Wachstum und Nanogaps - JuSER - Forschungszentrum JÃ¼lich

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SYMBOL- UND ABKÜRZUNGSVERZEICHNIS VII Symbol- <strong>und</strong> Abkürzungsverzeichnis AFM ....... - Atomic Force Microscope A spot ....... - Elektronenquerschnitt A 0 .......... - Kathodenmaterial abhängige Richardson Konstante BSE ........ - BACL SCatering Elektrons BST ........ - Barium Stronium Titanat b min ........ - kleinste auflösbare Struktur CBRAM .... - Conductive Bridge Random Access Memory CAD ........ - Computer Aided Design cd .......... - critical dimensions CE ......... - Counter Eelectrode CSD ........ - Chemical Solution Deposition CMOS ...... - Complementary MetalOxide Semiconductor CMP ........ - Chemical Mechanical Polishing CVD ........ - Chemical Vapor Deposition D ........... - Durchmesser der Quellenlinse d ........... - Schichtdicke des aufgeschleuderten Fotolacks D 0 .......... - Fotosensitivität DRAM ..... - Dynamic Random Access Memory d s .......... - Schrittweite d work ....... - Arbeitsabstand D 2 O ........ - schweres Wasser ECR ........ - Electron Cyclotron Resonanz E kin ........ - kinetische Energie F ........... - dieineiner Technologiegeneration minimal beherrschbare Strukturabmessung f ............ - Fokus der Quellenlinse G ........... - Anzahl der Spaltvorgänge pro Elektronenenergie HCl ......... - Chlorwasserstoff HDPE ...... - High Density Polyethylen HSQ ........ - Hydrogen Silsesquioxan ITRS ....... - International Technology Roadmap for Semiconductors I aus ......... - Streuintensität
SYMBOL- UND ABKÜRZUNGSVERZEICHNIS VIII I B .......... - Ausschaltstrom I ein ......... - Einschaltstrom I q .......... - Streuintensität I p .......... - Belichtungsintensität J ........... - Stromdichte J 0 .......... - maximale Stromdichte k ........... - Wellenvektor k 1 .......... - Prozessparameter für die Beschaffenheit des Fotolacks m ........... - Molekulargewicht L ........... - Beladung der Diblock-Copolymer Mizellen LaB 6 ........ - Kathodenmaterial Lanthanhexaborid MBE ....... - Molecule Beam Epitaxie M e ......... - mittleres Molekulargewicht der Spaltvorgänge M 0 ......... - Molekulargewicht vor der Belichtung MIBK ...... - Methylisobutylketon MOSFET . . . - Metall Oxid Semiconductor Fieldeffekt Transistor m neutron . . . . - Masse eines Neutrons n ........... - Brechungsindex NA ......... - Numerische Aperatur N A ......... - Avogadro-Konstante PbTiO 3 .... - Bleititanat PECVD ..... - Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition P f .......... - Funktion der Belichtungsintensität PFM ........ - Piezo Force Microscope PLD ........ - Pulsed Laser Deposition PMMA ..... - Poly methyl metha acrylat PMMA/MAA - Poly methyl metha acrylat-methaacrylic acid P(q) ........ - Formfaktor PS .......... - Polystyrol P2VP ....... - Poly(2-vinylpyridin) PZT ........ - Bleizirkonat-Titanat RE ......... - Reference Eelectrode REM ....... - Raster Elektronen Mikroskop RIBE ....... - Reactive Ion Beam Etching RIE ......... - Reactive Ion Etching RMS ........ - Root Mean Square (gemittelte Oberflächenrauigkeit) RTA ........ - Rapid Thermal Annealing R G ......... - Gyrationsradius R j .......... - Abtragrate des Entwicklers
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ANHANG 163 Prozessschritte Anlage P
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Schriften des Forschungszentrums J
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Zusammenfassung Ziel dieser Arbeit
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