, leiten <strong>die</strong> Dioden<br />
D3 und D4 den Strom in der Freilaufphase<br />
(t 1 bis T S ). Nach der Periodendauer T S der<br />
Schaltfrequenz wiederholt sich <strong>die</strong>ser Vorgang<br />
zyklisch. Durch den Flusszweig fließt der Strom<br />
I Fl , durch den Freilaufzweig der Strom I Fr .Die<br />
ideale zeitliche Abhängigkeit <strong>die</strong>ser Ströme ist<br />
ebenfalls beispielhaft in Abb. 2 gezeigt. Sind <strong>die</strong><br />
Dioden in einem Zweig leitend, entstehen an ihnen,<br />
bedingt durch <strong>die</strong> Schleusenspannung U F<br />
und den differentiellen Widerstand r D <strong>die</strong> so genannten<br />
Leitendverluste. Kennt man den einfachen<br />
Mittelwert I F(AV) und den Effektivwert<br />
I F(RMS) des Stromes durch den Flusszweig bzw.<br />
D&V Juni 2005
durch den Freilaufzweig der Diodengleichrichtung,<br />
dann können mittels Gleichung 1 <strong>die</strong> Leitendverluste<br />
im Flusszweig bzw. im Freilaufzweig<br />
errechnet werden.<br />
Diese Gleichung gilt allerdings nur bei guter<br />
thermischer Kopplung aller n Dioden gleichen<br />
Typs im <strong>je</strong>weiligen Zweig. Gleichung 1 zeigt,<br />
dass durch das Parallelschalten weiterer Dioden<br />
in einem Zweig, <strong>die</strong> Leitendverluste gesenkt<br />
werden können. Allerdings sind <strong>die</strong>ser Verlustleistungsminimierung<br />
Grenzen gesetzt. Das<br />
Produkt aus der Schleusenspannung U F (abhängig<br />
von der Sperrschichttemperatur T J ) und<br />
dem Mittelwert des Stromes I F(AV) bleibt vom<br />
Parallelschalten der Dioden nämlich unberührt.<br />
Damit können <strong>die</strong> Leitendverluste beim Parallelschalten<br />
von Dioden nur bis zu einem Verlustleistungswert<br />
nahe U F (TJ)•I F(AV) minimiert<br />
werden. Dieser Verlustleistungswert ist bei vielen<br />
Schaltnetzteilen nicht unerheblich und spiegelt<br />
sich in einem schlechten Wirkungsgrad des<br />
Netzteils wider. Dieser Nachteil der klassischen<br />
Diodengleichrichtung kann unter bestimmten<br />
Umständen durch den Einsatz eines sekundären<br />
Synchrongleichrichters beseitigt werden.<br />
Der sekundäre<br />
Synchrongleichrichter<br />
Die rasante Weiterentwicklung von Leistungs-<br />
MOSFETs in den letzten Jahren, bei der unter<br />
anderem der Einschaltwiderstand R DS(ON) der<br />
MOSFETs drastisch sank, hat in der Leistungselektronik<br />
eine Möglichkeit der Gleichrichtung<br />
von Wechselspannungen sehr interessant gemacht:<br />
<strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong>. Hierbei ersetzen<br />
geeignete MOSFETs <strong>die</strong> bisher eingesetzten<br />
Dioden. Werden <strong>die</strong> MOSFETs auf der<br />
Sekundärseite eines Schaltnetzteils für <strong>die</strong><br />
Gleichrichtung benutzt, spricht man von einer<br />
sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong>. Modifiziert<br />
man entsprechend <strong>die</strong> klassische Diodengleichrichtung<br />
der Abbildung 1, erhält man einen<br />
Eintakt-Flusswandler mit sekundärer<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong> gemäß Abbildung. 2.<br />
Dabei sind <strong>die</strong> wesentlichen Ströme und Spannungen<br />
identisch mit denen der Diodengleichrichtung.<br />
Die Synchrongleichrichter-MOSFETs<br />
V1, V2, V3 und V4 werden von der Baugruppe<br />
„Ansteuerung Synchrongleichrichter“, abhängig<br />
von der Transformator-Ausgangsspannung U S ,<br />
ein- bzw. ausgeschalten. Ist U S größer Null<br />
(Flussphase), dann werden <strong>die</strong> MOSFETs V1<br />
und V2 eingeschaltet, <strong>die</strong> MOSFETs V3 und V4<br />
hingegen ausgeschaltet. In der folgenden Freilaufphase,<br />
in der U S kleiner oder gleich Null ist,<br />
sind <strong>die</strong> MOSFETs V1 und V2 ausgeschaltet.<br />
Den Strom durch <strong>die</strong> Drossel L leiten nun <strong>die</strong><br />
MOSFETs V3 und V4. Die Ansteuerung der<br />
MOSFETs ist hinsichtlich geringer Verluste<br />
beim Ein- und Ausschalten – man spricht hierbei<br />
von Schaltverlusten – zu optimieren. Die<br />
Qualität eines Synchrongleichrichters lässt sich<br />
oftmals auch an <strong>die</strong>sem Kriterium messen,<br />
<strong>denn</strong> <strong>die</strong> Schaltverluste eines Synchrongleichrichters<br />
sollten gleich oder kleiner als <strong>die</strong><br />
Schaltverluste eines Diodengleichrichters sein.<br />
Sind <strong>die</strong> MOSFETs eingeschaltet, entstehen,<br />
bedingt durch ihren Einschaltwiderstand<br />
R DS(ON) , Leitendverluste. Kennt man <strong>die</strong>sen<br />
Widerstand, <strong>die</strong> ungefähre Sperrschichttemperatur<br />
T J der MOSFETs sowie den Effektivstrom<br />
I F(RMS) im entsprechenden Gleichrichter-<br />
Zweig, kann man für den Flusszweig bzw. den<br />
Freilaufzweig <strong>die</strong> Leitendverluste nach folgender<br />
Formel berechnen:<br />
Die Leitendverluste im Gleichrichterzweig sind,<br />
wie in Gleichung 2 zu sehen ist, umgekehrt proportional<br />
der Anzahl parallel geschalteter MOS-<br />
FETs. Damit können <strong>die</strong> Leitendverluste beim<br />
Synchrongleichrichter auf ein solches Maß reduziert<br />
werden, dass sie in der Verlustleistungsbilanz<br />
des Schaltnetzteils kaum noch eine Rolle<br />
spielen. Bei der Entscheidung für oder gegen eine<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong> müssen allerdings<br />
auch <strong>die</strong> Kosten für <strong>die</strong> MOSFETs und deren<br />
Ansteuerung in Betracht gezogen werden. Derzeit<br />
bringt <strong>die</strong> sekundäre <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
unter Berücksichtigung aller Kosten<br />
erhebliche Vorteile bei Schaltnetzteilen mit Ausgangsspannungen<br />
bis 30 V und Ausgangsströmen<br />
zwischen 5 und 30 A.<br />
Beispiel: Konstant-Stromquelle<br />
mit 12 A<br />
Anhand einer Konstant-Stromquelle mit einem<br />
Ausgangsspannungsbereich von 0 bis 7 V und<br />
einem Ausgangsstrom von 12 A soll nun der<br />
Vorteil einer sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
sichtbar gemacht werden. Übernimmt <strong>die</strong><br />
Energieübertragung in <strong>die</strong>ser Stromquelle ein<br />
Eintakt-Flusswandler, wie er in den Abb. 1 bzw.<br />
2 dargestellt ist, sollten moderne Leistungshalbleiter<br />
mit Sperrspannungen von mindestens 30 V<br />
bei der sekundären Gleichrichtung Verwendung<br />
finden. Beispielhaft wurde bei <strong>die</strong>ser Stromquelle<br />
<strong>die</strong> Schottky-Diode 32CTQ030 von<br />
International Rectifier für <strong>die</strong> Diodengleichrichtung<br />
bzw. der Power-MOSFET IRLR7833,<br />
ebenfalls von IR, für <strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
ausgewählt. Die Berechnung der Leitendverluste<br />
für <strong>die</strong> Dioden- bzw. <strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong>,<br />
gemäß den Gleichungen 1 und<br />
2, führt zu den in Abbildung 3 (oben) dargestellten<br />
Ergebnissen. Deutlich zeigt sich hier<br />
▲<br />
D&V Juni 2005
48<br />
D&V-SPEZIAL: LEISTUNGSELEKTRONIK FACHBEITRAG<br />
Abb. 1: Eintakt-Flusswandler mit klassischer Diodengleichrichtung<br />
Abb. 2: Sekundärer Synchrongleichrichter eines Eintakt-Flusswandlers<br />
der oftmals entscheidende Vorteil einer sekundären<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong>: Die Leitendverluste<br />
der MOSFETs sind wesentlich geringer, als<br />
<strong>die</strong> der Dioden. Die gesamten Leitendverluste<br />
verringern sich beim Einsatz eines MOSFETs<br />
pro Zweig (<strong>Synchrongleichrichtung</strong>) ungefähr<br />
um den Faktor 4,5 gegenüber einer Diode pro<br />
Zweig (Diodengleichrichtung). Vergleicht man<br />
<strong>die</strong> Leitendverluste bei zwei Halbleitern pro<br />
Zweig steigt der Faktor auf einen Wert von rund<br />
7,5. Bei vier Halbleitern pro Zweig unterscheiden<br />
sich <strong>die</strong> Leitendverluste gar um den<br />
Faktor 11,5.<br />
Die Entscheidung für eine <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
sollte mit <strong>die</strong>sen Rechenergebnissen<br />
nicht schwer fallen. Zum praktischen Vergleich<br />
zwischen Diodengleichrichtung und sekundärer<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong> wurde <strong>die</strong> Konstantstromquelle<br />
aber trotzdem mit beiden<br />
Gleichrichterschaltungen aufgebaut. In den<br />
Gleichrichterzweigen wurden <strong>je</strong> zwei Leistungshalbleiter<br />
eingesetzt. Damit entspricht der<br />
Schaltungsaufbau <strong>je</strong>weils genau den Stromlaufplänen<br />
der Abbildungen 1 bzw. 2. Nach erfolgreicher<br />
Inbetriebnahme der beiden Schaltungsvarianten<br />
wurden neben den Leitendverlusten<br />
auch <strong>die</strong> Schaltverluste der sekundären Leistungshalbleiter<br />
gemessen. Die Messergebnisse<br />
entsprachen hierbei den Erwartungswerten. Die<br />
Abbildung 3 (unten) stellt <strong>die</strong> praktisch erzielten<br />
Abb. 3: Leitendverluste der<br />
sekundären Gleichrichtung<br />
mit Dioden bzw. MOSFETs<br />
(oben) und gemessene Verlustleistungen<br />
der sekundären<br />
Leistungshalbleiter<br />
(unten)<br />
Ergebnisse dar. Die Leitendverluste liegen im<br />
Bereich der errechneten Werten und auch<br />
<strong>die</strong> gemessenen Schaltverluste (Schaltfrequenz:<br />
80 kHz) entsprechen den angestrebten Werten.<br />
Fazit<br />
Die „Konstant-Stromquelle 12 A“ vertritt beispielhaft<br />
viele Schaltnetzteile, bei denen der<br />
Einsatz einer sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
unter technischen sowie wirtschaftlichen<br />
Gesichtspunkten sinnvoll ist. Besonders gilt <strong>die</strong>s<br />
für Netzteile mit einer Ausgangsspannung kleiner<br />
30 V und Ausgangsströmen bis 30 A. Mit einem<br />
sekundären Synchrongleichrichter kann<br />
sich das Kühlkonzept eines Schaltnetzteils wesentlich<br />
vereinfachen. Durch den Einsatz von<br />
MOSFETs, <strong>die</strong> nicht mehr zwangsweise an einen<br />
Kühlkörper montiert werden müssen, verringern<br />
sich <strong>die</strong> Abmessungen der Gleichrichterschaltung.<br />
Ein weiterer Vorteil ist <strong>die</strong> bessere<br />
elektromagnetische Verträglichkeit des Synchrongleichrichters.<br />
Durch den Wegfall der<br />
Kühlkörper der sekundären Leistungshalbleiter<br />
können auch keine Störströme – hervorgerufen<br />
durch steile Schaltflanken (du/dt) der Leistungshalbleiter<br />
– über <strong>die</strong>se Kühlkörper fließen. Damit<br />
reduzieren sich bei Schaltnetzteilen <strong>die</strong><br />
Gleichtaktstörungen zum Teil erheblich. Die<br />
gegenüber der Diodengleichrichtung auftretenden<br />
höheren Entwicklungskosten amortisieren<br />
sich aus den genannten Gründen schnell. Durch<br />
<strong>die</strong> stetige und sehr rasche Weiterentwicklung<br />
von schnell schaltenden MOSFETs mit geringem<br />
Einschaltwiderstand, wird <strong>die</strong> sekundäre<br />
<strong>Synchrongleichrichtung</strong> in den nächsten Jahren<br />
auch bei solchen Schaltnetzteilen Anwendungen<br />
finden, <strong>die</strong> Ausgangsspannungen größer 30 V<br />
bereitstellen. Damit wird der sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />
in der Leistungselektronik<br />
kommender Jahre eine noch größere Beachtung<br />
zukommen, als <strong>die</strong>s bereits heute der Fall ist. ■<br />
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DV065013 ><br />
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