Einführung in die Elektronik für Physiker
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Ausgangskennl<strong>in</strong>ie<br />
• Selbstleitender FET, U k = Kniespannung<br />
Anlaufbereich Abschnürbereich<br />
05.12.2009 Hartmut Gemmeke, WS2009/2010, <strong>E<strong>in</strong>führung</strong> <strong>in</strong> <strong>die</strong> <strong>Elektronik</strong>, Vorlesung 11 7<br />
Zur Illustration das<br />
weite Spektrum der<br />
FET-Daten:<br />
Typische Kenndaten von FETs<br />
Typ BF245B IRF530<br />
Technologie n-Kanal Sperrschicht-FET,<br />
selbstleitend<br />
MOS-FET,<br />
selbstsperrend<br />
Grenzdaten:<br />
Dra<strong>in</strong>strom I Dmax 25 mA 10 A<br />
Gate-Source-Spg. U GSmax -30 V ± 20 V<br />
Verlustleistung P max 300 mW 75 W<br />
Kenndaten:<br />
Schwellenspannung U p -1,5 … -4,5 V 1,5 … 3,5 V<br />
Dra<strong>in</strong>strom I DS 6 … 15 mA 5 A<br />
Maximale Steilheit S S 5 mA/V 5 A/V<br />
M<strong>in</strong>imaler Widerstand R DSon 200 ! 0,14 !<br />
Max. Gatesperrstrom I Gmax 5 nA 0,5 mA<br />
Max. Dra<strong>in</strong>sperrstrom I Dmax 10 nA 1 mA<br />
E<strong>in</strong>gangskapazität C eS 4 pF 750 pF<br />
Ausgangskapazität C aS 1,6 pF 300 pF<br />
Rückwirkungskapazität C rS 1,1 pF 50 pF<br />
Rauschen F 1,5 dB<br />
Steilheitsgrenzfrequenz f S 700 MHz<br />
E<strong>in</strong>schaltverzögerung t on 30 ns<br />
05.12.2009 Hartmut Gemmeke, WS2009/2010, <strong>E<strong>in</strong>führung</strong> <strong>in</strong> <strong>die</strong> <strong>Elektronik</strong>, Vorlesung 11 8
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