Wachstum und Nanogaps - JuSER - Forschungszentrum Jülich
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RESISTIVEN MATERIALIEN UND TIO 2 -NANOPUNKTE IN SPEICHERMATRIZEN 24<br />
Dabei hängt der einzubringende Energiebetrag von der Schichtdicke der Isolationsmatrix ab. Obwohl<br />
HSQ flüssig ist <strong>und</strong> aufgeschleudert wird, ist die Schichtdicke von HSQ rotationsunabhängig. Nur über<br />
das Mischungsverhältnis zwischen Feststoff Fox-12 <strong>und</strong> MIBK ist es möglich eine Schichtdickenvariation<br />
der Isolationsmatrix herbeizuführen. Selbstverständlich gibt es auch einige Beschränkungen, die den<br />
Einsatz von HSQ erschweren. Die relative Dielektrizität ε r der HSQ Isolationsmatrix hängt von der Dauer<br />
<strong>und</strong> Höhe der Temperatureinwirkung ab, mit der das Lösungsmittel MIBK verdampft wird. Auf die<br />
Besonderheiten der Temperatureinwirkung ist in Kapitel 1.5.2 hingewiesen. Weiterhin ist die Handhabung<br />
von HSQ kritisch, da es gekühlt bei -5 ◦ C bis +5 ◦ C aufbewahrt werden muss. Bei Temperatureinwirkung<br />
oberhalb 5 ◦ C neigt es zur Polymerisation. Insbesondere reagiert es mit Luftfeuchtigkeit, weshalb<br />
es innerhalb von wenigen Minuten nach der Entnahme aufgeschleudert werden sollte. Zusätzlich sollten<br />
zur Dosierung keine Glaspipetten <strong>und</strong> zum Verrühren von MIBK <strong>und</strong> HSQ sollte keine Glasbecher verwendet<br />
werden, da HSQ mit Bestandteilen aus Glas oder Verunreinigungen sehr schnell reagiert. Aus<br />
diesem Gr<strong>und</strong> wurde HSQ nur in HDPE-Flaschen (HDPE = High Density Polyethylen, also Polyethylen<br />
hoher Dichte) aufbewahrt <strong>und</strong> nur HDPE-Becher wurden zur weiteren Verwendung verwendet.<br />
1.5.2 Die Einbettung von TiO 2 Nanopunkten in eine Isolationsmatrix<br />
Die erste Anforderung an eine Isolationsmatrix ist, dass unterschiedliche Schichtdicken herstellbar sein<br />
müssen, um Kristallite unterschiedlicher Grösse einbetten zu können. Als ersten Versuch wurden deshalb<br />
gereinigte Substrate, bestehend aus Silizium <strong>und</strong> 400nm thermischen Siliziumoxid verwendet. Aus<br />
der Literatur ist bekannt, dass die Schichtdicke von HSQ unabhängig von der Schleudergeschwindigkeit<br />
ist [36], [37]. Der einzige Weg die Dicke der HSQ Isolationsmatrix zu beeinflussen ist über das<br />
Mischungsverhältnis zwischen MIBK <strong>und</strong> HSQ. Fünf unterschiedliche Verdünnungen von HSQ wurden<br />
hergestellt, die zwischen 1000 <strong>und</strong> 5000 Umdrehungen/Minute aufgeschleudert wurden. Die prozessierten<br />
1x1Zoll Stücke wurden mit drei aufeinanderfolgenden Temperaturschritten ausgebacken.<br />
Abbildung 1.16: HSQ Schichtdicken variiert über den Anteil an Lösungsmittel MIBK <strong>und</strong> mit unterschiedlichen<br />
Schleudergeschwindigkeiten aufgetragen.