5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module - Semikron
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5 <strong>Applikationshinweise</strong> <strong>für</strong> <strong>IGBT</strong>- <strong>und</strong> <strong>MOSFET</strong>-<strong>Module</strong><br />
lationsgrad m 0, <strong>für</strong> Gleichrichterbetrieb (Energiefluss von AC zu DC) ist der cos(j) < 0, also negativ.<br />
Durch die symmetrische Struktur stellen sich jeweils <strong>für</strong> die <strong>IGBT</strong> <strong>und</strong> Dioden eines Umrichters<br />
zeitverschoben identische Strom- <strong>und</strong> Spannungsverläufe ein. Somit können die Verlustleistungsbetrachtungen<br />
auf einen <strong>IGBT</strong> <strong>und</strong> eine Diode reduziert werden. Die Umrichterverluste können<br />
anschließend durch Multiplikation entsprechend der <strong>IGBT</strong>-/Diodenanzahl (4 - einphasig bzw. 6 -<br />
dreiphasig) bestimmt werden. Der Unterschied zu den Berechnungen im Kap. 5.2.1.1 besteht darin,<br />
dass auch im stationären Zustand der Schaltung Tastverhältnis, Laststrom <strong>und</strong> Sperrschichttemperatur<br />
nicht konstant sind, sondern mit der Gr<strong>und</strong>schwingungsfrequenz der AC-Seite (z.B.<br />
50/60 Hz) variieren. Das bedeutet zeitlich veränderliche Schalt- <strong>und</strong> Durchlassverluste <strong>für</strong> <strong>IGBT</strong><br />
<strong>und</strong> Dioden <strong>und</strong> verlangt eine umfangreiche Erweiterung der Verlustbetrachtung. Mit exakten Ergebnissen<br />
kann also nur in soweit gerechnet werden, wie die getroffenen Vereinfachungen zutreffen<br />
bzw. Abweichungen noch akzeptabel sind [55].<br />
Es wird von folgenden Vereinfachungen ausgegangen:<br />
- Vernachlässigung der Transistor- <strong>und</strong> Diodenschaltzeiten<br />
- Annahme zeitlich konstanter Sperrschichttemperaturen (ist bei f = ~ 50 Hz zulässig)<br />
out<br />
- lineare Aussteuerung<br />
- Vernachlässigung der Schaltfrequenzwelligkeit im Wechselstrom (sinusförmiger Strom)<br />
- f >> f sw out<br />
Bei einem reinen Sinus/Dreieckvergleich würde die Schaltverriegelungszeit t mit f · t *V /2 an<br />
d sw d CC<br />
der Spannungszeitfläche der Ausgangsspannung fehlen. Ein vorgelagerter Regler würde die fehlende<br />
Spannung durch Verlängerung der Ansteuerpulse ausregeln, damit die <strong>für</strong> den gewünschten<br />
Strom benötigte Spannung auch am Wechselrichterausgang anliegt. Mit der Berechnung des Modulationsgrades<br />
m aus der Ausgangsspannung entfällt t als Fehlerquelle.<br />
d<br />
Die klassische PWM schaltet bei der maximalen Anzahl von möglichen Kommutierungszeitpunkten<br />
<strong>und</strong> verursacht damit auch maximale Schaltverluste. Andere Ansteuerverfahren wie z.B. die<br />
Vektorsteuerung lassen ausgewählte Schaltvorgänge aus <strong>und</strong> haben damit geringere Schaltverluste<br />
als mit den nachfolgenden Formeln berechnet. Mit einer Linearisierung der Ausgangskennlinie<br />
des <strong>IGBT</strong> durch eine Ersatzgerade ergibt sich folgender Ausdruck <strong>für</strong> die zeitliche Abhängigkeit<br />
der Sättigungsspannung v CEsat :<br />
Unter Berücksichtigung der sinusförmigen Abhängigkeit des Tastverhältnisses von der Zeit ergeben<br />
sich die Durchlassverluste des <strong>IGBT</strong> nach<br />
Mit der Vereinfachung, dass die Schaltverlustenergien linear vom Kollektorstrom abhängen, lässt<br />
sich die Gesamtschaltverlustleistung eines <strong>IGBT</strong> berechnen aus