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Aktueller denn je: die sekundäre Synchrongleichrichtung - PuA24.net

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46 D&V-SPEZIAL: LEISTUNGSELEKTRONIK FACHBEITRAG<br />

<strong>Aktueller</strong> <strong>denn</strong> <strong>je</strong>: <strong>die</strong> sekundäre<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

Schnelle MOSFETs mit geringem R DS(ON) verdrängen zunehmend<br />

<strong>die</strong> herkömmlichen Dioden aus den Netzteil-Gleichrichtern<br />

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Beitrag als PDF auf<br />

www.duv24.net<br />

Mit dem Einsatz eines sekundären<br />

Synchrongleichrichters<br />

kann der Wirkungsgrad<br />

eines Schaltnetzteils<br />

deutlich erhöht werden. Stetige<br />

Neuentwicklungen von<br />

MOSFETs mit sehr niedrigen<br />

Einschaltwiderständen und<br />

geringen parasitären Kapazitäten<br />

machen <strong>die</strong>se Art der<br />

Gleichrichtung für viele Anwendungen<br />

der Leistungselektronik<br />

immer interessanter.<br />

Der exemplarische<br />

Vergleich einer Eintakt-Flusswandler-basierenden<br />

Stromquelle<br />

mit klassischer Diodengleichrichtung und sekundärer <strong>Synchrongleichrichtung</strong> verdeutlicht<br />

<strong>die</strong>sen Trend. STEFAN JESCHKE<br />

STEFAN JESCHKE ist<br />

Entwicklungsingenieur<br />

bei der Leistungselektronik Jena<br />

KONTAKT<br />

s.<strong>je</strong>schke@lej.de<br />

S<br />

eit dem kommerziellen Einsatz<br />

von Schaltnetzteilen werden für<br />

<strong>die</strong> Gleichrichtung der Transformator-Ausgangsspannung<br />

zumeist<br />

Dioden benutzt. Ein möglicher Leistungsstromkreis<br />

eines Eintakt-Flusswandlers mit<br />

einer solchen Diodengleichrichtung (Dioden<br />

D1 und D2 im Flusszweig, Dioden D3 und D4<br />

im Freilaufzweig) ist in Abb. 1 dargestellt. In<br />

Abhängigkeit von der Eingangsspannung U I ,<br />

der Transformatorübersetzung sowie des Ansteuerregimes<br />

des primärseitigen Leistungstransistors<br />

entsteht <strong>die</strong> Transformator-Ausgangsspannung<br />

U S . Abb. 2 stellt unter anderem<br />

einen möglichen idealen zeitlichen Verlauf von<br />

U S dar. Während <strong>die</strong> Dioden D1 und D2 in der<br />

Flussphase (0 – t 1 ) leitend sind, leiten <strong>die</strong> Dioden<br />

D3 und D4 den Strom in der Freilaufphase<br />

(t 1 bis T S ). Nach der Periodendauer T S der<br />

Schaltfrequenz wiederholt sich <strong>die</strong>ser Vorgang<br />

zyklisch. Durch den Flusszweig fließt der Strom<br />

I Fl , durch den Freilaufzweig der Strom I Fr .Die<br />

ideale zeitliche Abhängigkeit <strong>die</strong>ser Ströme ist<br />

ebenfalls beispielhaft in Abb. 2 gezeigt. Sind <strong>die</strong><br />

Dioden in einem Zweig leitend, entstehen an ihnen,<br />

bedingt durch <strong>die</strong> Schleusenspannung U F<br />

und den differentiellen Widerstand r D <strong>die</strong> so genannten<br />

Leitendverluste. Kennt man den einfachen<br />

Mittelwert I F(AV) und den Effektivwert<br />

I F(RMS) des Stromes durch den Flusszweig bzw.<br />

D&V Juni 2005


durch den Freilaufzweig der Diodengleichrichtung,<br />

dann können mittels Gleichung 1 <strong>die</strong> Leitendverluste<br />

im Flusszweig bzw. im Freilaufzweig<br />

errechnet werden.<br />

Diese Gleichung gilt allerdings nur bei guter<br />

thermischer Kopplung aller n Dioden gleichen<br />

Typs im <strong>je</strong>weiligen Zweig. Gleichung 1 zeigt,<br />

dass durch das Parallelschalten weiterer Dioden<br />

in einem Zweig, <strong>die</strong> Leitendverluste gesenkt<br />

werden können. Allerdings sind <strong>die</strong>ser Verlustleistungsminimierung<br />

Grenzen gesetzt. Das<br />

Produkt aus der Schleusenspannung U F (abhängig<br />

von der Sperrschichttemperatur T J ) und<br />

dem Mittelwert des Stromes I F(AV) bleibt vom<br />

Parallelschalten der Dioden nämlich unberührt.<br />

Damit können <strong>die</strong> Leitendverluste beim Parallelschalten<br />

von Dioden nur bis zu einem Verlustleistungswert<br />

nahe U F (TJ)•I F(AV) minimiert<br />

werden. Dieser Verlustleistungswert ist bei vielen<br />

Schaltnetzteilen nicht unerheblich und spiegelt<br />

sich in einem schlechten Wirkungsgrad des<br />

Netzteils wider. Dieser Nachteil der klassischen<br />

Diodengleichrichtung kann unter bestimmten<br />

Umständen durch den Einsatz eines sekundären<br />

Synchrongleichrichters beseitigt werden.<br />

Der sekundäre<br />

Synchrongleichrichter<br />

Die rasante Weiterentwicklung von Leistungs-<br />

MOSFETs in den letzten Jahren, bei der unter<br />

anderem der Einschaltwiderstand R DS(ON) der<br />

MOSFETs drastisch sank, hat in der Leistungselektronik<br />

eine Möglichkeit der Gleichrichtung<br />

von Wechselspannungen sehr interessant gemacht:<br />

<strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong>. Hierbei ersetzen<br />

geeignete MOSFETs <strong>die</strong> bisher eingesetzten<br />

Dioden. Werden <strong>die</strong> MOSFETs auf der<br />

Sekundärseite eines Schaltnetzteils für <strong>die</strong><br />

Gleichrichtung benutzt, spricht man von einer<br />

sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong>. Modifiziert<br />

man entsprechend <strong>die</strong> klassische Diodengleichrichtung<br />

der Abbildung 1, erhält man einen<br />

Eintakt-Flusswandler mit sekundärer<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong> gemäß Abbildung. 2.<br />

Dabei sind <strong>die</strong> wesentlichen Ströme und Spannungen<br />

identisch mit denen der Diodengleichrichtung.<br />

Die Synchrongleichrichter-MOSFETs<br />

V1, V2, V3 und V4 werden von der Baugruppe<br />

„Ansteuerung Synchrongleichrichter“, abhängig<br />

von der Transformator-Ausgangsspannung U S ,<br />

ein- bzw. ausgeschalten. Ist U S größer Null<br />

(Flussphase), dann werden <strong>die</strong> MOSFETs V1<br />

und V2 eingeschaltet, <strong>die</strong> MOSFETs V3 und V4<br />

hingegen ausgeschaltet. In der folgenden Freilaufphase,<br />

in der U S kleiner oder gleich Null ist,<br />

sind <strong>die</strong> MOSFETs V1 und V2 ausgeschaltet.<br />

Den Strom durch <strong>die</strong> Drossel L leiten nun <strong>die</strong><br />

MOSFETs V3 und V4. Die Ansteuerung der<br />

MOSFETs ist hinsichtlich geringer Verluste<br />

beim Ein- und Ausschalten – man spricht hierbei<br />

von Schaltverlusten – zu optimieren. Die<br />

Qualität eines Synchrongleichrichters lässt sich<br />

oftmals auch an <strong>die</strong>sem Kriterium messen,<br />

<strong>denn</strong> <strong>die</strong> Schaltverluste eines Synchrongleichrichters<br />

sollten gleich oder kleiner als <strong>die</strong><br />

Schaltverluste eines Diodengleichrichters sein.<br />

Sind <strong>die</strong> MOSFETs eingeschaltet, entstehen,<br />

bedingt durch ihren Einschaltwiderstand<br />

R DS(ON) , Leitendverluste. Kennt man <strong>die</strong>sen<br />

Widerstand, <strong>die</strong> ungefähre Sperrschichttemperatur<br />

T J der MOSFETs sowie den Effektivstrom<br />

I F(RMS) im entsprechenden Gleichrichter-<br />

Zweig, kann man für den Flusszweig bzw. den<br />

Freilaufzweig <strong>die</strong> Leitendverluste nach folgender<br />

Formel berechnen:<br />

Die Leitendverluste im Gleichrichterzweig sind,<br />

wie in Gleichung 2 zu sehen ist, umgekehrt proportional<br />

der Anzahl parallel geschalteter MOS-<br />

FETs. Damit können <strong>die</strong> Leitendverluste beim<br />

Synchrongleichrichter auf ein solches Maß reduziert<br />

werden, dass sie in der Verlustleistungsbilanz<br />

des Schaltnetzteils kaum noch eine Rolle<br />

spielen. Bei der Entscheidung für oder gegen eine<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong> müssen allerdings<br />

auch <strong>die</strong> Kosten für <strong>die</strong> MOSFETs und deren<br />

Ansteuerung in Betracht gezogen werden. Derzeit<br />

bringt <strong>die</strong> sekundäre <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

unter Berücksichtigung aller Kosten<br />

erhebliche Vorteile bei Schaltnetzteilen mit Ausgangsspannungen<br />

bis 30 V und Ausgangsströmen<br />

zwischen 5 und 30 A.<br />

Beispiel: Konstant-Stromquelle<br />

mit 12 A<br />

Anhand einer Konstant-Stromquelle mit einem<br />

Ausgangsspannungsbereich von 0 bis 7 V und<br />

einem Ausgangsstrom von 12 A soll nun der<br />

Vorteil einer sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

sichtbar gemacht werden. Übernimmt <strong>die</strong><br />

Energieübertragung in <strong>die</strong>ser Stromquelle ein<br />

Eintakt-Flusswandler, wie er in den Abb. 1 bzw.<br />

2 dargestellt ist, sollten moderne Leistungshalbleiter<br />

mit Sperrspannungen von mindestens 30 V<br />

bei der sekundären Gleichrichtung Verwendung<br />

finden. Beispielhaft wurde bei <strong>die</strong>ser Stromquelle<br />

<strong>die</strong> Schottky-Diode 32CTQ030 von<br />

International Rectifier für <strong>die</strong> Diodengleichrichtung<br />

bzw. der Power-MOSFET IRLR7833,<br />

ebenfalls von IR, für <strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

ausgewählt. Die Berechnung der Leitendverluste<br />

für <strong>die</strong> Dioden- bzw. <strong>die</strong> <strong>Synchrongleichrichtung</strong>,<br />

gemäß den Gleichungen 1 und<br />

2, führt zu den in Abbildung 3 (oben) dargestellten<br />

Ergebnissen. Deutlich zeigt sich hier<br />

▲<br />

D&V Juni 2005


48<br />

D&V-SPEZIAL: LEISTUNGSELEKTRONIK FACHBEITRAG<br />

Abb. 1: Eintakt-Flusswandler mit klassischer Diodengleichrichtung<br />

Abb. 2: Sekundärer Synchrongleichrichter eines Eintakt-Flusswandlers<br />

der oftmals entscheidende Vorteil einer sekundären<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong>: Die Leitendverluste<br />

der MOSFETs sind wesentlich geringer, als<br />

<strong>die</strong> der Dioden. Die gesamten Leitendverluste<br />

verringern sich beim Einsatz eines MOSFETs<br />

pro Zweig (<strong>Synchrongleichrichtung</strong>) ungefähr<br />

um den Faktor 4,5 gegenüber einer Diode pro<br />

Zweig (Diodengleichrichtung). Vergleicht man<br />

<strong>die</strong> Leitendverluste bei zwei Halbleitern pro<br />

Zweig steigt der Faktor auf einen Wert von rund<br />

7,5. Bei vier Halbleitern pro Zweig unterscheiden<br />

sich <strong>die</strong> Leitendverluste gar um den<br />

Faktor 11,5.<br />

Die Entscheidung für eine <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

sollte mit <strong>die</strong>sen Rechenergebnissen<br />

nicht schwer fallen. Zum praktischen Vergleich<br />

zwischen Diodengleichrichtung und sekundärer<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong> wurde <strong>die</strong> Konstantstromquelle<br />

aber trotzdem mit beiden<br />

Gleichrichterschaltungen aufgebaut. In den<br />

Gleichrichterzweigen wurden <strong>je</strong> zwei Leistungshalbleiter<br />

eingesetzt. Damit entspricht der<br />

Schaltungsaufbau <strong>je</strong>weils genau den Stromlaufplänen<br />

der Abbildungen 1 bzw. 2. Nach erfolgreicher<br />

Inbetriebnahme der beiden Schaltungsvarianten<br />

wurden neben den Leitendverlusten<br />

auch <strong>die</strong> Schaltverluste der sekundären Leistungshalbleiter<br />

gemessen. Die Messergebnisse<br />

entsprachen hierbei den Erwartungswerten. Die<br />

Abbildung 3 (unten) stellt <strong>die</strong> praktisch erzielten<br />

Abb. 3: Leitendverluste der<br />

sekundären Gleichrichtung<br />

mit Dioden bzw. MOSFETs<br />

(oben) und gemessene Verlustleistungen<br />

der sekundären<br />

Leistungshalbleiter<br />

(unten)<br />

Ergebnisse dar. Die Leitendverluste liegen im<br />

Bereich der errechneten Werten und auch<br />

<strong>die</strong> gemessenen Schaltverluste (Schaltfrequenz:<br />

80 kHz) entsprechen den angestrebten Werten.<br />

Fazit<br />

Die „Konstant-Stromquelle 12 A“ vertritt beispielhaft<br />

viele Schaltnetzteile, bei denen der<br />

Einsatz einer sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

unter technischen sowie wirtschaftlichen<br />

Gesichtspunkten sinnvoll ist. Besonders gilt <strong>die</strong>s<br />

für Netzteile mit einer Ausgangsspannung kleiner<br />

30 V und Ausgangsströmen bis 30 A. Mit einem<br />

sekundären Synchrongleichrichter kann<br />

sich das Kühlkonzept eines Schaltnetzteils wesentlich<br />

vereinfachen. Durch den Einsatz von<br />

MOSFETs, <strong>die</strong> nicht mehr zwangsweise an einen<br />

Kühlkörper montiert werden müssen, verringern<br />

sich <strong>die</strong> Abmessungen der Gleichrichterschaltung.<br />

Ein weiterer Vorteil ist <strong>die</strong> bessere<br />

elektromagnetische Verträglichkeit des Synchrongleichrichters.<br />

Durch den Wegfall der<br />

Kühlkörper der sekundären Leistungshalbleiter<br />

können auch keine Störströme – hervorgerufen<br />

durch steile Schaltflanken (du/dt) der Leistungshalbleiter<br />

– über <strong>die</strong>se Kühlkörper fließen. Damit<br />

reduzieren sich bei Schaltnetzteilen <strong>die</strong><br />

Gleichtaktstörungen zum Teil erheblich. Die<br />

gegenüber der Diodengleichrichtung auftretenden<br />

höheren Entwicklungskosten amortisieren<br />

sich aus den genannten Gründen schnell. Durch<br />

<strong>die</strong> stetige und sehr rasche Weiterentwicklung<br />

von schnell schaltenden MOSFETs mit geringem<br />

Einschaltwiderstand, wird <strong>die</strong> sekundäre<br />

<strong>Synchrongleichrichtung</strong> in den nächsten Jahren<br />

auch bei solchen Schaltnetzteilen Anwendungen<br />

finden, <strong>die</strong> Ausgangsspannungen größer 30 V<br />

bereitstellen. Damit wird der sekundären <strong>Synchrongleichrichtung</strong><br />

in der Leistungselektronik<br />

kommender Jahre eine noch größere Beachtung<br />

zukommen, als <strong>die</strong>s bereits heute der Fall ist. ■<br />

Weiterführende Infos auf www.duv24.net<br />

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