予稿集 - 応用物理学会

P6容 量 型 指 紋 センサLSI の 画 質 向 上 のための 高 感 度 化 手 法 の 検 討Sensitivity Enhancement Scheme for Image Quality Improvement on Capacitive Fingerprint Sensor LSINTT マイクロシステムインテグレーション 研 究 所 1 、NTT アドバンステクノロジ( 株 ) 2○ 島 村 俊 重 1 , 森 村 浩 季 1 , 重 松 智 志 1 , 中 西 衛 1 、 町 田 克 之 2NTT Microsystem Integration Labs. 1 , NTT Advanced Technology Corp. 2 ,○T. Shimamura 1 ,H. Morimura1, S. Shigematsu1, M.Nakanishi 1 , K. Machida 2P7ISFET を 集 積 化 したpH センサLSI 回 路 の 設 計Design of a pH Sensor LSI Circuit Integrated with ISFETNTT アドバンステクノロジ 株 式 会 社 1 , 株 式 会 社 堀 場 製 作 所 2 , 東 京 工 業 大 学 3○ 小 西 敏 文 1 , 石 原 昇 3 , 田 邉 裕 貴 2 , 町 田 克 之 1 , 野 村 聡 2 , 益 一 哉 3NTT Advanced Technology Corporation 1 ,HORIBA, Ltd. 2 , Tokyo Institute of Technology 3○T. Konishi 1 , N. Ishihara 3 , H. Tanabe 2 , K. Machida 1 , S. Nomura 2 , K. Masu 3P8圧 電 駆 動 型 RF-MEMS 可 変 キャパシタの 高 Q 値 実 現Realization of High Q value of Piezoelectric RF-MEMS Tunable Capacitors株 式 会 社 東 芝 研 究 開 発 センター1, 東 芝 リサーチ・コンサルティング 株 式 会 社 2○ 西 垣 亨 彦 1 , 長 野 利 彦 1 , 大 野 浩 志 1 , 川 久 保 隆 2 , 板 谷 和 彦 1Corporate R&D center Toshiba Corp. 1 , Toshiba research consulting corp. 2○Michihiko Nishigaki 1 , Toshihiko Nagano 1 , Hiroshi,Ono 1 , Takashi Kawakubo 2 , Kazuhiko Itaya 1P9加 圧 オーブンによるMEMS 封 止 膜 の 硬 化 プロセスCuring Process using Pressure oven for MEMS Sealing FilmsNTT アドバンステクノロジ㈱ 1 、NTT マイクロシステムインテグレーション 研 究 所 2○ 亀 井 敏 和 1 , 小 野 一 善 2 , 桑 原 啓 2 , 高 河 原 和 彦 2 , 工 藤 和 久 1 , 矢 野 正 樹 1 , 佐 藤 康 博 2 , 町 田 克 之 1NTT-AT 1 , NTT MI Labs. 2○T. Kamei 1 , K. Ono 2 , K. Kuwabara 2 , K. Takagahara 2 , K. Kudou 1 , M. Yano 1 , Y. Sato 2 , and K. Machida 1P10MEMS デバイスの 評 価 技 術 の 紹 介The evaluation technique of the MEMS devices東 レリサーチセンター○ 関 洋 文 、 高 橋 和 巳 、 橋 本 秀 樹Toray Research Center Inc.,○Hirofumi Seki, Kazumi Takahashi, Hideki HashimotoP11超 小 型 ・ 薄 型 光 マイクロセンサによるレーザドップラー 速 度 計 測Laser-Doppler velocity measurements using an ultra-compact and thin microsensor東 京 大 学 1 , 九 州 大 学 2○ 中 村 志 伸 1 , 茅 野 大 祐 1 , 日 暮 栄 治 1 , 須 賀 唯 知 1 , 澤 田 廉 士 2The University of Tokyo 1 , Kyushu University 2○Shinobu Nakamura 1 , Daisuke Chino 1 , Eiji Higurashi 1 , Tadatomo Suga 1 , Renshi Sawada 2P12XeF2 プラズマによるSi のドライエッチングDry Etching of Si using XeF2 Plasma東 工 大 半 導 体 ・MEMS 支 援 センター1,サムコ 2 , 東 工 大 精 研 3○ 松 谷 晃 宏 1 , 大 槻 秀 夫 2 , 小 山 二 三 夫 3Center for Semiconductor & MEMS Processes, Tokyo Tech 1 Samco 2 , P&I, Tokyo Tech 3○Akihiro Matsutani 1 , Hideo Ohtsuki 2 , Fumio Koyama 3