Zeig' mir Deine Brille … - Carl Zeiss - Carl Zeiss International
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157-nm-Projekt<br />
Die Optische Lithographie zur Herstellung<br />
von Mikro-Chips erweitert<br />
fortlaufend ihre Grenzen nach unten.<br />
Mit technisch immer komplexeren<br />
und besseren Systemen können noch<br />
feinere Strukturen hergestellt werden.<br />
Momentan sind Arbeitswellenlängen<br />
von 193 nm und Strukturgrößen<br />
von bis hinab zu 0,15 µm<br />
erreicht. Aber die Forschung und Entwicklung<br />
an den folgenden Generationen<br />
läuft bereits auf vollen Touren.<br />
Der nächste Schritt führt zur Lithographie<br />
bei 157 nm. Um diesen erfolgreich<br />
und schnell zu meistern, haben<br />
sich mehrere deutsche Firmen zu<br />
einem Konsortium zusammengeschlossen,<br />
das vom Bundesministerium<br />
für Bildung und Forschung der<br />
Bundesrepublik Deutschland unterstützt<br />
wird. Die Koordination dieses<br />
Projektes liegt bei <strong>Carl</strong> <strong>Zeiss</strong>.<br />
Alle Stufen des komplexen Prozesses<br />
müssen für die neue Arbeitswellenlänge<br />
von 157 nm durchgearbeitet<br />
werden. Das Material für die<br />
Optik – es handelt sich hier wie<br />
schon bei der Arbeitswellenlänge von<br />
193 nm um CaF 2 –, wird von dem<br />
Unternehmen Schott ML erforscht<br />
und gefertigt. Für den 157-nm-F 2 -<br />
Projektkoordinierung durch <strong>Carl</strong> <strong>Zeiss</strong><br />
Maske<br />
Material:<br />
Heraeus<br />
Schott ML GmbH<br />
Rohling:<br />
Schott ML GmbH<br />
Strukturierung:<br />
Infineon<br />
Technologies AG<br />
Fotolack<br />
Infineon<br />
Technologies AG<br />
Innovation 7, <strong>Carl</strong> <strong>Zeiss</strong>, 1999<br />
Prozesstechnik<br />
IMEC<br />
Laser, die Laser-Optik und die Strahlführung<br />
zeichnen die Firmen Lambda<br />
Physik und L.O.S. GmbH verantwortlich.<br />
Die Fotoresist-Entwicklung und<br />
den Maskenprozess bearbeitet die<br />
Firma Infineon Technologies AG (vormals<br />
Siemens Halbleiterbereich). Für<br />
das Gesamtsystem zeichnet das Unternehmen<br />
ASM Lithography verantwortlich.<br />
Als Spitzenanbieter für die optische<br />
193-nm-Technologie ist <strong>Carl</strong> <strong>Zeiss</strong><br />
bestens positioniert, auch die Herabsetzung<br />
der Arbeitswellenlänge auf<br />
157 nm anzuführen. Von wesentlicher<br />
Hilfe werden dabei mehrere Faktoren<br />
sein: die bereits sehr intensive<br />
Erfahrung mit der CaF 2 -Technologie<br />
von der Materialqualifikation bis hin<br />
zum Bearbeiten der Linsen aus diesem<br />
Material, das einzigartige Knowhow<br />
in optischer Vergütung durch<br />
hochspezifische Oberflächenbeschichtungen<br />
und die ausgefeilten Messund<br />
Testprozeduren für die Fertigung<br />
der optischen Elemente sowie bei der<br />
Systemintegration.<br />
In den Jahren 1999 bis 2001 sollen<br />
im 157-nm-Projekt die grundlegenden<br />
Forschungs- und Entwicklungsarbeiten<br />
zum Material, zur Mas-<br />
Scanner ASML<br />
Maschine<br />
Laser:<br />
Lambda Physik<br />
Laseroptik &<br />
Strahlführung:<br />
Jenoptik AG,<br />
L.O.S. GmbH<br />
Beleuchtungs- &<br />
Projektionsobjektiv:<br />
<strong>Carl</strong> <strong>Zeiss</strong><br />
Material:<br />
Schott ML GmbH<br />
Kooperationen • Projekte<br />
kentechnologie, zum Laser und den<br />
optischen Technologien durchgeführt<br />
werden. Ab 2001 werden dann die<br />
konkreten Werkzeuge und Prozessabläufe<br />
entwickelt, die dann ab 2003<br />
das Anwendungsstadium erreichen.<br />
Man hofft, ab 2005 Strukturgrößen<br />
unter 0,07 µm (70 nm) realisieren zu<br />
können.<br />
Außer dem deutschen 157-nm-<br />
Projekt gibt es ähnliche Gruppeninitiativen<br />
in den USA und Japan.<br />
Zeitplan des Projekts<br />
Material für Masken<br />
und Optik<br />
Laser<br />
Konzept für<br />
Objektivdesign<br />
Optische<br />
Technologien<br />
Scanner<br />
Maskentechnologie<br />
Scannerauslieferung<br />
Vorbereitung für<br />
Serienfertigung<br />
Abgesicherter<br />
Prozess<br />
Bild 1:<br />
Zeitplan für das<br />
deutsche Konsortium für<br />
die 157-nm-Lithographie.<br />
1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005<br />
Grundlegende<br />
FuE<br />
Bild 2:<br />
Am deutschen Konsortium<br />
für die 157-nm-Lithographie<br />
beteiligte Firmen<br />
und ihre Aufgaben.<br />
Scanner- &<br />
Prozess-<br />
Entwicklung<br />
< 100 nm<br />
Anwendung<br />
Chipentwicklung<br />
Prozessintegration<br />
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