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Wachstum und Nanogaps - JuSER - Forschungszentrum Jülich

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RESISTIVEN MATERIALIEN UND TIO 2 -NANOPUNKTE IN SPEICHERMATRIZEN 24<br />

Dabei hängt der einzubringende Energiebetrag von der Schichtdicke der Isolationsmatrix ab. Obwohl<br />

HSQ flüssig ist <strong>und</strong> aufgeschleudert wird, ist die Schichtdicke von HSQ rotationsunabhängig. Nur über<br />

das Mischungsverhältnis zwischen Feststoff Fox-12 <strong>und</strong> MIBK ist es möglich eine Schichtdickenvariation<br />

der Isolationsmatrix herbeizuführen. Selbstverständlich gibt es auch einige Beschränkungen, die den<br />

Einsatz von HSQ erschweren. Die relative Dielektrizität ε r der HSQ Isolationsmatrix hängt von der Dauer<br />

<strong>und</strong> Höhe der Temperatureinwirkung ab, mit der das Lösungsmittel MIBK verdampft wird. Auf die<br />

Besonderheiten der Temperatureinwirkung ist in Kapitel 1.5.2 hingewiesen. Weiterhin ist die Handhabung<br />

von HSQ kritisch, da es gekühlt bei -5 ◦ C bis +5 ◦ C aufbewahrt werden muss. Bei Temperatureinwirkung<br />

oberhalb 5 ◦ C neigt es zur Polymerisation. Insbesondere reagiert es mit Luftfeuchtigkeit, weshalb<br />

es innerhalb von wenigen Minuten nach der Entnahme aufgeschleudert werden sollte. Zusätzlich sollten<br />

zur Dosierung keine Glaspipetten <strong>und</strong> zum Verrühren von MIBK <strong>und</strong> HSQ sollte keine Glasbecher verwendet<br />

werden, da HSQ mit Bestandteilen aus Glas oder Verunreinigungen sehr schnell reagiert. Aus<br />

diesem Gr<strong>und</strong> wurde HSQ nur in HDPE-Flaschen (HDPE = High Density Polyethylen, also Polyethylen<br />

hoher Dichte) aufbewahrt <strong>und</strong> nur HDPE-Becher wurden zur weiteren Verwendung verwendet.<br />

1.5.2 Die Einbettung von TiO 2 Nanopunkten in eine Isolationsmatrix<br />

Die erste Anforderung an eine Isolationsmatrix ist, dass unterschiedliche Schichtdicken herstellbar sein<br />

müssen, um Kristallite unterschiedlicher Grösse einbetten zu können. Als ersten Versuch wurden deshalb<br />

gereinigte Substrate, bestehend aus Silizium <strong>und</strong> 400nm thermischen Siliziumoxid verwendet. Aus<br />

der Literatur ist bekannt, dass die Schichtdicke von HSQ unabhängig von der Schleudergeschwindigkeit<br />

ist [36], [37]. Der einzige Weg die Dicke der HSQ Isolationsmatrix zu beeinflussen ist über das<br />

Mischungsverhältnis zwischen MIBK <strong>und</strong> HSQ. Fünf unterschiedliche Verdünnungen von HSQ wurden<br />

hergestellt, die zwischen 1000 <strong>und</strong> 5000 Umdrehungen/Minute aufgeschleudert wurden. Die prozessierten<br />

1x1Zoll Stücke wurden mit drei aufeinanderfolgenden Temperaturschritten ausgebacken.<br />

Abbildung 1.16: HSQ Schichtdicken variiert über den Anteil an Lösungsmittel MIBK <strong>und</strong> mit unterschiedlichen<br />

Schleudergeschwindigkeiten aufgetragen.

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